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一种半导体抛光液及其制备方法与流程

  • 国知局
  • 2024-08-05 12:02:47

本发明属于硅晶体切割,具体涉及一种半导体抛光液及其制备方法。

背景技术:

1、芯片制造过程大致可以分为顶层设计、晶圆制造、封装测试三大步骤,其中晶圆制造过程尤为复杂。晶圆制造过程主要可以分为热处理、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、化学机械抛光(cmp)、清洗等工艺流程。在众多制造环节中,cmp抛光材料总体占到晶圆制造所需各类材料成本的7%,是非常重要的一道工序。

2、化学机械抛光采用将机械摩擦和化学腐蚀相结合的工艺,与普遍使用的机械抛光相比,化学机械抛光能使硅片表面变得更加平坦,并且还具有加工成本低及加工方法简单的优势,因而,成为目前最为普遍的半导体材料表面平整技术。cmp用的抛光液中的化学试剂将被抛光基底材料氧化,生成一层较软的氧化膜层,然后再通过机械摩擦作用去除氧化膜层,这样通过反复的氧化成膜-机械去除过程,从而达到有效抛光的目的。

3、为了实现纳米级的打磨技术,对抛光液的要求也极为严苛,虽然目前已有关于单晶硅片抛光液的报道,但这些抛光液存在着去除率低、表面粗糙度高及容易产生划痕及凹痕损伤等问题。另外,半导体抛光液对金属离子含量有严格的要求。

技术实现思路

1、为了解决现有抛光液存在的技术问题,本发明提供了一种半导体抛光液及其制备方法。

2、本发明的半导体抛光液由氧化剂、磨粒、络合剂、表面活性剂、缓蚀剂、ph调节剂和去离子水按照质量份数配置而成;其中,磨粒是由质量比为1:0.3-0.8的二氧化硅胶体和氧化铈复配得到。

3、半导体抛光液按照质量份数的组成为:氧化剂0.1-1份;磨粒10-25份,络合剂6-10份,表面活性剂5-10份,缓蚀剂0.5-2份,ph调节剂1-5份,去离子水40-60份。

4、磨粒的制备方法为:向氧化铈中添加分散剂搅拌混合均匀;然后将添加分散剂的氧化铈和二氧化硅胶体加入搅拌装置中,混合均匀得到磨粒。

5、二氧化硅胶体的制备方法为:在三口圆底烧瓶中加入无水乙醇和去离子水,搅拌均匀,再加入氨水搅拌,然后滴加正硅酸乙酯,搅拌后,室温反应直至反应结束;经离心分离,得到二氧化硅胶体。

6、氧化剂为:双氧水或高锰酸钾;

7、络合剂为:乙二胺四乙酸二钠或乙二胺四乙酸四钠;

8、表面活性剂为:异构醇聚氧乙烯醚或脂肪醇聚氧乙烯醚;

9、缓蚀剂为:苯并三氮唑或甲基苯并三氮唑;

10、ph调节剂为四甲基氢氧化铵或四乙基氢氧化铵。

11、有益效果

12、本发明采用复配的氧化铈与二氧化硅胶体作为磨料,两种材料同时发挥各自作用并能产生协同效应,抛光后对硅片不产生表面缺陷,表面光滑、平整、少划痕、无缺陷,保证了单晶硅片表面精细质量。

技术特征:

1.一种半导体抛光液,其特征在于:所述半导体抛光液由氧化剂、磨粒、络合剂、表面活性剂、缓蚀剂、ph调节剂和去离子水按照质量份数配置而成;其中,磨粒是由质量比为1:0.3-0.8的二氧化硅胶体和氧化铈复配得到。

2.根据权利要求1所述的半导体抛光液,其特征在于:所述半导体抛光液按照质量份数的组成为:氧化剂0.1-1份;磨粒10-25份,络合剂6-10份,表面活性剂5-10份,缓蚀剂0.5-2份,ph调节剂1-5份,去离子水40-60份。

3.根据权利要求1所述的半导体抛光液,其特征在于:所述磨粒的制备方法为:向氧化铈中添加分散剂搅拌混合均匀;然后将添加分散剂的氧化铈和二氧化硅胶体加入搅拌装置中,混合均匀得到磨粒。

4.根据权利要求3所述的半导体抛光液,其特征在于:所述二氧化硅胶体的制备方法为:在三口圆底烧瓶中加入无水乙醇和去离子水,搅拌均匀,再加入氨水搅拌,然后滴加正硅酸乙酯,搅拌后,室温反应直至反应结束;经离心分离,得到二氧化硅胶体。

5.根据权利要求1所述的半导体抛光液,其特征在于:所述氧化剂为:双氧水或高锰酸钾;络合剂为:乙二胺四乙酸二钠或乙二胺四乙酸四钠。

6.根据权利要求1所述的半导体抛光液,其特征在于:所述表面活性剂为:异构醇聚氧乙烯醚或脂肪醇聚氧乙烯醚;缓蚀剂为:苯并三氮唑或甲基苯并三氮唑。

7.根据权利要求1所述的半导体抛光液,其特征在于:所述ph调节剂为四甲基氢氧化铵或四乙基氢氧化铵。

8.一种根据权利要求1-7任一项所述的半导体抛光液的制备方法,其特征在于:所述制备方法为:将氧化剂、磨粒、络合剂、表面活性剂、缓蚀剂、ph调节剂和去离子水按照质量份数混合搅拌均匀,然后通过纳米级过滤膜过滤,灌装制得半导体抛光液。

技术总结本发明属于硅晶体切割技术领域,具体涉及一种半导体抛光液及其制备方法。该半导体抛光液由氧化剂、磨粒、络合剂、表面活性剂、缓蚀剂、pH调节剂和去离子水按质量份数配置而成;其中,磨粒是由二氧化硅胶体和氧化铈复配得到的。本发明制备的半导体抛光液去除率高、表面粗糙度低。技术研发人员:张小飞,黄文培受保护的技术使用者:常州高特新材料股份有限公司技术研发日:技术公布日:2024/8/1

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