部分块读取电压偏移的制作方法

本公开大体上涉及存储器装置、存储器装置操作，且例如，涉及部分块读取电压偏移。

背景技术：

1、非易失性存储器装置(例如nand存储器装置)可使用电路系统以即使在未供应电源时，也实现数据的电编程、擦除及存储。非易失性存储器装置可被用于各种类型的电子装置(例如计算机、手机或汽车计算系统，以及其它实例)中。

2、非易失性存储器装置可包含存储器单元阵列、页面缓冲器及列解码器。另外，非易失性存储器装置可包含控制逻辑单元(例如，控制器)、行解码器或地址缓冲器，以及其它实例。存储器单元阵列可包含连接到位线的存储器单元串，所述位线在列方向上延伸。

3、非易失性存储器装置的存储器单元(其可被称为“单元”或“数据单元”)可包含在半导体衬底上形成在源极与漏极之间的电流路径。存储器单元可进一步包含在半导体衬底上形成在绝缘层之间的浮动栅极及控制栅极。存储器单元的编程操作(有时被称为写入操作)通常通过将存储器单元的源极及漏极区域以及主体区域的半导体衬底接地，且将高的正电压(其可被称为“编程电压”、“编程电源电压”或“vpp”)施加到控制栅极以在浮动栅极与半导体衬底之间产生费米-诺尔海姆隧穿(被称为“f-n隧穿”)来实现。当发生f-n隧穿时，主体区域的电子通过施加到控制栅极的vpp电场积累在浮动栅极上以增加存储器单元的阈值电压。

4、通过将高的负电压(其可被称为“擦除电压”或“vera”)施加到控制栅极且将经配置电压施加到主体区域以产生f-n隧穿，以共享主体区域的扇区(被称为“块”或“存储器块”)为单位并发地执行存储器单元的擦除操作。在这种情况下，积累在浮动栅极上的电子被释放到源极区中使得存储器单元具有擦除阈值电压分布。

5、每一存储器单元串可具有彼此串联连接的多个浮动栅极型存储器单元。存取线(有时被称为“字线”)在行方向上延伸，且每一存储器单元的控制栅极连接到对应存取线。非易失性存储器装置可包含连接在位线与列解码器之间的多个页面缓冲器。列解码器连接在页面缓冲器与数据线之间。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供一种存储器装置，其包括：存储器；及控制器，其经配置以：接收与所述存储器的块相关联的读取命令；确定与所述块相关联的块类型；基于所述块类型，识别与所述块相关联的读取操作的一或多个读取电压偏移；及基于所述一或多个读取电压偏移来执行所述读取操作。

2、本公开的另一实施例提供一种方法，其包括：由存储器装置的控制器接收与所述存储器装置的存储器的块相关联的读取命令；由所述控制器确定与所述块相关联的块类型是部分块类型；由所述控制器基于与所述块相关联的所述块类型是部分块类型，确定与所述块的字线相关联的字线类型；由所述控制器识别与所述字线相关联的读取操作的一或多个读取电压偏移；及由所述控制器基于所述一或多个读取电压偏移来执行所述读取操作。

3、本公开的又一实施例提供一种存储器装置，其包括：一或多个组件，其经配置以：接收与包含在所述一或多个组件中的存储器的块相关联的读取命令；确定与所述块相关联的块类型；基于所述块类型，识别与所述块相关联的读取操作的一或多个读取电压偏移，其中所述经识别的一或多个读取电压偏移的数量基于存储所述块的所述存储器的存储器单元的存储器单元类型；及基于所述一或多个读取电压偏移来执行所述读取操作。

4、本公开的再一实施例提供一种方法，其包括：由存储器装置的存储器控制器接收与所述存储器装置的存储器的块相关联的读取命令；由所述存储器控制器且基于所述块的经利用字线的百分比，识别与所述字线相关联的读取操作的一或多个读取电压偏移；及由所述存储器控制器基于所述一或多个读取电压偏移来执行所述读取操作。

