一种阻抗校准电路、阻抗校准方法和存储器与流程

本公开涉及半导体存储器，尤其涉及一种阻抗校准电路、阻抗校准方法和存储器。

背景技术：

1、在动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)的工作过程中，需要通过一些电阻实现信号的输出驱动或者终结处理。应理解，由于电阻的阻值会随着环境参数(例如温度)的变化发生改变，所以存储器需要对相关电阻的阻值进行校准，以上称为zq校准。然而，目前的zq校准会占用过多的功耗和系统时间，降低了存储器的性能。

技术实现思路

1、本公开提供了一种阻抗校准电路、阻抗校准方法和存储器，能够减少阻抗校准的功耗和时间，提高存储器的性能。

2、本公开的技术方案是这样实现的：

3、第一方面，本公开实施例提供了一种阻抗校准电路，所述阻抗校准电路包括参数模块、初始值产生模块和校准模块；其中，所述参数模块，配置为执行环境检测处理，输出环境参数信号；所述初始值产生模块，配置为接收所述环境参数信号，并在接收到校准指令信号时，基于所述环境参数信号输出初始校准值；所述校准模块，配置为接收所述初始校准值，并在接收到所述校准指令信号时，基于所述初始校准值进行阻抗校准处理。

4、在一些实施例中，所述环境参数信号至少包括温度参数信号；所述参数模块包括温度传感器和译码模块；其中，所述温度传感器，配置为对所述阻抗校准电路所处的环境进行温度检测，输出温度信号；所述译码模块，配置为接收所述温度信号，对所述温度信号进行译码处理，输出所述温度参数信号。

5、在一些实施例中，所述初始校准值包括第一初始校准值和第二初始校准值；所述校准模块，具体配置为将所述第一初始校准值确定为第一阻抗校准码的初始值，将所述第二初始校准值确定为第二阻抗校准码的初始值；以及，对所述第一阻抗校准码进行调整，以实现上拉阻抗的校准；在上拉阻抗校准完成后，对所述第二阻抗校准码进行调整，以实现下拉阻抗的校准。

6、在一些实施例中，所述校准模块包括第一计数模块、第一比较器和电阻模块，所述电阻模块包括第一上拉电阻单元，且所述第一上拉电阻单元与标准电阻连接；其中，所述电阻模块，配置为接收所述第一阻抗校准码，基于所述第一阻抗校准码对所述第一上拉电阻单元的阻值进行控制，输出第一电压信号；所述第一比较器，配置为接收所述第一电压信号和第一参考信号，对所述第一电压信号与所述第一参考信号进行比较，输出第一指示信号；所述第一计数模块，配置为接收所述第一指示信号和第一计数时钟信号，在所述第一指示信号处于第一电平状态时，每检测到所述第一计数时钟信号的一个脉冲，对所述第一阻抗校准码进行加法处理；在所述第一指示信号处于第二电平状态时，每检测到所述第一计数时钟信号的一个脉冲，对所述第一阻抗校准码进行减法处理，以实现上拉阻抗的校准处理。

7、在一些实施例中，所述校准模块还包括第二计数模块和第二比较器，所述电阻模块还包括第二上拉电阻单元和下拉电阻单元，所述第二上拉电阻单元的阻值由所述第一阻抗校准码控制，且所述第二上拉电阻单元和所述下拉电阻单元连接；其中，所述电阻模块，还配置为在上拉阻抗校准完成后，基于所述第二阻抗校准码对所述下拉电阻单元的阻值进行控制，输出第二电压信号；其中，在上拉阻抗校准完成后，所述第二上拉电阻单元的阻值被所述第一阻抗校准码校准为标准阻值；所述第二比较器，配置为接收所述第二电压信号和第二参考信号，将所述第二电压信号与所述第二参考信号进行比较，输出第二指示信号；所述第二计数模块，配置为接收所述第二指示信号和第二计数时钟信号，在所述第二指示信号处于第三电平状态时，每检测到所述第二计数时钟信号的一个脉冲，对所述第二阻抗校准码进行加法处理；在所述第二指示信号处于第四电平状态时，每检测到所述第二计数时钟信号的一个脉冲，对所述第二阻抗校准码进行减法处理，以实现下拉阻抗的校准处理。

8、在一些实施例中，所述第一上拉电阻单元的控制端接收所述第一阻抗校准码，所述第一上拉电阻单元的第一端与电源信号连接，所述第一上拉电阻单元的第二端与所述标准电阻的第一端连接，所述标准电阻的第二端与地信号连接；所述第二上拉电阻单元的控制端接收所述第一阻抗校准码，所述第二上拉电阻单元的第一端与电源信号连接，所述第二上拉电阻单元的第二端与所述下拉电阻单元的第一端连接，所述下拉电阻单元的第二端与地信号连接。

9、在一些实施例中，所述校准模块还包括振荡模块和控制模块；所述第一计数模块集成有第一检测模块，所述第二计数模块集成有第二检测模块；其中，所述振荡模块，配置为接收所述校准指令信号，基于所述校准指令信号，输出时钟信号；所述控制模块，配置为接收所述时钟信号；基于所述时钟信号，向所述第一计数模块输出所述第一计数时钟信号；所述第一检测模块，配置为对所述第一指示信号的变化情况进行记录；若所述第一指示信号的变化情况符合第一预设条件，则向所述控制模块输出第一终止信号；所述控制模块，还配置为在接收到所述第一终止信号的情况下，停止输出所述第一计数时钟信号；以及基于所述时钟信号，向所述第二计数模块输出所述第二计数时钟信号；所述第二检测模块，配置为对所述第二指示信号的变化情况进行记录；若所述第一指示信号的变化情况符合第二预设条件，则向所述控制模块输出第二终止信号；所述控制模块，还配置为在接收到所述第二终止信号的情况下，停止输出所述第二计数时钟信号。

