透明导电性薄膜的制作方法

本发明涉及透明导电性薄膜。

背景技术：

1、以往，已知有在厚度方向依次具备树脂制的透明基材和透明的导电层(透明导电层)的透明导电性薄膜。透明导电层例如作为用于形成调光器件、液晶显示器、及触摸面板等各种器件中的透明电极的导体膜使用。透明导电层例如利用卷对卷方式的溅射成膜装置形成在长条的透明基材上(成膜工序)。在成膜工序中，例如，一边利用真空泵对溅射成膜装置的成膜室内进行排气，一边利用溅射法在通过该成膜室内的透明基材上将导电材料成膜。针对关于这样的透明导电性薄膜的技术，例如记载于下述的专利文献1中。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2016-157021号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、对透明导电性薄膜的透明导电层要求总透光率高。特别是对调光器件用的透明导电性薄膜的该要求强。

3、对透明导电性薄膜的透明导电层也要求为低电阻。而且，作为对低电阻化有利的透明导电层，例如，已知有导电性氧化物层、作为良导体的金属层、和导电性氧化物层的3层结构的多层透明导电层。但是，对于具有这样的多层透明导电层的透明导电性薄膜，对该薄膜的入射光的一部分在金属层发生反射。因此，以往，具有多层透明导电层的透明导电性薄膜与具有由导电性氧化物的单层形成的透明导电层的透明导电性薄膜相比，有总透光率低的倾向。

4、本发明提供具有包含金属层的多层透明导电层，并且适于实现良好的总透光率的透明导电性薄膜。

5、用于解决问题的方案

6、本发明[1]包含一种透明导电性薄膜，其在厚度方向依次具备透明基材和透明导电层，前述透明导电层自前述透明基材侧起依次具有：第1导电性氧化物层、金属层和第2导电性氧化物层，前述第2导电性氧化物层的与前述金属层相反侧的表面中，羟基的氧的比例为4.3原子％以上。

7、本发明[2]包含上述[1]所述的透明导电性薄膜，其中，前述第2导电性氧化物层为铟锡复合氧化物层。

8、本发明[3]包含上述[1]或[2]所述的透明导电性薄膜，其中，前述金属层为银层或银合金层。

9、发明的效果

10、本发明的透明导电性薄膜中，如上所述，透明导电层具有依次包含第1导电性氧化物层、金属层和第2导电性氧化物层的多层结构。这样的多层的透明导电层适于实现低电阻化。另外，本发明的透明导电性薄膜中，如上所述，第2导电性氧化物层的与金属层相反侧的表面(透明导电层的露出表面)中羟基氧比例为4.3原子％以上。具备这样的透明导电层的透明导电性薄膜适于实现良好的总透光率。

技术特征：

1.一种透明导电性薄膜，其在厚度方向依次具备透明基材和透明导电层，

2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述第2导电性氧化物层为铟锡复合氧化物层。

3.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜，其中，所述金属层为银层或银合金层。

技术总结提供具有包含金属层的多层透明导电层，并且适于实现良好的总透光率的透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(X)在厚度方向(H)依次具备透明基材(10)和透明导电层(20)。透明导电层(10)自透明基材(10)侧起依次具有：导电性氧化物层(21)、金属层(22)和导电性氧化物层(23)。导电性氧化物层(23)的与金属层(22)相反侧的表面(23a)中，羟基的氧的比例为4.3原子％以上。技术研发人员：锅野昇平,藤野望受保护的技术使用者：日东电工株式会社技术研发日：技术公布日：2024/9/12