固态摄像装置的制作方法

本公开涉及固态摄像装置。

背景技术：

1、专利文献1公开了一种固态摄像装置。在该固态摄像装置中，在周围由像素间遮光壁包围着的区域中形成有一个像素。在与一个像素对应的位置处，在半导体基板的背面侧形成有光电二极管，并且在半导体基板的正面侧形成有像素电路。像素电路包括放大晶体管、选择晶体管、浮动扩散转换增益切换晶体管和复位晶体管。

2、引用文献列表

3、专利文献

4、专利文献1：日本专利申请特开第2018-148116号公报

技术实现思路

1、在固态摄像装置中，在与一个像素对应的位置处设置有面积较大的元件分离部，该元件分离部用于将多个晶体管、浮动扩散区域、传输晶体管及阱触点彼此分离。所述多个晶体管用于构成像素电路。于是，随着像素的微细化，难以确保用于布置晶体管的面积。因此，期望在固态摄像装置中能够增加用于布置晶体管的面积，从而提高晶体管性能。

2、根据本公开第一实施方案的固态摄像装置包括：第一像素，其包括第一光电转换元件，所述第一光电转换元件被布置于基体的第一面侧上且将光转换为电荷，所述第一面侧是光入射侧；像素分离区域，其沿着所述基体的厚度方向而被形成，当从所述基体的第二面侧观察时所述像素分离区域在第一方向及与所述第一方向相交的第二方向上延伸且包围所述第一像素的侧面周围，并且所述像素分离区域将所述第一像素与其他区域电性地且光学性地分离，所述第二面侧是所述基体的与所述第一面相反的一侧；第一晶体管，其在与所述第一像素对应的位置处被布置于所述基体的所述第二面侧上，所述基体的周围由所述像素分离区域包围着，所述第一晶体管的栅极长度方向相对于所述第一方向或所述第二方向倾斜；以及第一浮动扩散区域、第一传输栅极电极或第一基体连接部，所述第一浮动扩散区域、所述第一传输栅极电极或所述第一基体连接部被布置于与所述第一像素对应的位置处且被布置于位于所述基体的所述第二面侧上的所述第一晶体管的栅极宽度方向上，所述第一传输栅极电极是用于将电荷从所述第一像素向所述第一浮动扩散区域传输的第一传输晶体管的栅极电极，所述第一基体连接部向所述基体供给电压。

3、根据本公开第二实施方案的固态摄像装置包括：第一像素，其包括第一光电转换元件，所述第一光电转换元件被布置于基体的第一面侧上且将光转换为电荷，所述第一面侧是光入射侧；像素分离区域，其沿着所述基体的厚度方向而被形成，当从所述基体的第二面侧观察时所述像素分离区域在第一方向及与所述第一方向相交的第二方向上延伸且包围所述第一像素的侧面周围，并且所述像素分离区域将所述第一像素与其他区域电性地且光学性地分离，所述第二面侧是所述基体的与所述第一面相反的一侧；第一晶体管，其在与所述第一像素对应的位置处被布置于所述基体的所述第二面侧上，所述基体的周围由所述像素分离区域包围着，所述第一晶体管的栅极长度方向相对于所述第一方向或所述第二方向倾斜；第二晶体管，其在与所述第一像素对应的位置处被布置在周围由所述像素分离区域包围着的所述基体的所述第二面侧上，所述第二晶体管的栅极长度方向相对于所述第一方向或所述第二方向倾斜，所述第二晶体管与所述第一晶体管串联地电连接；以及第一浮动扩散区域、第一传输栅极电极或第一基体连接部，所述第一浮动扩散区域、所述第一传输栅极电极或所述第一基体连接部被布置于与所述第一像素对应的位置处且被布置于位于所述基体的所述第二面侧上的所述第一晶体管及所述第二晶体管的栅极宽度方向上，所述第一传输栅极电极是用于将电荷从所述第一像素向所述第一浮动扩散区域传输的第一传输晶体管的栅极电极，所述第一基体连接部向所述基体供给电压。

