一种光电耦合器的导线框架的制作方法

【】本申请属于光耦生产加工，具体涉及一种光电耦合器的导线框架。

背景技术

0、背景技术：

1、光电耦合器是一种半导体光电子设备，它将发光件和光敏件封存在同一壳体中间，是以光作为媒体来传输电信号的装置，其功能是平时维持电信号输入、输出间的良好隔离同时在需要时使电信号通过隔离层进行传输，目前光电耦合器已应用于各种电路中。

2、通常，光电耦合器在制备过程中需要用到导线框架，导线框架包括发光芯片支架和感光芯片支架，发光芯片支架和感光芯片支架叠片拼合后行程以多个阵列设置的导线框架单元，相邻导线框架单元之间采用双连筋的形式连接，其中外侧的连筋设置是为了限制胶体的流出，每根连筋的宽度约为25mm，在完成贴片、引线键合、塑封等操作后，需要对其进行冲切然而，然而在冲切时由于应力太大，容易使得胶体开裂，影响良品率。

技术实现思路

0、技术实现要素：

1、为了解决现有技术中对采用双连筋形式的导线框架进行冲切时，由于应力太大，容易使得胶体开裂的问题，本申请提供了一种光电耦合器的导线框架。

2、本申请是通过以下技术方案实现的：

3、一种光电耦合器的导线框架，包括多个矩阵排列的导线框架单元、连接相邻所述导线框架单元的连筋，以及自所述连筋沿所述导线框架单元的水平方向往外延伸并限制胶体流出的挡胶台阶，所述挡胶台阶两侧分别与两个相邻的所述导线框架单元间隔设置。

4、如上所述的一种光电耦合器的导线框架，所述挡胶台阶的宽度为s小于等于切筋冲子的宽度l。

5、如上所述的一种光电耦合器的导线框架，所述连筋位于相邻所述导线框架单元之间的左侧位置。

6、如上所述的一种光电耦合器的导线框架，所述连筋的宽度为d，其中，0.28mm≤d≤0.32mm。

7、如上所述的一种光电耦合器的导线框架，所述挡胶台阶与所述连筋连接处还设有凹孔。

8、如上所述的一种光电耦合器的导线框架，所述凹孔分别位于所述挡胶台阶两侧。

9、如上所述的一种光电耦合器的导线框架，所述连筋包括连接相邻所述导线框架单元的纵向筋条以及连接所述纵向筋条和导线框架的横向筋条。

10、如上所述的一种光电耦合器的导线框架，所述横向筋条垂直于所述纵向筋条。

11、与现有技术相比，本申请有如下优点：

12、本申请的一种光电耦合器的导线框架，通过连接相邻导线框架单元的连筋，相比于传统的双连筋结构，使得连筋在冲切时可承受的应力增大，有效防止胶体开裂，并通过挡胶台阶的设置实现了在不改变原有切筋模具及注塑模具的情况下，使胶体在冲切过程中不会流向挡胶台阶的位置，从而方便切连筋去除废料。减少了胶体开裂的风险，提高了良品率。

技术特征：

1.一种光电耦合器的导线框架，其特征在于，包括多个矩阵排列的导线框架单元(1)、连接相邻所述导线框架单元(1)的连筋(2)，以及自所述连筋(2)沿所述导线框架单元(1)的水平方向往外延伸并限制胶体(5)流出的挡胶台阶(3)，所述挡胶台阶(3)两侧分别与两个相邻的所述导线框架单元(1)间隔设置。

2.根据权利要求1所述的一种光电耦合器的导线框架，其特征在于，所述挡胶台阶(3)的宽度为s小于等于切筋冲子(4)的宽度l。

3.根据权利要求1所述的一种光电耦合器的导线框架，其特征在于，所述连筋(2)位于相邻所述导线框架单元(1)之间的左侧位置。

4.根据权利要求1所述的一种光电耦合器的导线框架，其特征在于，所述连筋(2)的宽度为d，其中，0.28mm≤d≤0.32mm。

5.根据权利要求1所述的一种光电耦合器的导线框架，其特征在于，所述挡胶台阶(3)与所述连筋(2)连接处还设有凹孔(31)。

6.根据权利要求5所述的一种光电耦合器的导线框架，其特征在于，所述凹孔(31)分别位于所述挡胶台阶(3)两侧。

7.根据权利要求1所述的一种光电耦合器的导线框架，其特征在于，所述连筋(2)包括连接相邻所述导线框架单元(1)的纵向筋条(21)以及连接所述纵向筋条(21)和导线框架的横向筋条(22)。

8.根据权利要求7所述的一种光电耦合器的导线框架，其特征在于，所述横向筋条(22)垂直于所述纵向筋条(21)。

技术总结本发明属于光耦生产加工技术领域，具体涉及一种光电耦合器的导线框架。包括多个矩阵排列的导线框架单元、连接相邻所述导线框架单元的连筋，以及自所述连筋沿所述导线框架单元的水平方向往外延伸并限制胶体流出的挡胶台阶，所述挡胶台阶两侧分别与两个相邻的所述导线框架单元间隔设置。本申请的一种光电耦合器的导线框架，通过连接相邻导线框架单元的连筋，相比于传统的双连筋结构，使得连筋在冲切时可承受的应力增大，有效防止胶体开裂，并通过挡胶台阶的设置实现了在不改变原有切筋模具及注塑模具的情况下，使胶体在冲切过程中不会流向挡胶台阶的位置，从而方便切连筋去除废料。减少了胶体开裂的风险，提高了良品率。技术研发人员：刘榕,马妮娜,梁焯明受保护的技术使用者：中山复盛机电有限公司技术研发日：技术公布日：2024/8/1