压电振动器件及压电振动器件的频率调整方法与流程

本发明涉及一种压电振动器件及压电振动器件的频率调整方法。

背景技术：

1、以往，晶体谐振器等压电振动器件的制造工序中包含有频率调整工序，通过该频率调整工序，晶体谐振器的频率被调整到规定的目标频率范围内(例如，参照专利文献1)。

2、在用密封构件将晶体振动片的振动部密封之后实施频率调整工序的情况下，要从晶体谐振器的外部照射激光等光束。在此情况下，如果光束的输出功率太大，则振动部的激励电极有可能被损坏。另外，在晶体谐振器的内部空间中有可能产生飞散物、气体。

3、【专利文献1】：日本专利第5762811号公报

技术实现思路

1、鉴于上述情况，本发明的目的在于：提供一种在用密封构件将压电振动片的振动部密封之后也能使压电振动器件的特性不降低地容易地进行频率调整的压电振动器件及其频率调整方法。

2、为了解决上述技术问题，作为本发明的第一形态的压电振动器件是形成有激励电极的振动部由密封构件气密密封的压电振动器件，其特征在于：在所述密封构件的与所述激励电极相向的主面上，形成有由基底金属层和层叠在其上的金属层构成的频率调整用金属膜，所述基底金属层的熔化温度高于所述金属层的熔化温度，所述基底金属层与所述金属层之间的熔化温度差在1500k以上。

3、另外，为了解决上述技术问题，作为本发明的第二形态的压电振动器件是形成有激励电极的振动部由密封构件气密密封的压电振动器件，其特征在于：在所述密封构件的与所述激励电极相向的主面上，形成有由基底金属层和层叠在其上的金属层构成的频率调整用金属膜，所述金属层的材料选自au(金)、ag(银)、及al(铝)所组成的群；所述基底金属层的材料选自w(钨)、mo(钼)、ta(钽)、及re(铼)所组成的群。

4、另外，为了解决上述技术问题，作为本发明的第三形态的压电振动器件的频率调整方法是形成有激励电极的振动部由密封构件气密密封的压电振动器件的频率调整方法，其特征在于：所述压电振动器件是上述记载的压电振动器件，从所述密封构件的外部对所述频率调整用金属膜照射光束，通过使所述光束透射到所述密封构件的内部将所述基底金属层加热，而使所述金属层的至少一部分熔化而蒸发并附着在所述激励电极上，来进行频率调整。

5、基于上述结构，通过使基底金属层上侧的金属层熔化而蒸发，并使蒸发后的金属附着在激励电极上，能够增加激励电极的质量，使频率向低侧移动。此时，由于基底金属层的熔化温度充分高于金属层的熔化温度，所以能够确保仅使金属层熔化并蒸发。由此，即便在用密封构件将振动部密封之后，也不会使压电振动器件的特性显著下降地进行频率调整。

6、＜发明的效果＞

7、本发明的压电振动器件及压电振动器件的频率调整方法通过使基底金属层上层的金属层熔化而蒸发，并使蒸发后的金属附着在激励电极上，即便在将振动部密封之后，也能够进行压电振动器件的频率调整。此时，由于基底金属层的熔化温度充分高于金属层的熔化温度，所以能够确保仅使金属层熔化而蒸发。

技术特征：

1.一种压电振动器件，是形成有激励电极的振动部由密封构件气密密封的压电振动器件，其特征在于：

2.一种压电振动器件，是形成有激励电极的振动部由密封构件气密密封的压电振动器件，其特征在于：

3.如权利要求1或2所述的压电振动器件，其特征在于：

4.如权利要求3所述的压电振动器件，其特征在于：

5.如权利要求1或2所述的压电振动器件，其特征在于：

6.一种压电振动器件的频率调整方法，该压电振动器件是形成有激励电极的振动部由密封构件气密密封的压电振动器件，其特征在于：

7.如权利要求6所述的压电振动器件的频率调整方法，其特征在于：

8.如权利要求7所述的压电振动器件的频率调整方法，其特征在于：

9.如权利要求7或8所述的压电振动器件的频率调整方法，其特征在于：

10.如权利要求9所述的压电振动器件的频率调整方法，其特征在于：

11.如权利要求9或10所述的压电振动器件的频率调整方法，其特征在于：

12.如权利要求6所述的压电振动器件的频率调整方法，其特征在于：

13.如权利要求12所述的压电振动器件的频率调整方法，其特征在于：所述屏蔽膜的所述开口部的开口宽度小于所述光束的照射直径。

14.如权利要求12或13所述的压电振动器件的频率调整方法，其特征在于：

15.如权利要求12至14中的任一项所述的压电振动器件的频率调整方法，其特征在于：

16.如权利要求12至15中的任一项所述的压电振动器件的频率调整方法，其特征在于：

技术总结晶体谐振器(100)的频率调整方法中，在第二密封构件(30)的与第二激励电极(112)相向的第一主面(301)上，形成有由基底金属层(36a)和在其上层叠的金属层(36b)构成的频率调整用金属膜(36)，第二密封构件(30)由水晶构成。从第二密封构件(30)的外部对频率调整用金属膜(36)照射激光，通过使激光透射到第二密封构件(30)的内部将基底金属层(36a)加热，而使金属层(36b)的至少一部分熔化而蒸发并附着在第二激励电极(112)上，来进行频率调整。此时，基底金属层(36a)的熔化温度高于金属层(36b)的熔化温度，基底金属层(36a)与金属层(36b)之间的熔化温度差在1500K以上。技术研发人员：丸本学受保护的技术使用者：株式会社大真空技术研发日：技术公布日：2024/8/1