复合铝排的制作方法
- 国知局
- 2024-09-23 14:45:04
本申请涉及金属材料,特别涉及一种复合铝排。
背景技术:
1、铜排广泛应用于电气设备中,作为导电排使用。但铜的密度大,导致铜排整体重量较重,不利于产品轻量化。
2、现有技术中,也有直接使用轻质铝材制作铝排,但是铝的导电率相较于铜的导电率低,并不适合需要高导电率场景的使用。
3、因此,有必要对现有技术作出改进。
技术实现思路
1、本申请提供一种复合铝排,旨在解决现有技术中铝排导电率低的问题。
2、为实现上述目的,本申请提出一种复合铝排,包括:
3、铝排基体;
4、铜覆层,通过冷喷涂工艺或热喷涂工艺或pvd技术或cvd技术形成于所述铝排基体的表面的局部区域。
5、在一些实施例中,所述铜覆层的厚度在2~45μm的范围内。
6、在一些实施例中,所述铜覆层的总表面积在100×100mm以内。
7、在一些实施例中,所述铜覆层的电导率高于5.3×107s/m。
8、在一些实施例中,所述铝排基体与所述铜覆层之间的结合强度在5~15mpa之间。
9、在一些实施例中,当在5~50n的载荷下进行耐磨性标准测试时,所述铜覆层的磨损率在3.3×10-6mm3/(m·n)之内。
10、在一些实施例中,所述铜覆层中铜含量在80%~99.99%的范围内。
11、在一些实施例中,所述铝排基体包括1系、5系或6系铝排中的一种。
12、在一些实施例中,所述局部区域通过预处理形成有用于增强与所述铜覆层进行结合的待附着面。
13、在一些实施例中,所述复合铝排用作于电气设备中的导电排。
14、本申请技术方案,提出一种复合铝排。该复合铝排包括铝排基体以及铜覆层,该铜覆层通过冷喷涂工艺或热喷涂工艺或pvd技术或cvd技术形成于铝排基体的表面的局部区域。其中,通过以上表面处理技术将铜覆层形成于铝排基体的表面,铜覆层与铝排基体之间的结合力强,从而保证铜覆层与铝排基体之间的结合牢固,使复合铝排的使用寿命长;此外,在铝排基体的表面的局部区域形成铜覆层,进而本申请提供的复合铝排兼具铝排和铜排的优异性能,即基于铜覆层具有优良的导电性,可代替铜排使用,同时铝排基体能够大大减轻复合铝排的重量,有利于产品轻量化。制作工艺简单,生产成本较低。
技术特征:1.一种复合铝排,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的复合铝排,其特征在于,所述铜覆层的厚度在2~45μm的范围内。
3.根据权利要求1所述的复合铝排,其特征在于,所述铜覆层的总表面积在100×100mm以内。
4.根据权利要求2所述的复合铝排,其特征在于,所述铜覆层的电导率高于5.3×107s/m。
5.根据权利要求1所述的复合铝排,其特征在于,所述铝排基体与所述铜覆层之间的结合强度在5~15mpa之间。
6.根据权利要求1所述的复合铝排,其特征在于,当在5~50n的载荷下进行耐磨性标准测试时,所述铜覆层的磨损率在3.3×10-6mm3/(m·n)之内。
7.根据权利要求1所述的复合铝排,其特征在于,所述铝排基体包括1系、5系或6系铝排中的一种。
8.根据权利要求1所述的复合铝排,其特征在于,所述局部区域通过预处理形成有用于增强与所述铜覆层进行结合的待附着面。
9.根据权利要求1所述的复合铝排,其特征在于,所述复合铝排用作于电气设备中的导电排。
技术总结本申请公开一种复合铝排。该复合铝排包括铝排基体以及铜覆层,该铜覆层通过冷喷涂工艺或热喷涂工艺或PVD技术或CVD技术形成于铝排基体的表面的局部区域。其中,通过以上表面处理技术将铜覆层形成于铝排基体的表面,铜覆层与铝排基体之间的结合力强,从而保证铜覆层与铝排基体之间的结合牢固,使复合铝排的使用寿命长;此外,在铝排基体的表面的局部区域形成铜覆层,进而本申请提供的复合铝排兼具铝排和铜排的优异性能,即基于铜覆层具有优良的导电性,可代替铜排使用,同时铝排基体能够大大减轻复合铝排的重量,有利于产品轻量化,制作工艺简单,生产成本较低。技术研发人员:丁尔受保护的技术使用者:深圳市金尚金新材料技术有限公司技术研发日:20231204技术公布日:2024/9/19本文地址:https://www.jishuxx.com/zhuanli/20240923/304130.html
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