功率放大器的制作方法

本公开涉及一种功率放大器。

背景技术：

1、无线通信系统根据通信标准的演进使用各种数字调制方法。常规的码分多址(cdma)通信系统采用正交相移键控(qpsk)方法，并且根据各种ieee通信标准的无线局域网(lan)采用正交频分复用(ofdm)方法。另外，作为近期的3gpp标准的长期演进(lte)和高级lte(lte+)采用qpsk、正交幅度调制(qam)和ofdm方法。这些无线通信标准采用线性调制方法，该线性调制方法要求在传输期间保持传输信号的幅度或相位。

2、在无线通信系统中使用的传输装置包括对输入射频(rf)信号进行放大以增加传输距离的功率放大器。在功率放大器中，由于内部因素或外部因素，不期望的低频rf信号可能被输入到功率放大器。例如，低频噪声和共模信号可被输入到功率放大器。不期望的低频rf信号的输入可能导致功率放大器振荡，因此需要减少不期望的低频rf信号的输入。

3、在该背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对本申请的公开内容的背景技术的理解，因此其可包含不构成本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、提供本技术实现要素：以按照简化的形式对选择的构思进行介绍，下面在具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容既不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。

2、在一个总体方面，一种被配置为放大输入射频(rf)信号的功率放大器包括：第一功率晶体管，包括输入端子；第一电容器，具有连接到所述第一功率晶体管的所述输入端子的第一端；以及电阻器，具有连接到所述第一电容器的第二端的第一端和连接到地的第二端，其中，所述输入rf信号被输入到所述第一电容器的所述第二端和所述电阻器的所述第一端。

3、包括在所述输入rf信号中的低频信号可通过所述电阻器被旁路到所述地。

4、所述低频信号可包括低频噪声信号和共模信号中的一者或两者。

5、所述输入rf信号可通过所述第一电容器被输入到所述第一功率晶体管的所述输入端子。

6、所述功率放大器还可包括偏置电路，所述偏置电路被配置为向所述第一功率晶体管的所述输入端子供应偏置电流。

7、所述功率放大器还可包括：第二功率晶体管，包括输入端子和连接到所述第一功率晶体管的输出端子的输出端子；以及第二电容器，连接在所述电阻器的所述第一端与所述第二功率晶体管的所述输入端子之间。

8、所述输入rf信号可通过所述第一电容器被输入到所述第一功率晶体管的所述输入端子，并且可通过所述第二电容器被输入到所述第二功率晶体管的所述输入端子。

9、所述功率放大器还可包括：第一偏置电路，被配置为将第一偏置电流供应到所述第一功率晶体管的所述输入端子；以及第二偏置电路，被配置为将第二偏置电流供应到所述第二功率晶体管的所述输入端子。

10、在另一总体方面，一种功率放大器包括：第一功率晶体管，包括输入端子；第二功率晶体管，包括输入端子；第一电容器，具有连接到所述第一功率晶体管的所述输入端子的第一端；第一电阻器，具有连接到所述第一电容器的第二端的第一端和连接到地的第二端；第二电容器，具有连接到所述第二功率晶体管的所述输入端子的第一端；以及第二电阻器，具有连接到所述第二电容器的第二端的第一端和连接到所述地的第二端。

11、所述功率放大器还可包括输入变压器，所述输入变压器被配置为将输入射频(rf)信号转换为第一差分信号和第二差分信号，其中，所述第一差分信号可被输入到所述第一电容器的所述第二端和所述第一电阻器的所述第一端，并且所述第二差分信号可被输入到所述第二电容器的所述第二端和所述第二电阻器的所述第一端。

12、包括在所述第一差分信号中的低频信号可通过所述第一电阻器被旁路到所述地，并且包括在所述第二差分信号中的低频信号可通过所述第二电阻器被旁路到所述地。

13、包括在所述第一差分信号中的所述低频信号和包括在所述第二差分信号中的所述低频信号可分别包括低频噪声信号和共模信号中的一者或两者。

14、所述第一差分信号可通过所述第一电容器被输入到所述第一功率晶体管的所述输入端子，并且所述第二差分信号可通过所述第二电容器被输入到所述第二功率晶体管的所述输入端子。

15、所述功率放大器还可包括输出变压器，所述输出变压器被配置为将所述第一功率晶体管的输出信号与所述第二功率晶体管的输出信号组合。

16、在另一总体方面，一种功率放大器包括：第一功率晶体管，被配置为放大输入射频(rf)信号以产生第一放大输出rf信号，并且包括被配置为接收所述输入rf信号的第一输入端子和被配置为输出所述第一放大输出rf信号的第一输出端子；第一元件，具有随着频率增大而减小的阻抗值，并且具有连接到所述第一功率晶体管的所述第一输入端子的第一端；以及第二元件，具有不根据频率改变的阻抗值，并且具有连接到所述第一元件的第二端的第一端和连接到地的第二端。

