异质结太阳能电池的制作方法

本申请涉及太阳能电池，尤其涉及一种异质结太阳能电池。

背景技术：

1、一般的异质结太阳能电池在金属电极与掺杂的含硅薄膜之间设置有透明导电层，但是现有的设置透明导电层难以同时兼顾降低异质结电池受光侧部分的接触电阻、降低异质结电池背光侧部分的接触电阻及提高电池短路电流，从而影响电池光电转换效率的提高。

2、因此，急需一种新的异质结太阳能电池。

技术实现思路

1、本申请提供一种异质结太阳能电池，包括由下至上依次层叠的背面接触电极层、背面透明导电膜结构、背面含硅膜结构、硅基体、正面含硅膜结构、正面透明导电膜结构以及正面接触电极层，其中，

2、正面透明导电膜结构包括由硅基体向正面接触电极层依次层叠的正面第一透明导电薄膜和正面第二透明导电薄膜，正面第一透明导电薄膜的功函数小于正面第二透明导电薄膜的功函数，且正面第二透明导电薄膜与正面接触电极层接触设置，

3、背面透明导电膜结构包括由硅基体向背面接触电极层依次层叠的背面第一透明导电薄膜和背面第二透明导电薄膜，背面第一透明导电薄膜的功函数大于背面第二透明导电薄膜的功函数，且背面第二透明导电薄膜与背面接触电极层接触设置。

4、本申请提供的太阳能电池中正面透明导电膜结构设置了两层透明导电膜，且正面第一透明导电薄膜的功函数小于正面第二透明导电薄膜的功函数，正面第二透明导电薄膜的功函数具有较高的功函数，功函数较高掺杂浓度较低，透光性较高，减弱对光的无效吸杂，提升短路电流。正面第一透明导电薄膜的功函数较低，降低了正面第一透明导电薄膜与正面含硅膜结构的接触电阻。

5、本申请提供的太阳能电池中背面透明导电膜结构也设置了两层透明导电膜，背面第一透明导电薄膜的功函数大于背面第二透明导电薄膜的功函数，背面第一透明导电薄膜具有较高的功函数，掺杂浓度较低，降低了与背面含硅膜结构的接触电阻；背面第二透明导电薄膜具有较低的功函数，掺杂浓度较高，降低了背面第二透明导电薄膜与背面金属电极层之间的界面接触电阻，从而提高了填充因子以及电池光电转换效率。

6、在本申请一些可选的实施例中，正面第一透明导电薄膜的厚度小于正面第二透明导电薄膜的厚度。

7、在本申请一些可选的实施例中，背面第一透明导电薄膜的厚度大于背面第二透明导电薄膜的厚度。

8、在本申请一些可选的实施例中，背面第二透明导电薄膜的面积大于背面第一透明导电薄膜的面积。

9、在本申请一些可选的实施例中，背面第一透明导电薄膜可背面第二透明导电薄膜均在与厚度方向相垂直的水平面上连续铺设，

10、且背面第一透明导电薄膜与硅基体的侧边之间存在第一距边距离，背面第二透明导电薄膜向背面含硅膜结构延伸并与背面含硅膜结构接触设置，以覆盖背面第一透明导电薄膜的四周边沿。

11、在本申请一些可选的实施例中，背面第二透明导电薄膜的外边缘与背面含硅膜结构的边缘之间存在第二距边距离。

12、在本申请一些可选的实施例中，第一距边距离大于0mm且小于或等于1mm。

13、在本申请一些可选的实施例中，正面含硅膜结构包括由下至上依次层叠的第一本征含硅薄膜和第一掺杂含硅薄膜，第一掺杂含硅薄膜的掺杂类型为n型，正面第一透明导电薄膜与第一掺杂含硅薄膜接触设置。

14、在本申请一些可选的实施例中，背面含硅膜结构包括由上至下依次层叠的第二本征含硅薄膜和第二掺杂含硅薄膜，第二掺杂含硅薄膜的掺杂类型为p型，背面第一透明导电薄膜与第二掺杂含硅薄膜接触设置。

15、在本申请一些可选的实施例中，硅基体为n型硅基体。

技术特征：

1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括由下至上依次层叠的背面接触电极层、背面透明导电膜结构、背面含硅膜结构、硅基体、正面含硅膜结构、正面透明导电膜结构以及正面接触电极层，其中，

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述正面第一透明导电薄膜的厚度小于所述正面第二透明导电薄膜的厚度。

3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述背面第一透明导电薄膜的厚度大于所述背面第二透明导电薄膜的厚度。

4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述背面第二透明导电薄膜的面积大于所述背面第一透明导电薄膜的面积。

5.根据权利要求4所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述背面第一透明导电薄膜和所述背面第二透明导电薄膜均在与厚度方向相垂直的水平面上连续铺设，

6.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述背面第二透明导电薄膜的外边缘与所述背面含硅膜结构的边缘之间存在第二距边距离。

7.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一距边距离大于0mm且小于或等于1mm。

8.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述正面含硅膜结构包括由下至上依次层叠的第一本征含硅薄膜和第一掺杂含硅薄膜，所述第一掺杂含硅薄膜的掺杂类型为n型，所述正面第一透明导电薄膜与所述第一掺杂含硅薄膜接触设置。

9.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述背面含硅膜结构包括由上至下依次层叠的第二本征含硅薄膜和第二掺杂含硅薄膜，所述第二掺杂含硅薄膜的掺杂类型为p型，所述背面第一透明导电薄膜与所述第二掺杂含硅薄膜接触设置。

10.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述硅基体为n型硅基体。

技术总结本申请提供一种异质结太阳能电池，包括由下至上依次层叠的背面接触电极层、背面透明导电膜结构、背面含硅膜结构、硅基体、正面含硅膜结构、正面透明导电膜结构以及正面接触电极层，其中，正面透明导电膜结构包括由硅基体向正面接触电极层依次层叠的正面第一透明导电薄膜和正面第二透明导电薄膜，正面第一透明导电薄膜的功函数小于正面第二透明导电薄膜的功函数，且正面第二透明导电薄膜与正面接触电极层接触设置，背面透明导电膜结构包括由硅基体向背面接触电极层依次层叠的背面第一透明导电薄膜和背面第二透明导电薄膜，背面第一透明导电薄膜的功函数大于背面第二透明导电薄膜的功函数，且背面第二透明导电薄膜与背面接触电极层接触设置。技术研发人员：张俊兵,尹海鹏,牛新伟受保护的技术使用者：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司技术研发日：20231026技术公布日：2024/9/19