存储装置以及用于在存储装置上执行高速缓存编程的方法与流程

本公开内容涉及存储装置以及用于在存储装置上执行高速缓存编程的方法。

背景技术：

1、当存储装置，例如nand闪存装置执行编程操作时，编程命令用于指示存储装置执行编程操作。之后，使用编程命令中指定的地址将数据写入相应行和列中的存储单元。存储装置可以采用高速缓存存储器，以便在执行编程操作之前可以将数据临时存储在那里。

技术实现思路

1、在一方面，一种用于对存储装置进行编程的方法，包括：对第一编程数据进行高速缓存并准备第一编程信息；使用所述第一编程数据和所述第一编程信息执行第一编程操作；在所述第一编程操作期间，将第二编程数据高速缓存在第一高速缓存锁存器中并准备第二编程信息；以及在完成所述第一编程操作之后，使用所述第二编程数据和所述第二编程信息执行第二编程操作。

2、在一些实施方式中，所述第一编程操作包括：执行第一预编程操作，执行第一单元编程操作，以及执行第一编程恢复操作。所述第二编程操作包括执行第二预编程操作、执行第二单元编程操作，以及执行第二编程恢复操作。所述第一预编程操作包括第一预充电操作和第一沟道升压操作。所述第一单元编程操作包括：将第一编程电压施加到第一字线。所述第一预编程操作包括第二预充电操作和第二沟道升压操作。所述第二单元编程操作包括：将第二编程电压施加到第二字线。

3、在一些实施方式中，执行所述第一预编程操作包括：在所述第一预充电操作期间将第一预充电电压施加到所述存储装置的存储串的字线。

4、在一些实施方式中，准备所述第一编程信息还包括：确定所述第一单元编程操作的第一编程电压、第一通过电压和第一偏置电压，以及确定所述第一预充电操作的第一预充电电压。准备第二编程信息还包括：确定所述第二单元编程操作的第二编程电压、第二通过电压和第二偏置电压，以及确定所述第二预充电操作的第二预充电电压。

5、在一些实施方式中，当所述存储装置中的存储单元包括单级单元(slc)时，执行所述第一编程操作指示将第一编程电压施加到与所述存储装置的第一页的存储单元相对应的所述第一字线，并且执行所述第二编程操作指示将第二编程电压施加到与所述存储装置的第二页的存储单元相对应的所述第二字线。

6、在一些实施方式中，当所述存储装置中的所述存储单元包括所述slc时，所述方法还包括：当对耦合到相同字线的存储单元执行所述第二编程操作和所述第一编程操作时，在所述第一单元编程操作期间将所述第一编程电压施加到耦合到所述相同字线的所述存储单元上，以及在第二单元编程操作期间将所述第二编程电压施加到耦合到所述相同字线的所述存储单元上。所述第一编程电压与所述第二编程电压相同。

7、在一些实施方式中，当对耦合到相同字线的存储单元执行所述第二编程操作和所述第一编程操作时，所述方法还包括：确定在所述第一编程操作期间施加的第一温度补偿参数与在所述第二编程操作期间施加的第二温度补偿参数相同。

8、在一些实施方式中，所述第一编程电压是根据所述第一温度补偿参数调整的，并且所述第二编程电压是根据所述第二温度补偿参数调整的。

9、在一些实施方式中，当所述存储装置中的所述存储单元包括所述slc时，将所述存储装置的字线划分为多组字线，并且所述方法还包括：当对耦合到相同组字线的存储单元执行所述第二编程操作和所述第一编程操作时，确定在所述第一单元编程操作期间对耦合到所述相同组字线的所述存储单元施加的所述第一编程电压与在所述第二单元编程操作期间对耦合到所述相同组字线的所述存储单元施加的所述第二编程电压相同。

10、在一些实施方式中，当对所述相同组字线执行所述第二编程操作和所述第一编程操作时，所述方法还包括：确定在所述第一编程操作期间施加的第一温度补偿参数与在所述第二编程操作期间施加的第二温度补偿参数相同。

11、在一些实施方式中，所述方法还包括：确定所述第一编程操作是否是最后编程操作；以及当所述第一编程操作不是最后编程操作时，将所述第二编程数据高速缓存在所述第一高速缓存锁存器中。