17、所述输入rf信号中包括的低频信号可通过所述第二元件被旁路到所述地。

18、所述低频信号可包括低频噪声信号和共模信号中的一者或两者。

19、所述输入rf信号可通过所述第一元件被输入到所述第一功率晶体管的所述第一输入端子。

20、所述功率放大器还可包括偏置电路，所述偏置电路被配置为向所述第一功率晶体管的所述第一输入端子供应偏置电流。

21、所述功率放大器还可包括：第二功率晶体管，被配置为放大所述输入rf信号以产生第二放大输出rf信号，并且包括被配置为接收所述输入rf信号的第二输入端子以及被配置为输出所述第二放大输出rf信号并连接到所述第一功率晶体管的所述第一输出端子的第二输出端子；以及第三元件，具有随着频率增大而减小的阻抗值，并且具有连接到所述第二功率晶体管的所述第二输入端子的第一端以及连接到所述第一元件的所述第二端和所述第二元件的所述第一端的第二端。

22、通过以下具体实施方式和附图，其他特征和方面将是易于理解的。

技术特征：

1.一种功率放大器，被配置为放大输入射频信号，所述功率放大器包括：

2.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，包括在所述输入射频信号中的低频信号通过所述电阻器被旁路到所述地。

3.根据权利要求2所述的功率放大器，其中，所述低频信号包括低频噪声信号和共模信号中的一者或两者。

4.根据权利要求2所述的功率放大器，其中，所述输入射频信号通过所述第一电容器被输入到所述第一功率晶体管的所述输入端子。

5.根据权利要求1所述的功率放大器，所述功率放大器还包括偏置电路，所述偏置电路被配置为向所述第一功率晶体管的所述输入端子供应偏置电流。

6.根据权利要求1所述的功率放大器，所述功率放大器还包括：

7.根据权利要求6所述的功率放大器，其中，所述输入射频信号通过所述第一电容器被输入到所述第一功率晶体管的所述输入端子，并且通过所述第二电容器被输入到所述第二功率晶体管的所述输入端子。

8.根据权利要求6所述的功率放大器，所述功率放大器还包括：

9.一种功率放大器，包括：

10.根据权利要求9所述的功率放大器，所述功率放大器还包括输入变压器，所述输入变压器被配置为将输入射频信号转换为第一差分信号和第二差分信号，

11.根据权利要求10所述的功率放大器，其中，包括在所述第一差分信号中的低频信号通过所述第一电阻器被旁路到所述地，并且包括在所述第二差分信号中的低频信号通过所述第二电阻器被旁路到所述地。

12.根据权利要求11所述的功率放大器，其中，包括在所述第一差分信号中的所述低频信号和包括在所述第二差分信号中的所述低频信号分别包括低频噪声信号和共模信号中的一者或两者。

13.根据权利要求11所述的功率放大器，其中，所述第一差分信号通过所述第一电容器被输入到所述第一功率晶体管的所述输入端子，并且所述第二差分信号通过所述第二电容器被输入到所述第二功率晶体管的所述输入端子。

14.根据权利要求10所述的功率放大器，所述功率放大器还包括输出变压器，所述输出变压器被配置为将所述第一功率晶体管的输出信号与所述第二功率晶体管的输出信号组合。

15.一种功率放大器，包括：

16.根据权利要求15所述的功率放大器，其中，所述输入射频信号中包括的低频信号通过所述第二元件被旁路到所述地。

17.根据权利要求16所述的功率放大器，其中，所述低频信号包括低频噪声信号和共模信号中的一者或两者。

18.根据权利要求16所述的功率放大器，其中，所述输入射频信号通过所述第一元件被输入到所述第一功率晶体管的所述第一输入端子。

19.根据权利要求15所述的功率放大器，所述功率放大器还包括偏置电路，所述偏置电路被配置为向所述第一功率晶体管的所述第一输入端子供应偏置电流。

20.根据权利要求15所述的功率放大器，所述功率放大器还包括：

技术总结本公开提供一种功率放大器，被配置为放大输入射频(RF)信号的所述功率放大器包括：第一功率晶体管，包括输入端子；第一电容器，具有连接到所述第一功率晶体管的所述输入端子的第一端；以及电阻器，具有连接到所述第一电容器的第二端的第一端和连接到地的第二端。所述输入RF信号被输入到所述第一电容器的所述第二端和所述电阻器的所述第一端。技术研发人员：崔圭珍,表昇彻,洪敬憙,李建龙,韩秀沇,利波良幸受保护的技术使用者：三星电机株式会社技术研发日：技术公布日：2024/7/23