一种晶体的切割方法及装置与流程

本发明涉及晶体的切割，特别是涉及一种晶体的切割方法及装置。

背景技术：

1、在激光切割晶体的过程中，激光从晶体一端照射的同时，驱动晶体在横向和纵向上步进，晶体上从而形成网格状炸点，然后利用大功率的超声波将晶片和晶体彻底剥离。因此，目前的激光切割方法中，存在网格状炸点不能彻底剥离晶体和晶片、大功率的超声波容易造成晶体边缘崩裂和步骤繁琐等问题。而且，由于激光切割后的晶体切割面比较粗糙，因此，在下一次激光切割前，必须对上一次激光切割后的晶体切割面重新打磨和抛光，以防止激光在粗糙的晶体切割面上发生漫反射，影响下一次激光切割的质量。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种晶体的切割方法及装置，能够简化激光剥离晶体和晶片的步骤，提高激光切割晶体的效率，避免大功率的超声波对晶体的损害。

2、为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的。

3、本发明提供一种晶体的切割方法，至少包括以下步骤：

4、提供一晶体；

5、制备液态有机化合物；

6、将所述晶体放置在固定装置的中间；

7、将所述液态有机化合物注入到所述固定装置中，所述液态有机化合物浸润所述晶体的表面；

8、调整所述液态有机化合物的压力，以获得折射率不同的所述液态有机化合物；

9、驱动所述晶体同时作旋转运动和水平移动；以及

10、至少在所述固定装置的一侧，对所述晶体进行切割。

11、在本发明一实施例中，对晶体进行切割后，还对切割后的晶体进行再切割，所述再切割的步骤包括：

12、改变所述固定装置中所述液态有机化合物的压力；

13、驱动所述晶体同时作旋转运动和水平移动；以及

14、至少在所述固定装置的一侧，对所述晶体进行切割。

15、在本发明一实施例中，所述液态有机化合物包括树脂溶液和邻羟基苯甲酸甲酯。

16、在本发明一实施例中，所述液态有机化合物的折射率为1.75-2.75。

17、在本发明一实施例中，所述树脂溶液的质量为所述液态有机化合物质量的0.01％-15％。

18、在本发明一实施例中，所述树脂溶液的制备步骤，至少包括：

19、将苯基三甲氧基硅烷和甲基异丁基酮按照预设反应比加入反应容器中，并将所述反应容器的温度保持在预设温度；

20、将钛酸四丁酯和四氢呋喃按照预设质量比加入所述反应容器中，搅拌得到混合溶液；以及

21、将纳米金属化合物加入到所述混合溶液中，得到树脂溶液。

22、本发明还提供一种晶体的切割装置，至少包括：

23、固定装置，包括相对设置的第一盖板和第二盖板；

24、激光发射装置，至少设置在所述第一盖板和所述第二盖板的一侧；以及

25、移动装置，与所述固定装置连接。

26、在本发明一实施例中，所述第一盖板和所述第二盖板为碳化硅晶体，且远离所述第一盖板的所述第二盖板一侧的粗糙度值低于10nm，远离所述第二盖板的所述第一盖板一侧的粗糙度值低于10nm。

27、在本发明一实施例中，所述固定装置还包括壳体，所述壳体设置在所述第一盖板和所述第二盖板的两侧，所述第一盖板和所述第二盖板分别与所述壳体活动连接。

28、在本发明一实施例中，所述固定装置还包括螺杆，所述螺杆设置在所述壳体中，且所述螺杆与所述壳体活动连接，允许所述螺杆相对于所述壳体进行移动。

29、综上所述，本发明提供了一种晶体的切割方法及装置，通过本发明提供的切割方法，激光在晶体切割面上的炸点能够呈圆周分布，激光光斑在晶体切割面上的覆盖范围更广，方便晶体和晶片的剥离，以避免后续超声波处理的步骤，或者以低功率的超声波能够完全剥离晶体和晶片，从而避免高功率的超声波损害晶体。而且，本发明提供的方法，能够在晶体切割面上形成液膜，以改善晶体切割面的粗糙度，从而避免切割后对晶体切割面的打磨和抛光步骤，简化晶体切割的步骤，提高激光切割晶体的效率。

30、当然，实施本发明的任一方式并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

技术特征：

1.一种晶体的切割方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的晶体的切割方法，其特征在于，对晶体进行切割后，还对切割后的晶体进行再切割，所述再切割的步骤包括：

3.根据权利要求1所述的晶体的切割方法，其特征在于，所述液态有机化合物包括树脂溶液和邻羟基苯甲酸甲酯。

4.根据权利要求3所述的晶体的切割方法，其特征在于，所述液态有机化合物的折射率为1.75-2.75。

5.根据权利要求3所述的晶体的切割方法，其特征在于，所述树脂溶液的质量为所述液态有机化合物质量的0.01％-15％。

6.根据权利要求3所述的晶体的切割方法，其特征在于，所述树脂溶液的制备步骤，至少包括：

7.一种晶体的切割装置，其特征在于，至少包括：

8.根据权利要求7所述的晶体的切割装置，其特征在于，所述第一盖板和所述第二盖板为碳化硅晶体，且远离所述第一盖板的所述第二盖板一侧的粗糙度值低于10nm，远离所述第二盖板的所述第一盖板一侧的粗糙度值低于10nm。

9.根据权利要求8所述的晶体的切割装置，其特征在于，所述固定装置还包括壳体，所述壳体设置在所述第一盖板和所述第二盖板的两侧，所述第一盖板和所述第二盖板分别与所述壳体活动连接。

10.根据权利要求9所述的晶体的切割装置，其特征在于，所述固定装置还包括螺杆，所述螺杆设置在所述壳体中，且所述螺杆与所述壳体活动连接，允许所述螺杆相对于所述壳体进行移动。

技术总结本发明提供一种晶体的切割方法及装置，所述切割方法至少包括：提供一晶体；制备液态有机化合物；将所述晶体放置在固定装置的中间；将所述液态有机化合物注入到所述固定装置中，所述液态有机化合物浸润所述晶体的表面；调整所述液态有机化合物的压力，以获得折射率不同的所述液态有机化合物；驱动所述晶体同时作旋转运动和水平移动；以及至少在所述固定装置的一侧，对所述晶体进行切割。本发明提供的晶体切割方法及装置，能够简化剥离晶体和晶片的步骤，提高晶体的切割效率，避免大功率的超声波对晶体的损害。技术研发人员：薛卫明,马远,张德,潘尧波受保护的技术使用者：中电化合物半导体有限公司技术研发日：技术公布日：2024/8/20