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一种基于XC4355控制芯片的理想二极管电路的制作方法

  • 国知局
  • 2024-08-08 16:49:50

本发明属于理想二极管,具体为一种基于xc4355控制芯片的理想二极管电路。

背景技术:

1、二极管是一种具有两个电极且只允许电流由单一方向流过的电子元件,二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过,反向时阻断,其在电子电路设计中应用广泛。

2、理想二极管是一种理论模型,它被假设为在正向偏置时具有零压降,在反向偏置时具有零漏电流。

3、针对理想二极管的需求,经常采用的方式为在母线上串联p沟道mos管或者采用控制芯片进行控制,采用p沟道mos管时,因其导通阻抗较大,线路压降明显,采用控制芯片控制时,若系统输入反向,会烧毁驱动芯片。

技术实现思路

1、本发明的提供了一种基于xc4355控制芯片的理想二极管电路,解决了采用p沟道mos管时,因其导通阻抗较大,线路压降明显,采用控制芯片控制时,若系统输入反向,会烧毁驱动芯片的问题。

2、为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:

3、一种基于xc4355控制芯片的理想二极管电路,包括xc4355芯片和一个nmos管,所述nmos管的基极连接第一电阻r1的第一端,所述第一电阻r1的第二端与所述xc4355芯片的第2端及第4端连接,所述nmos管漏极连接电压输出端、xc4355芯片的第3端、第二电容c2的第一端、第二电阻r2的第一端和第四二极管v4的负极,所述nmos管的源极连接第三二极管v3的负极、xc4355芯片第1端和第5端,所述第三二极管v3的正极与xc4355芯片的第14端、第8端和第9端连接,所述xc4355芯片的第15端和第7端与第五二极管v5的正极连接,所述第五二极管v5的负极接地。

4、优选地,所述xc4355芯片的第1端为通道1输入电压,第2端为通道1驱动脚,第3端为输出电压脚,第4端为通道2驱动脚,第5端为通道2输入电压,第8端为mos管故障门槛电压设置脚、第9端为通道2输入电压监测脚,第14端为通道1输入电压监测脚。

5、优选地,所述第二电容c2的第二端、第二电阻r2的第二端和第四二极管v4的负极均与xc4355芯片的第6端、第12端、第11端、第13端和第10端连接。

6、优选地,所述xc4355芯片的第6端为mos管异常状态故障指示脚,第7端为接地脚,第10端为通道2故障指示脚,第11端为通道2保险丝故障指示脚,第12端为通道1保险丝故障指示脚,第13端为通道1故障指示脚,第15端为接地脚。

7、优选地,所述二极管v3的正极与xc4355芯片的第8端之间连接有电阻r3。

8、优选地,所述第一电阻r1为mos管驱动电阻。

9、优选地,所述nmos管为母线上串联的开关管。

10、优选地,所述第二电容c2的第二端、第二电阻r2的第二端和第四二极管v4的负极均接地。

11、优选地,所述二极管v3的正极接地。

12、优选地,所述输入电压端与地线直接连接有输入口电容c1。

13、与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:本发明提供一种基于xc4355控制芯片的理想二极管电路,理想二极管控制芯片xc4355通过引入输入端电压,在输出驱动管脚产生比母线约高4v的电压,控制nmos管导通,此时控制芯片从输出端取电,使控制芯片驱动管脚产生相比于母线高12v的电压,使mos管完全导通,当控制芯片监测到输出端电压高于输入端电压时,空盒子芯片驱动电压放电,nmos管关断,实现二极管功能;当系统误施加反向电压时,二极管v5保护控制芯片,使控制芯片不会承受反向电压,同时mos管不导通,反向电压不会传递到输出端,综上所述本发明能够降低导通压降,提高功率密度,输入反向时可以保护电路不会烧毁。

技术特征:

1.一种基于xc4355控制芯片的理想二极管电路,其特征在于,包括xc4355芯片和一个nmos管,所述nmos管的基极连接第一电阻r1的第一端,所述第一电阻r1的第二端与所述xc4355芯片的第2端及第4端连接,所述nmos管漏极连接电压输出端、xc4355芯片的第3端、第二电容c2的第一端、第二电阻r2的第一端和第四二极管v4的负极,所述nmos管的源极连接第三二极管v3的负极、xc4355芯片第1端和第5端,所述第三二极管v3的正极与xc4355芯片的第14端、第8端和第9端连接,所述xc4355芯片的第15端和第7端与第五二极管v5的正极连接,所述第五二极管v5的负极接地。

2.根据权利要求1所述的一种基于xc4355控制芯片的理想二极管电路,其特征在于,所述xc4355芯片的第1端为通道1输入电压,第2端为通道1驱动脚,第3端为输出电压脚,第4端为通道2驱动脚,第5端为通道2输入电压,第8端为mos管故障门槛电压设置脚、第9端为通道2输入电压监测脚,第14端为通道1输入电压监测脚。

3.根据权利要求1所述的一种基于xc4355控制芯片的理想二极管电路,其特征在于,所述第二电容c2的第二端、第二电阻r2的第二端和第四二极管v4的负极均与xc4355芯片的第6端、第12端、第11端、第13端和第10端连接。

4.根据权利要求3所述的一种基于xc4355控制芯片的理想二极管电路,其特征在于,所述xc4355芯片的第6端为mos管异常状态故障指示脚,第7端为接地脚,第10端为通道2故障指示脚,第11端为通道2保险丝故障指示脚,第12端为通道1保险丝故障指示脚,第13端为通道1故障指示脚,第15端为接地脚。

5.根据权利要求1所述的一种基于xc4355控制芯片的理想二极管电路,其特征在于,所述二极管v3的正极与xc4355芯片的第8端之间连接有电阻r3。

6.根据权利要求1所述的一种基于xc4355控制芯片的理想二极管电路,其特征在于,所述第一电阻r1为mos管驱动电阻。

7.根据权利要求1所述的一种基于xc4355控制芯片的理想二极管电路,其特征在于,所述nmos管为母线上串联的开关管。

8.根据权利要求1所述的一种基于xc4355控制芯片的理想二极管电路,其特征在于,所述第二电容c2的第二端、第二电阻r2的第二端和第四二极管v4的负极均接地。

9.根据权利要求1所述的一种基于xc4355控制芯片的理想二极管电路,其特征在于,所述二极管v3的正极接地。

10.根据权利要求1所述的一种基于xc4355控制芯片的理想二极管电路,其特征在于,所述输入电压端与地线直接连接有输入口电容c1。

技术总结本发明公开一种基于XC4355控制芯片的理想二极管电路,理想二极管控制芯片XC4355通过引入输入端电压,在输出驱动管脚产生比母线约高4V的电压,控制NMOS管导通,此时控制芯片从输出端取电,使控制芯片驱动管脚产生相比于母线高12V的电压,使MOS管完全导通,当控制芯片监测到输出端电压高于输入端电压时,空盒子芯片驱动电压放电,NMOS管关断,实现二极管功能;当系统误施加反向电压时,二极管V5保护控制芯片,使控制芯片不会承受反向电压,同时MOS管不导通,反向电压不会传递到输出端,综上所述本发明能够降低导通压降,提高功率密度,输入反向时可以保护电路不会烧毁。技术研发人员:姬春阳,都书博,马慧宇受保护的技术使用者:西安微电子技术研究所技术研发日:技术公布日:2024/8/5

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