制造半导体器件的方法和对应的半导体器件与流程

本说明书涉及制造半导体器件。本文所述的解决方案可应用于功率集成电路(ic)半导体器件，例如汽车或工业产品的功率四方扁平无引线(qfn)封装件。

背景技术：

1、在(ic)半导体器件的当前制造工艺中，多个器件被并行处理并且最终将其分割为单独器件。

2、在处理期间，使用包括沿着每一器件的外围延伸的(牺牲)连接杆的金属连接结构将用于多个单独器件的多个衬底(引线框架)固持在引线框架条中。

3、在分割步骤之前，可执行镀覆步骤以便用例如由锡制成的金属(可焊接)层来镀覆引线框架底表面。

4、通过提供在镀覆步骤期间被暴露的相对大的连接杆(例如，比200微米更宽)可以促进某些器件的处理。这导致连接杆在镀覆步骤中被镀覆，从而在连接杆上积聚相当大量的金属。

5、在分割步骤中，刀片被使用以移除连接杆和镀在其上的可焊接金属层。由于积聚在连接杆上的金属量，在分割步骤期间刀片的动作可能产生薄片或细丝，这些薄片或细丝不希望地“桥接”相邻引线，从而引起在其之间的短路。

6、这种不希望的电耦合(短路)导致器件作废(rejection)和/或故障。

7、在本领域中需要旨在解决前述问题的解决方案。

技术实现思路

1、一个或多个实施例涉及一种方法。

2、一个或多个实施例涉及对应的(集成电路)半导体器件。

3、在本文所述的解决方案中，提供处理步骤以抵消可能导致器件失效的细丝/薄片形成。

4、在如本文所述的解决方案中，在切割步骤之前移除在镀覆步骤期间积聚在连接杆的后表面/底表面上的金属材料，以便抵消薄片/细丝的形成。

5、在本文所述的解决方案中，可通过激光烧蚀来从连接杆的后表面/底表面移除金属材料。

技术特征：

1.一种方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述可焊接金属层包括锡。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括经由镀覆在所述公共导电衬底的所述第二表面上提供所述可焊接金属层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中使用激光烧蚀来执行移除所述可焊接金属层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中使用选择性蚀刻来执行移除所述可焊接金属层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中移除所述可焊接金属层包括在沿所述长度分布的所选择的位置处移除所述细长牺牲连接杆。

7.根据权利要求1所述的方法，其中移除所述可焊接金属层包括在系杆处从所述细长牺牲连接杆移除所述可焊接金属层，所述系杆将所述细长牺牲连接杆耦合到所述公共导电衬底中的相邻衬底部分。

8.根据权利要求1所述的方法，其中移除所述可焊接金属层包括从所述系杆的远端移除所述可焊接金属层，所述系杆将所述细长牺牲连接杆耦合到所述公共导电衬底中的相邻衬底部分。

9.一种半导体器件，通过根据权利要求1所述的方法获得。

10.一种方法，包括：

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述可焊接金属层包括锡。

12.根据权利要求10所述的方法，其中在所选择的位置处使用激光烧蚀来执行移除所述可焊接金属层。

13.根据权利要求10所述的方法，其中在所选择的位置处使用选择性蚀刻来执行移除所述可焊接金属层。

14.根据权利要求10所述的方法，其中所选择的位置沿所述牺牲连接杆的所述长度分布。

15.根据权利要求10所述的方法，其中所述引线通过系杆被耦合到所述牺牲性连接杆，并且其中所选择的位置是在所述系杆处的位置。

16.一种半导体器件，通过根据权利要求10所述的方法获得。

17.一种半导体器件，包括：

技术总结本公开涉及制造半导体器件的方法和对应的半导体器件。半导体芯片被布置在公共导电衬底的第一表面上，公共导电衬底具有与第一表面相对的第二表面。衬底包括具有相互面对的侧面的相邻衬底部分，牺牲连接杆在相邻的相互面对的侧面之间延伸。可焊接金属层存在于在牺牲连接杆上延伸的第二表面上。从牺牲连接杆的长度的至少一部分上选择性地移除(例如，通过激光烧蚀或蚀刻)可焊接金属层。然后沿着细长牺牲连接杆的长度切割公共导电衬底，以提供分割的单独半导体器件。阻止了在旨在被彼此隔离的衬底的导电细丝或薄片的不期望的形成。技术研发人员：A·贝利齐,G·卡塔拉诺受保护的技术使用者：意法半导体国际公司技术研发日：技术公布日：2024/10/10