基片处理方法和基片处理装置与流程

本发明涉及基片处理方法和基片处理装置。

背景技术：

1、专利文献1公开了通过与各颜色成分对应的图案绘制成膜来形成各有机el元件的技术。在专利文献1中，图案绘制成膜，使用形成为平板状的由铁等铁磁体构成的金属掩模进行。

2、专利文献2公开的有机el显示器的制造方法包括如下工序：在形成于绝缘基片的上方的包括第1像素电极和第2像素电极的电极阵列的上方，沉积包含主体材料和掺杂材料的混合物在内的第1电致发光性有机材料，作为在包括电极阵列的显示区域扩展的连续膜形成第1发光层。此外，该制造方法包括如下工序：不对第1发光层中的位于第1像素电极的上方的部分照射紫外光，而对第1发光层中的位于第2像素电极的上方的部分照射紫外光。进一步，该制造方法包括：在第1发光层上沉积包含主体材料和掺杂材料的混合物且与第1电致发光性有机材料不同的第2电致发光性有机材料，作为在显示区域扩展的连续膜形成第2发光层的工序；和在第2发光层的上方形成相对电极的工序。

3、专利文献3公开了用于有机发光二极管(oled:organic light-emitting diode)显示器的器件的形成方法。上述器件包括多个子像素，多个子像素的各个子像素，由相邻的pdl(pixel-defining layer：像素定义层)结构界定，在pdl结构上形成有悬挂(overhang)结构，子像素具有阳极、沉积于阳极上的oled材料、和沉积于oled材料上的阴极。通过包括沉积oled材料和阴极的工序、以及形成在阴极上沉积的密封化层的工序在内的处理，制作上述器件。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特开2003-157973号公报

7、专利文献2：日本特开2012-160473号公报

8、专利文献3：美国专利申请公开2022-77257号公报

技术实现思路

1、发明要解决的技术问题

2、本发明的技术，不使用精细金属掩模而适当地形成由有机材料构成的发光层。

3、用于解决技术问题的技术方案

4、本发明的一个方式提供一种基片处理方法，其包括：工序a，准备在基片表面上形成有多个电极排列而成的电极阵列的基片；工序b，以覆盖整个上述电极阵列的方式形成特定种类的发光层；工序c，形成包含第1无机绝缘膜的暂时密封膜，其中，上述第1无机绝缘膜覆盖整个上述发光层；工序d，在上述暂时密封膜上形成第1掩模；工序e，使用上述第1掩模形成层叠体阵列，其中，上述层叠体阵列仅在对应于上述特定种类的上述电极上形成有上述暂时密封膜和上述发光层层叠而成的层叠体；工序f，之后，以覆盖整个上述层叠体阵列的方式形成第2无机绝缘膜；工序g，在上述第2无机绝缘膜上形成第2掩模；以及工序h，使用上述第2掩模，以上述层叠体阵列不露出的方式除去对应于上述特定种类的上述电极以外的上述电极所对应的部分的上述第2无机绝缘膜，对多个种类的上述发光层分别进行上述工序b～上述工序h。

5、发明效果

6、依照本发明，能够不使用精细金属掩模而适当地形成由有机材料构成的发光层。

技术特征：

1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：

3.如权利要求2所述的基片处理方法，其特征在于：

4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

5.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

6.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

7.如权利要求6所述的基片处理方法，其特征在于：

8.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

9.一种处理基片的基片处理装置，其特征在于：

技术总结本发明提供不使用精细金属掩模而适当地形成由有机材料构成的发光层的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括：工序A，准备在基片表面上形成有的电极阵列的基片；工序B，覆盖整个电极阵列地形成特定种类的发光层；工序C，形成包含覆盖整个发光层的第1无机绝缘膜的暂时密封膜；工序D，在暂时密封膜上形成第1掩模；工序E，使用第1掩模形成仅在对应于特定种类的电极上形成有层叠体的层叠体阵列；工序F，之后，覆盖整个层叠体阵列地形成第2无机绝缘膜；工序G，在第2无机绝缘膜上形成第2掩模；工序H，使用第2掩模，层叠体阵列不露出地除去对应于特定种类的电极以外的电极所对应的部分的第2无机绝缘膜，对多个种类的发光层分别进行工序B～工序H。技术研发人员：里吉务,神户乔史,佐藤晋也受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社技术研发日：技术公布日：2024/7/15