用于损坏行模式的设备及方法与流程

背景技术：

1、本公开大体上涉及半导体装置，且更明确来说，涉及半导体存储器装置。特定来说，本公开涉及存储器，例如动态随机存取存储器(dram)。信息可存储于存储器单元中，所述存储器单元可组织成行(字线)及列(位线)。在存储器装置的制造及使用的各个点，一或多个存储器单元可能失效(例如，变得无法存储信息、无法由存储器装置存取等)且可需要修复。

2、存储器装置可在逐行基础上执行修复操作。可识别含有失效存储器单元的行(其可被称为缺陷行、损坏行或故障行)。存储器装置可含有可用于修复操作中的额外存储器行(其也可被称为冗余行)。在修复操作期间，与缺陷行相关联的地址可经重定向，使得所述地址代替性地指向冗余行。可期望在不依靠包含实际失效行的存储器的情况下测试存储器检测及修复缺陷行的能力。

技术实现思路

1、在至少一个方面中，本公开涉及一种方法，其包含：使存储器进入损坏行模式；停用所述存储器的选定行；对所述选定行执行封装后修复(ppr)操作；及测试所述选定行。

2、停用所述选定行可包含：阻止激活命令、列命令，改变从所述选定行读取的数据，或其组合。所述方法可包含确定所述选定行先前是否已被修复，且如果所述选定行先前已被修复那么不停用所述选定行。所述方法可包含将与所述选定行相关联的地址存储于所述存储器的熔丝阵列中。所述方法可包含将与所述选定行相关联的地址存储于所述存储器的软ppr(sppr)锁存器中。

3、所述ppr操作可包含改变一或多个熔丝的状态以将与所述选定行相关联的地址重映射到所述存储器的冗余行。所述方法可包含将测试数据写入到所述存储器、从所述存储器读取经读取数据；比较所述经读取数据与所述测试数据以识别所述选定行及对所述经识别选定行执行所述ppr操作。所述方法还可包含使所述存储器从所述损坏行模式退出，其中所述选定行仅在所述存储器处于所述损坏行模式时被停用。

4、在至少一个方面中，本公开涉及一种设备，其包含存储器阵列及停用控制电路。所述存储器阵列包含多个字线，所述多个字线各自与多个行地址中的一者相关联。所述停用控制电路接收行地址、比较所述经接收行地址与选定行地址及以有效电平提供扼杀信号。响应于所述扼杀信号处于所述有效电平，对与所述选定地址相关联的所述多个字线中的选定者的存取操作失败。

5、所述设备还可包含将多个经修复地址重映射到多个冗余字线中的相应者的修复电路。如果所述选定行地址与所述多个经修复地址中的一者相匹配，那么可不以有效电平提供所述扼杀信号。所述停用控制电路可将所述选定地址存储于软ppr锁存器中。所述选定行地址可存储于熔丝阵列及冗余行解码器中。仅当所述经接收行地址与所述选定行地址相匹配且损坏行模式启用信号有效时才可以所述有效电平提供所述扼杀信号。

6、在至少一个方面中，本公开涉及一种系统，其包含存储器及控制器。所述存储器包含在所述存储器处于损坏行模式时防止对与选定地址相关联的字线的读取操作的停用控制电路。所述控制器包含：修复测试电路，其使所述存储器进入所述损坏行模式；及损坏行识别电路，其经配置以测试所述存储器以识别所述选定地址且对所述选定地址执行封装后修复(ppr)操作。

7、所述存储器还可包含将多个经修复地址重映射到多个冗余字线中的相应者的修复电路。在所述ppr操作之后，所述选定地址可为所述多个经修复地址中的一者。所述停用控制电路可在所述选定地址是所述多个经修复地址中的一者的情况下，不防止对与所述选定地址相关联的所述字线的读取操作。

8、所述修复测试电路可提供所述选定地址。所述修复测试电路可通过提供多用途命令，将值写入到所述存储器的模式寄存器，改变所述存储器的熔丝设置或其组合而使所述存储器进入所述损坏行模式。所述存储器可将所述选定地址存储于软ppr锁存器中。所述存储器可将所述选定地址存储于熔丝阵列中。

技术特征：

1.一种方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中停用所述选定行包含：阻止激活命令、列命令，改变从所述选定行读取的数据，或其组合。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括确定所述选定行先前是否已被修复，且如果所述选定行先前已被修复那么不停用所述选定行。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括将与所述选定行相关联的地址存储于所述存储器的熔丝阵列中。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括将与所述选定行相关联的地址存储于所述存储器的软ppr(sppr)锁存器中。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述ppr操作包含改变一或多个熔丝的状态以将与所述选定行相关联的地址重映射到所述存储器的冗余行。

7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括使所述存储器从所述损坏行模式退出，其中所述选定行仅在所述存储器处于所述损坏行模式时被停用。

9.一种设备，其包括：

10.根据权利要求9所述的设备，其进一步包括经配置以将多个经修复地址重映射到多个冗余字线中的相应者的修复电路。

11.根据权利要求10所述的设备，其中如果所述选定行地址与所述多个经修复地址中的一者相匹配，那么不以有效电平提供所述扼杀信号。

12.根据权利要求9所述的设备，其中所述停用控制电路将所述选定地址存储于软ppr锁存器中。

13.根据权利要求9所述的设备，其中所述选定行地址存储于熔丝阵列及冗余行解码器中。

14.根据权利要求9所述的设备，其中仅当所述经接收行地址与所述选定行地址相匹配且损坏行模式启用信号有效时才以所述有效电平提供所述扼杀信号。

15.一种系统，其包括：

16.根据权利要求15所述的系统，其中所述存储器进一步包括经配置以将多个经修复地址重映射到多个冗余字线中的相应者的修复电路，其中在所述ppr操作之后，所述选定地址是所述多个经修复地址中的一者。

17.根据权利要求16所述的系统，其中所述停用控制电路经配置以在所述选定地址是所述多个经修复地址中的一者的情况下，不防止对与所述选定地址相关联的所述字线的读取操作。

18.根据权利要求15所述的系统，其中所述修复测试电路经配置以提供所述选定地址。

19.根据权利要求15所述的系统，其中所述修复测试电路经配置以通过提供多用途命令，将值写入到所述存储器的模式寄存器，改变所述存储器的熔丝设置或其组合而使所述存储器进入所述损坏行模式。

20.根据权利要求15所述的系统，其中所述存储器经配置以将所述选定地址存储于软ppr锁存器中。

21.根据权利要求15所述的系统，其中所述存储器经配置以将所述选定地址存储于熔丝阵列中。

技术总结本公开的实施例涉及用于损坏行模式的设备及方法。作为损坏行模式的部分，存储器可防止对所述存储器的选定损坏行执行适当存取操作(例如，读取操作)。例如，所述存储器可存储损坏行地址，且当存取地址与所述损坏行地址相匹配时，可抑制一或多个信号，改变从所述地址读取的数据，或其组合。所述损坏行模式可用于提供对于对所述存储器的封装后修复(PPR)操作的积极控制。控制器可使所述存储器进入损坏行模式，且接着测试所述存储器以确定是否可经由PPR定位及修复所述选定损坏行。技术研发人员：J·莱利,S·史密斯,克里斯蒂安·默尔,G·霍韦,J·阿尔茨海默,藤原敬典,S·艾亚普利迪,R·鲁尼受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/5/12