半导体装置以及半导体装置的制造方法与流程

本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。

背景技术：

1、在专利文献1中公开了一种绝缘栅型双极晶体管(insulated gate bipolartransistor：igbt)，其具有至少1个n-漂移层的杂质浓度成为极大值的部位。n-漂移层的杂质浓度从杂质浓度成为极大值的部位朝向p基极层以及p集电极层的方向变低。进一步地，至少在n-漂移层的杂质浓度成为极大值的部位包含氧原子和比氧轻的元素。

2、专利文献1：日本特开2008-91853号公报

3、在专利文献1中，作为si晶片而使用了fz(floating zone)晶片。在专利文献1中，通过质子照射，从形成了igbt的mos(metal-oxide-semiconductor)晶体管的发射极电极侧向si中导入质子，形成了漂移层的杂质分布。因此，作为带电粒子的质子穿过mos晶体管区域。因此，有可能发生mos晶体管特性以及构成mos栅极构造的栅极氧化膜特性的劣化。

技术实现思路

1、本发明是为了解决上述的课题而提出的，其目的在于，得到能够对特性的劣化进行抑制的半导体装置以及半导体装置的制造方法。

2、本发明涉及的半导体装置具有：硅基板，其具有第1面和与所述第1面相反侧的第2面，作为杂质而包含氧；第1电极，其设置于所述第1面；以及第2电极，其设置于所述第2面，所述硅基板具有：n型的漂移层，其杂质浓度越靠所述第2面侧越高；n型的第1缓冲层，其设置于所述漂移层的所述第2面侧，作为杂质而包含质子；以及第2缓冲层，其设置于所述第1缓冲层的所述第2面侧。

3、本发明涉及的半导体装置的制造方法是在通过mcz(magnetic-appliedczochralski)法制造的具有n型漂移层的硅晶片的第1面侧形成半导体层，通过向所述硅晶片的与所述第1面相反侧的第2面进行离子注入，进行退火，从而形成第2缓冲层，在形成了所述第2缓冲层后，向距离所述第2面比所述第2缓冲层深的位置注入质子，在注入了所述质子后对所述质子进行退火，形成第1缓冲层。

4、发明的效果

5、在本发明涉及的半导体装置以及半导体装置的制造方法中，通过将作为杂质而包含氧的硅基板或通过mcz法制造出的硅晶片与作为杂质而包含质子的n型的第1缓冲层组合，从而能够形成漂移层的杂质分布。因此，能够对mos晶体管特性等特性的劣化进行抑制。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，具有：

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，具有：

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

13.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

14.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

15.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

16.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，

17.根据权利要求16所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

18.根据权利要求16或17所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

19.根据权利要求16或17所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

20.根据权利要求16或17所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

21.根据权利要求16或17所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

技术总结目的在于得到能够对特性的劣化进行抑制的半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：硅基板，其具有第1面和与所述第1面相反侧的第2面，作为杂质而包含氧；第1电极，其设置于所述第1面；以及第2电极，其设置于所述第2面，所述硅基板具有：n型的漂移层，其杂质浓度越靠所述第2面侧越高；n型的第1缓冲层，其设置于所述漂移层的所述第2面侧，作为杂质而包含质子；以及第2缓冲层，其设置于所述第1缓冲层的所述第2面侧。技术研发人员：中村胜光受保护的技术使用者：三菱电机株式会社技术研发日：技术公布日：2024/10/17