5、本公开的再一实施例提供一种存储器装置，其包括：存储器；及控制器，其经配置以：接收与所述存储器的块相关联的读取命令；确定与所述块相关联的块类型是部分块类型；基于确定所述块类型是所述部分块类型，确定所述块的第一字线及所述块的第二字线；识别与所述第一字线相关联的第一读取操作的一或多个第一读取电压偏移；识别与所述第二字线相关联的第二读取操作的一或多个第二读取电压偏移；基于所述一或多个第一读取电压偏移来执行所述第一读取操作；及基于所述一或多个第二读取电压偏移来执行所述第二读取操作。

技术特征：

1.一种存储器装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制器经配置以：

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述控制器经配置以：

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制器经配置以：

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述一或多个读取电压偏移基于所述存储器的存储器单元来表征。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制器经配置以：

7.一种方法，其包括：

8.根据权利要求7所述的方法，其中确定与所述块相关联的所述块类型包括：

9.根据权利要求7所述的方法，其中确定与所述字线相关联的所述字线类型包括：

10.根据权利要求9所述的方法，其中识别所述一或多个读取电压偏移包括：

11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：

12.根据权利要求7所述的方法，其中确定与所述字线相关联的所述字线类型包括：

13.一种存储器装置，其包括：

14.根据权利要求13所述的存储器装置，其中相对于单电平单元slc存储器单元类型，三电平单元tlc存储器单元类型的所述经识别的一或多个读取电压偏移的所述数量更大。

15.根据权利要求13所述的存储器装置，其中相对于五电平单元plc存储器单元类型、相对于四电平单元qlc存储器单元类型、相对于三电平单元tlc存储器单元类型、相对于多电平单元mlc类型及相对于单电平单元slc存储器单元类型，六电平单元hlc存储器单元类型的所述经识别的一或多个读取电压偏移的所述数量更大。

16.根据权利要求13所述的存储器装置，其中所述一或多个组件经配置以：

17.根据权利要求16所述的存储器装置，其中所述一或多个组件经配置以：

18.根据权利要求13所述的存储器装置，其中所述一或多个读取电压偏移中的每一者对应于存储所述块的所述存储器的所述存储器单元的相应阈值电压电平。

19.一种方法，其包括：

20.根据权利要求19所述的方法，其中识别所述一或多个读取电压偏移包括：

21.根据权利要求20所述的方法，其中在查找表中识别所述行包括：

22.根据权利要求20所述的方法，其进一步包括：

23.根据权利要求22所述的方法，其中确定所述字线类型包括：

24.根据权利要求22所述的方法，其中确定所述字线类型包括：

25.一种存储器装置，其包括：

26.根据权利要求25所述的存储器装置，其中所述一或多个第一读取电压偏移中的读取电压偏移的组合及所述一或多个第二读取电压偏移中的读取电压偏移的组合是读取电压偏移的不同组合。

27.根据权利要求25所述的存储器装置，其中所述第一字线包含边界字线；

28.根据权利要求27所述的存储器装置，其中所述控制器经配置以：

29.根据权利要求28所述的存储器装置，其中所述控制器经配置以：

30.根据权利要求27所述的存储器装置，其中相对于所述一或多个第二读取电压偏移的量值，所述一或多个第一读取电压偏移的量值更大。

技术总结本申请涉及部分块读取电压偏移。一种存储器装置可包含存储器及控制器。所述控制器可经配置以接收与所述存储器的块相关联的读取命令。所述控制器可经配置以确定与所述块相关联的块类型。所述控制器可经配置以基于所述块类型，识别与所述块相关联的读取操作的一或多个读取电压偏移。所述控制器可经配置以基于所述一或多个读取电压偏移来执行所述读取操作。技术研发人员：许中广,郎慕蓉,周振明,U·鲁索,N·里盖蒂,N·乔基尼受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/3/4