10、在一些实施例中，所述控制模块，还配置为在接收到所述第二终止信号的情况下，向所述振荡模块输出内部停止信号；所述振荡模块，还配置为接收所述内部停止信号，基于所述内部停止信号，停止输出所述时钟信号。

11、在一些实施例中，所述第一预设条件是指在第一阻抗校准码的连续3次调整过程中，第一指示信号在由第一值变化为第二值后继续由第二值变化为第一值；所述第二预设条件是指在第二阻抗校准码的连续3次调整过程中，第二指示信号在由第一值变化为第二值后继续由第二值变化为第一值。

12、在一些实施例中，所述第一计数模块，还配置为接收锁存信号，基于所述锁存信号，对所述第一阻抗校准码进行锁存；所述第二计数模块，还配置为接收所述锁存信号，基于所述锁存信号，对所述第二阻抗校准码进行锁存。

13、第二方面，本公开实施例提供了一种阻抗校准方法，应用于阻抗校准电路，所述方法包括：

14、通过环境检测处理，确定环境参数信号；

15、基于所述环境参数信号，确定初始校准值；

16、在接收到校准指令信号时，基于所述初始校准值进行阻抗校准处理。

17、在一些实施例中，所述环境参数信号至少包括温度参数信号；所述通过环境检测处理，确定环境参数信号，包括：

18、对所述阻抗校准电路所处的环境进行温度检测，得到温度信号；对所述温度信号进行译码处理，得到所述温度参数信号。

19、在一些实施例中，所述初始校准值包括第一初始校准值和第二初始校准值；所述基于所述初始校准值进行阻抗校准处理，包括：

20、将所述第一初始校准值确定为第一阻抗校准码的初始值，将所述第二初始校准值确定为第二阻抗校准码的初始值；对所述第一阻抗校准码进行调整，以实现上拉阻抗的校准处理；在上拉阻抗校准完成后，对所述第二阻抗校准码进行调整，以实现下拉阻抗的校准处理。

21、在一些实施例中，所述阻抗校准电路包括第一上拉电阻单元，且所述第一上拉电阻单元与标准电阻连接，所述对所述第一阻抗校准码进行调整，以实现上拉阻抗的校准处理，包括：

22、基于所述第一阻抗校准码对所述第一上拉电阻单元的阻值进行调整，确定第一电压信号；将所述第一电压信号与第一参考信号进行比较，输出第一指示信号；在所述第一指示信号处于第一电平状态时，每检测到第一计数时钟信号的一个脉冲，对所述第一阻抗校准码进行加法处理；在所述第一指示信号处于第二电平状态时，每检测到所述第一计数时钟信号的一个脉冲，对所述第一阻抗校准码进行减法处理；在所述第一指示信号的变化情况符合第一预设条件的情况下，停止输出所述第一计数时钟信号，结束上拉阻抗的校准过程。

23、在一些实施例中，所述阻抗校准电路还包括第二上拉电阻单元和下拉电阻单元，所述第二上拉电阻单元的阻值由所述第一阻抗校准码控制，且所述第二上拉电阻单元和所述下拉电阻单元连接，所述对所述第二阻抗校准码进行调整，以实现下拉阻抗的校准处理，包括：

24、基于所述第二阻抗校准码对所述下拉电阻单元的阻值进行调整，输出第二电压信号；其中，在上拉阻抗校准完成后，所述第二上拉电阻单元的阻值被所述第一阻抗校准码校准为标准阻值；将所述第二电压信号与第二参考信号进行比较，输出第二指示信号；在所述第二指示信号处于第三电平状态时，每检测到第二计数时钟信号的一个脉冲，对所述第二阻抗校准码进行加法处理；在所述第二指示信号处于第四电平状态时，每检测到所述计数时钟信号的一个脉冲，对所述第二阻抗校准码进行减法处理；在所述第二指示信号的变化情况符合第二预设条件的情况下，停止输出所述第二计数时钟信号，结束下拉阻抗的校准过程。

25、在一些实施例中，所述方法还包括：在接收到锁存信号时，对所述第一阻抗校准码和所述第二阻抗校准码进行锁存。

26、第三方面，本公开实施例提供了一种存储器，该存储器包括如第一方面所述的阻抗校准电路。

27、本公开实施例提供了一种阻抗校准电路、阻抗校准方法和存储器，该阻抗校准电路包括参数模块、初始值产生模块和校准模块；其中，参数模块，配置为执行环境检测处理，输出环境参数信号；初始值产生模块，配置为接收环境参数信号，并在接收到校准指令信号时，基于环境参数信号输出初始校准值；校准模块，配置为接收初始校准值，并在接收到校准指令信号时，基于初始校准值进行阻抗校准处理。这样，利用适应于当前工作环境的初始校准值进行阻抗校准处理，能够减少阻抗校准的功耗和时间，提高存储器的性能。