支撑基板、复合基板、电子器件和模块的制作方法

本发明涉及电子器件加工制造，尤其涉及一种支撑基板、复合基板、电子器件和模块。

背景技术：

1、在一些弹性波滤波器，例如saw（surface acoustic wave，声表面波滤波器）器件中，例如tc-saw（温度补偿型滤波器）中需要使用压电层和支撑基板键合得到的复合基板。支撑基板的强度是saw器件生产过程中较为重要的参数之一，如果强度不足则在后续加工过程例如键合工序、在复合基板上制作电极等工序中都容易出现破片的情况，将影响生产效率和质量，甚至导致生产成本增加。

技术实现思路

1、本发明的目的在于解决支撑基板因强度不足容易出现破片问题的情况，因此本发明提供了一种支撑基板、复合基板、电子器件和模块，可实现较高强度的支撑基板，保证生产质量和效率。

2、本发明的一个实施例提供一种支撑基板，所述支撑基板由多晶材料形成，所述支撑基板中晶粒的密度大于或者等于1000颗/mm2，且所述支撑基板中晶界体积占比为8%~40%。

3、本发明的一个实施例提供一种复合基板，包括前述支撑基板，还包括压电层，所述压电层设置于所述支撑基板上。

4、本发明的一个实施例提供一种电子器件，包括前述支撑基板或者复合基板。

5、本发明的一个实施例提供一种模块，包括布线基板、多个外部连接端子、集成电路部件、电感器和密封部，以及前述电子器件。

6、本发明上述实施例至少具有如下一个或多个有益效果： 通过提供具有特殊的晶粒密度设置的支撑基板，使得支撑基板具有更好的抗弯强度，可以避免在后续键合工艺中破片问题的发生，保证生产质量和效率。

技术特征：

1.一种支撑基板，其特征在于，所述支撑基板由多晶材料形成，所述支撑基板中晶粒的密度大于或者等于1000颗/mm2，且所述支撑基板中晶界体积占比为8%~40%。

2.如权利要求1所述的支撑基板，其特征在于，所述支撑基板的厚度小于或者等于300微米。

3.如权利要求1所述的支撑基板，其特征在于，所述支撑基板的抗弯强度大于或者等于180mpa。

4.如权利要求1所述的支撑基板，其特征在于，所述支撑基板的材料为多晶镁铝尖晶石、多晶蓝宝石、多晶氮化铝、多晶氧化镁、多晶石英中的任意一种。

5.如权利要求1所述的支撑基板，其特征在于，所述支撑基板中晶粒的密度大于或者等于80000颗/mm2，所述支撑基板的抗弯强度大于或者等于200mpa。

6.根据权利要求1所述的支撑基板，其特征在于，所述支撑基板具有主支撑面，所述主支撑面的粗糙度小于或者等于0.6nm。

7.根据权利要求1所述的支撑基板，其特征在于，所述支撑基板具有主支撑面，所述主支撑面的ttv小于或者等于2μm。

8.根据权利要求1所述的支撑基板，其特征在于，所述支撑基板的杨氏模量大于或者等于250gpa。

9.根据权利要求1所述的支撑基板，其特征在于，所述支撑基板在波长为240~780nm的波段下的透光率小于9%。

10.根据权利要求9所述的支撑基板，其特征在于，所述支撑基板在波长为550纳米以下的波段下的透光率小于0.1%。

11.一种复合基板，其特征在于，包括如权利要求1~4、6~10中任意一项所述的支撑基板，还包括压电层，所述压电层设置于所述支撑基板之上。

12.一种电子器件，其特征在于，包括如权利要求11所述的复合基板。

13.根据权利要求12所述的电子器件，其特征在于，还包括idt电极，所述idt电极位于所述压电层背向所述支撑基板的主面上。

14.根据权利要求13所述的电子器件，其特征在于，还包括位于所述支撑基板与所述压电层之间的中间层，所述中间层的声速低于所述压电层的声速。

15. 根据权利要求14所述的电子器件，其特征在于，所述中间层的厚度大于或者等于0.5λ，其中λ为 以所述idt电极的电极周期所确定的弹性波的波长。

16. 根据权利要求 13所述的电子器件，其特征在于，所述压电层的厚度小于等于2λ，其中λ为 以所述idt电极的电极周期所确定的弹性波的波长。

17.根据权利要求13所述的电子器件，其特征在于，所述支撑基板中晶粒的密度大于或者等于20000颗/mm2，所述支撑基板的厚度为250μm以下。

18.一种模块，其特征在于，包括布线基板、多个外部连接端子、集成电路部件、电感器和密封部，以及如权利要求12~17任意一项所述的电子器件。

技术总结本发明实施例提供一种支撑基板、复合基板、电子器件和模块。本发明实施例提供的支撑基板由多晶材料形成，且所述支撑基板中晶粒的密度大于或者等于1000颗/mm<supgt;2</supgt;，且所述支撑基板中晶界体积占比为8%~40%。本发明实施例提供了一种具有特殊晶粒密度的支撑基板，可以实现支撑基板较高的强度，可以减少因强度不足出现破片问题的情况，进而保证生产质量和效率。技术研发人员：枋明辉,蔡文必,林仲和,黄世维,刘艺霖受保护的技术使用者：泉州市三安集成电路有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/2