12、在一些实施方式中，开始执行所述第一编程操作触发将所述第二编程数据高速缓存在所述第一高速缓存锁存器中。

13、在一些实施方式中，将所述第二编程数据高速缓存在所述第一高速缓存锁存器中并准备所述第二编程信息是在所述第一编程恢复操作完成之前。

14、在一些实施方式中，所述方法还包括：在所述第一编程操作期间，在将所述第二编程数据高速缓存在第二高速缓存锁存器中之后，将第三编程数据高速缓存在所述第二高速缓存锁存器中并准备第三编程信息。

15、在一些实施方式中，将所述第三编程数据高速缓存在所述第二高速缓存锁存器中并准备所述第三编程信息是在所述第一编程恢复操作完成之前。

16、在一些实施方式中，所述方法还包括：当所述第一编程操作完成时，在执行所述第二编程操作之前更新字线地址信息。

17、在另一方面，一种存储装置包括：包括存储单元的存储单元阵列、耦合到所述存储单元阵列的页缓冲器、以及耦合到所述存储单元阵列的控制逻辑。所述控制逻辑被配置为：将第一编程数据高速缓存在所述页缓冲器中；使用所述第一编程数据执行第一编程操作；在所述第一编程操作期间，将第二编程数据高速缓存在所述页缓冲器中；以及在所述第一编程操作完成后，使用所述第二编程数据执行第二编程操作。

18、在一些实施方式中，为了执行所述第一编程操作，所述控制逻辑还被配置为：执行第一预编程操作、执行第一单元编程操作，以及执行第一编程恢复操作。为了执行所述第二编程操作，所述控制逻辑还被配置为：执行第二预编程操作、执行第二单元编程操作，以及执行第二编程恢复操作。执行所述第一预编程操作包括：执行第一预充电操作以及执行第一沟道升压操作。执行所述第一单元编程操作包括：命令(instruct)字线驱动器将第一编程电压施加到第一字线。执行所述第二预编程操作包括：执行第二预充电操作以及执行第二沟道升压操作。执行所述第二单元编程操作包括：命令所述字线驱动器将第二编程电压施加到第二字线。

19、在一些实施方式中，执行所述第一预充电程操作包括：命令所述字线驱动器在所述第一预充电操作期间将第一预充电电压施加到所述存储单元阵列的存储串的字线。

20、在一些实施方式中，当所述存储装置中的存储单元包括单级单元(slc)时，执行所述第一单元编程操作指示将所述第一编程电压施加到与所述存储装置的第一页的存储单元相对应的所述第一字线，并且执行所述第二单元编程操作指示将第二编程电压施加到与所述存储装置的第二页的存储单元相对应的所述第二字线。

21、在一些实施方式中，当所述存储装置中的所述存储单元包括所述slc时，所述控制逻辑还被配置为：当所述第二编程操作和所述第一编程操作是对相同字线执行时，确定所述第一编程电压与所述第二编程电压相同。

22、在一些实施方式中，所述控制逻辑还被配置为：确定所述第一编程操作是否是最后编程操作；以及当所述第一编程操作不是最后编程操作时，在执行所述第一编程操作后将所述第二编程数据高速缓存在所述页缓冲器中。

23、在一些实施方式中，所述控制逻辑还被配置为：在开始执行所述第一编程操作之后，将所述第二编程数据高速缓存在所述页缓冲器中。

24、在一些实施方式中，所述控制逻辑还被配置为：在所述第一编程恢复操作完成之前，将所述第二编程数据高速缓存在所述页缓冲器中。

25、在一些实施方式中，所述控制逻辑还被配置为：在所述第一编程操作期间，将所述第二编程数据高速缓存在第二高速缓存锁存器中之后将第三编程数据高速缓存在所述第二高速缓存锁存器中。

26、在一些实施方式中，所述控制逻辑还被配置为：当所述第一编程操作完成时，在执行所述第二编程操作之前更新字线地址信息。

27、在又一方面，一种系统包括存储装置，以及耦合到所述存储装置的存储器控制器。所述存储装置包括：存储单元阵列，该存储单元阵列包括存储单元、耦合到所述存储单元阵列的页缓冲器、以及耦合到所述存储单元阵列的控制逻辑。控制逻辑被配置为：将第一编程数据高速缓存在所述页缓冲器中；使用所述第一编程数据执行第一编程操作；在所述第一编程操作期间，将第二编程数据高速缓存在所述页缓冲器中；以及在所述第一编程操作完成后，使用所述第二编程数据执行第二编程操作。