异质结太阳能电池及制作设备的制作方法

本技术涉及太阳能电池领域，特别涉及异质结太阳能电池及制作设备。

背景技术：

1、传统的太阳能电池结构包括：n型单晶硅片、设置于n型单晶硅片背面和正面的本征层、设置于本征层上的p型掺杂层或n型掺杂层、设置于p型掺杂层或n型掺杂层上的tco层，设置于tco层上的正电极或负电极，此种太阳能电池结构的开路电压低、短路电流小，电池性能偏低。

技术实现思路

1、本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提出一种异质结太阳能电池，能够提高开路电压、增大短路电流，增强电池性能。

2、本实用新型还提出一种用于制作上述异质结太阳能电池的制作设备。

3、根据本实用新型第一方面实施例的异质结太阳能电池，包括：

4、掺杂硅片，具有第一杂质；

5、第一本征层，层叠于所述掺杂硅片一面；

6、第一掺杂膜层，包括沿远离所述掺杂硅片的方向依次交替层叠的n+1层第一掺杂层和n层第二本征层，n≥1，所述第一掺杂层层叠于所述第一本征层远离所述掺杂硅片的一面，所述第一掺杂层具有第二杂质。

7、根据本实用新型第一方面实施例的异质结太阳能电池，至少具有如下有益效果：通过交替层叠的第一掺杂层和第二本征层增加带隙宽度，减少寄生吸收，增加透光率，进而提高电池的短路电流、开路电压，明显提高电池效率。

8、根据本实用新型的一些实施例，沿所述第一掺杂膜层远离所述掺杂硅片的方向，每层所述第一掺杂层的第二杂质浓度依次递增。

9、根据本实用新型的一些实施例，每层所述第一掺杂层的第二杂质浓度梯度递增。

10、根据本实用新型的一些实施例，在所述第一掺杂层为p型掺杂时，所有所述第一掺杂层的总厚度范围为10nm-15nm，在所述第一掺杂层为n型掺杂时，所有所述第一掺杂层的总厚度范围为5nm-10nm。

11、根据本实用新型的一些实施例，所述第一掺杂层的所述第二杂质的掺杂浓度范围为：0.5％-10％。

12、根据本实用新型的一些实施例，还包括第三本征层，所述第三本征层层叠于第一掺杂膜层远离所述掺杂硅片的一面。

13、根据本实用新型的一些实施例，还包括：

14、第一透明氧化导电膜，层叠于所述第三本征层远离所述掺杂硅片的一面；

15、第一电极，连接于所述第一透明氧化导电膜远离所述掺杂硅片的一面。

16、根据本实用新型的一些实施例，还包括：

17、第四本征层，层叠于所述掺杂硅片远离所述第一本征层的一面；

18、第二掺杂膜层，包括沿远离所述掺杂硅片的方向依次交替层叠的m+1层第二掺杂层和m层第五本征层，m≥1，所述第二掺杂层层叠于所述第四本征层远离所述掺杂硅片的一面，所述第二掺杂层具有第三杂质，所述第三杂质的类型与所述第二杂质的类型相异。

19、根据本实用新型的一些实施例，沿所述第二掺杂膜层远离所述掺杂硅片的方向，每层所述第二掺杂层的第三杂质浓度依次递增。

20、根据本实用新型第二方面实施例的制作设备，用于制作本实用新型第一方面实施例所述的异质结太阳能电池。

21、根据本实用新型第二方面实施例的制作设备，至少具有如下有益效果：能够制作出短路电流、开路电压更大，电池效率更高的异质结太阳能电池。

22、本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

技术特征：

1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于：在所述第一掺杂层为p型掺杂时，所有所述第一掺杂层的总厚度范围为10nm-15nm，在所述第一掺杂层为n型掺杂时，所有所述第一掺杂层的总厚度范围为5nm-10nm。

3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，还包括：

5.一种制作设备，其特征在于，用于制作权利要求1至4任一项所述的异质结太阳能电池。

技术总结本技术公开了一种异质结太阳能电池及制作设备，异质结太阳能电池包括：掺杂硅片，具有第一杂质；第一本征层，层叠于所述掺杂硅片一面；第一掺杂膜层，包括沿远离所述掺杂硅片的方向依次交替层叠的n+1层第一掺杂层和n层第二本征层，n≥1，所述第一掺杂层层叠于所述第一本征层远离所述掺杂硅片的一面，所述第一掺杂层具有第二杂质。能够提高开路电压、增大短路电流，增强电池性能。本技术应用于太阳能电池领域。技术研发人员：请求不公布姓名,请求不公布姓名,请求不公布姓名受保护的技术使用者：广东利元亨智能装备股份有限公司技术研发日：20230928技术公布日：2024/9/19