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图像传感器电路的制作方法

  • 国知局
  • 2024-08-02 14:17:24

本公开涉及图像传感器电路。

背景技术:

1、日本专利第4470700号公报公开了一种cmos图像传感器。在该cmos图像传感器中,n位像素数据被保持在列ad电路的n位锁存器中,并且经由n条水平信号线输入到输出电路(第0012,0015,0036段)。

技术实现思路

1、在日本专利第4470700号公报中公开的cmos图像传感器中,n条水平信号线占据较大面积。

2、在为了提高cmos图像传感器的帧速率而将水平信号线并行化的情况下,上述问题变得更加显著。

3、本公开的一方面鉴于上述问题而完成。本公开的一方面的目的在于,提供例如以高速运作且仅占据小面积的图像传感器电路。

4、本公开的一方面的图像传感器电路,具有多个列模拟/数字转换电路,所述多个列模拟/数字转换电路中包含的各列模拟/数字转换电路包括:第1至第n存储元件,所述第1至第n存储元件分别存储构成模拟/数字转换数据的第1至第n比特数据,所述模拟/数字转换数据是通过对由像素输出的模拟信号进行模拟/数字转换得到的,所述n是2以上的整数;第1至第n-1传送路径,其从所述第1至第n-1存储元件向第2至第n存储元件分别传送存储于所述第1至第n-1存储元件中的比特数据;以及第n传送路径,从第n存储元件向各所述列模拟/数字转换电路的外部传送存储于所述第n存储元件的比特数据。

技术特征:

1.一种图像传感器电路,其特征在于,

2.根据权利要求1所述的图像传感器电路,其特征在于,包含在所述第1至第n存储元件中的各存储元件是锁存电路。

3.根据权利要求1或2所述的图像传感器电路,其特征在于,

4.根据权利要求1或2所述的图像传感器电路,其特征在于,还包括控制器,其控制第1至第n传送路径,使得在所述各列模拟/数字转换电路上进行从所述第n存储元件输出所述第1至第n比特数据的传送动作,并使所述多个列模拟/数字转换电路所包含的2个以上的列模拟/数字转换电路上同时进行所述传送动作。

5.根据权利要求1或2所述的图像传感器电路,其特征在于,还包括移位寄存器电路,其串行输入所述第1至第n比特数据,且并行输出所述第1至第n比特数据。

6.根据权利要求5所述的图像传感器电路,其特征在于,还包括多路复用电路,其从所述多个列模/数转换电路中包含的2个以上列模拟/数字转换电路的每一个串行输入所述第1至第n比特数据,

7.根据权利要求1或2所述的图像传感器电路,其特征在于,

8.根据权利要求1或2所述的图像传感器电路,其特征在于,

9.根据权利要求1或2所述的图像传感器电路,其特征在于,

10.根据权利要求1或2所述的图像传感器电路,其特征在于,

技术总结提供高速地动作、仅占据小面积的图像传感器电路。一种图像传感器电路具有多个列模拟/数字转换电路,所述多个列模拟/数字转换电路中包含的各列模拟/数字转换电路包括:第1至第n存储元件,所述第1至第n存储元件分别存储构成模拟/数字转换数据的第1至第n比特数据,所述模拟/数字转换数据是通过对由像素输出的模拟信号进行模拟/数字转换得到的,所述n是2以上的整数;第1至第n‑1传送路径,其从所述第1至第n‑1存储元件向第2至第n存储元件分别传送存储于所述第1至第n‑1存储元件中的比特数据;以及第n传送路径,从第n存储元件向各所述列模拟/数字转换电路的外部传送存储于所述第n存储元件的比特数据。技术研发人员:森川佳直,牛永健雄受保护的技术使用者:夏普半导体创新株式会社技术研发日:技术公布日:2024/7/23

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