4、根据本公开第三实施方案的固态摄像装置包括：排列着的多个像素，各个所述像素包括光电转换元件，所述光电转换元件被布置于所述基体的第一面侧上且将光转换为电荷，所述第一面侧是光入射侧；像素分离区域，其沿着所述基体的厚度方向而被形成，且包围所述多个像素中的各者的侧面周围，所述像素分离区域将所述多个像素电性地且光学性地相互分离；晶体管，其在与各个所述像素对应的位置处被布置于所述基体的所述第二面侧上，所述基体的周围由所述像素分离区域包围着，所述晶体管的栅极长度方向相对于所述多个像素的排列方向倾斜；以及浮动扩散区域、传输栅极电极或第一基体连接部，所述浮动扩散区域、所述传输栅极电极或所述第一基体连接部被布置于与各个所述像素对应的位置处且被布置于位于所述基体的所述第二面侧上的所述晶体管的栅极宽度方向上，所述传输栅极电极是用于将电荷从各个所述像素向所述浮动扩散区域传输的传输晶体管的栅极电极，所述第一基体连接部向所述基体供给电压。

5、根据本公开第四实施方案的固态摄像装置包括：第一像素，其包括第一光电转换元件，所述第一光电转换元件被布置于基体的第一面侧上且将光转换为电荷，所述第一面侧是光入射侧；第二像素，其与所述第一像素相邻，且包括第二光电转换元件，所述第二光电转换元件被布置于所述基体的所述第一面侧上且将光转换为电荷；像素分离区域，其被布置于所述第一像素和所述第二像素之间，且沿着所述基体的厚度方向而被形成，所述像素分离区域将所述第一像素和所述第二像素电性地且光学性地相互分离；第一晶体管，其在与所述第一像素对应的位置处被布置于所述基体的所述第二面侧上，所述第一晶体管的栅极长度方向相对于所述第一像素和所述第二像素的排列方向倾斜；第二晶体管，其在与所述第二像素对应的位置处被布置于所述基体的所述第二面侧上，所述第二晶体管的栅极长度方向相对于所述第一像素和所述第二像素的所述排列方向倾斜；以及共用连接部，其直接电连接到所述第一晶体管的一对主电极中的一者和所述第二晶体管的一对主电极中的一者，所述共用连接部将电源电压供给到所述第一晶体管的所述一对主电极中的所述一者和所述第二晶体管的所述一对主电极中的所述一者。

技术特征：

1.固态摄像装置，包括：

2.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中，

3.根据权利要求2所述的固态摄像装置，其中，

4.根据权利要求3所述的固态摄像装置，其中，

5.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中，

6.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中，

7.根据权利要求1所述的固态摄像装置，还包括：

8.根据权利要求7所述的固态摄像装置，其中，

9.根据权利要求8所述的固态摄像装置，其中，

10.根据权利要求9所述的固态摄像装置，其中，

11.根据权利要求8所述的固态摄像装置，其中，

12.根据权利要求8所述的固态摄像装置，其中，

13.根据权利要求7所述的固态摄像装置，还包括：

14.根据权利要求13所述的固态摄像装置，还包括：

15.根据权利要求14所述的固态摄像装置，其中，

16.根据权利要求7所述的固态摄像装置，其中，

17.根据权利要求1所述的固态摄像装置，还包括：

18.根据权利要求15所述的固态摄像装置，其中，

19.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中，

20.根据权利要求2所述的固态摄像装置，其中，

21.固态摄像装置，包括：

22.固态摄像装置，包括：

23.固态摄像装置，包括：

24.根据权利要求23所述的固态摄像装置，其中，

25.根据权利要求24所述的固态摄像装置，其中，

26.根据权利要求23所述的固态摄像装置，其中，

27.根据权利要求23所述的固态摄像装置，其中，

28.根据权利要求23所述的固态摄像装置，其中，

29.根据权利要求23所述的固态摄像装置，还包括：

30.根据权利要求7所述的固态摄像装置，其中，

技术总结固态摄像装置包括：像素，其包括布置于基体的第一面侧上且将光转换为电荷的光电转换元件，所述第一面侧是光入射侧；像素分离区域，其沿着基体的厚度方向而被形成，当从基体的第二面侧观察时所述像素分离区域在第一方向和第二方向上延伸且包围像素的侧面周围，并且所述像素分离区域用于将像素与其他区域分离；晶体管，其在与像素对应的位置处被布置在基体的第二面侧上，基体的周围由所述像素分离区域包围着，所述晶体管的栅极长度方向相对于第一方向或第二方向倾斜；以及FD区域、传输栅极电极或基体连接部，其被布置于与像素对应的位置处且被布置于位于基体的第二面侧上的所述晶体管的栅极宽度方向上，所述传输栅极电极是传输晶体管的栅极电极。技术研发人员：北野良昭,大石秀俊,高桥直广受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司技术研发日：技术公布日：2024/9/29