显示基板及其制备方法、显示装置与流程

本公开涉及但不限于显示，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术：

1、微型有机发光二极管(micro organic light-emitting diode，简称micro-oled)是近年来发展起来的微型显示器，硅基oled是其中的一种。硅基oled不仅可以实现像素的有源寻址，并且可以实现在硅基衬底上制备像素驱动电路等结构，有利于减小系统体积，实现轻量化。硅基oled采用成熟的互补金属氧化物半导体(complementary metal oxidesemiconductor，简称cmos)集成电路工艺制备，具有体积小、高分辨率(pixels per inch，简称ppi)、高刷新率等优点，广泛应用在虚拟现实(virtual reality，简称vr)或增强现实(augmented reality，简称ar)近眼显示领域中。

2、目前，现有硅基oled显示装置存在抗干扰能力较低等问题，降低了显示品质。

技术实现思路

1、以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

2、本公开所要解决的技术问题是，提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，以提高显示装置的抗干扰能力。

3、一方面，本公开提供了一种显示基板，包括形成多个像素行和多个像素列的多个子像素，至少一个子像素包括像素驱动电路，所述像素驱动电路至少包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，所述第一晶体管的第一极与数据信号线连接，所述第一晶体管的第二极与所述第四晶体管的栅电极连接，所述第二晶体管的第一极与第一电源线连接，所述第二晶体管的第二极与所述第四晶体管的第一极连接，所述第三晶体管的第一极与第二电源线连接，所述第三晶体管的第二极与所述第四晶体管的第二极连接；至少一个子像素中，沿着所述像素行方向，所述子像素具有像素宽度，所述第一晶体管的第一极与所述第一晶体管的第二极之间具有极间距离，所述极间距离大于或等于0.5*像素宽度。

4、在示例性实施方式中，所述极间距离大于或等于0.85μm。

5、在示例性实施方式中，沿着所述像素行方向，所述第一晶体管的第一极与所述数据信号线之间具有第一距离，所述第一晶体管的第二极与所述数据信号线之间具有第二距离，所述第二距离大于所述第一距离。

6、在示例性实施方式中，所述第二距离大于或等于5*第一距离。

7、在示例性实施方式中，至少一个子像素中，所述第一晶体管至少包括第一有源层，所述第一有源层的形状为沿着所述像素行方向延伸的条形状，所述第一有源层至少包括第一区和第二区，所述第一有源层的第一区和所述第一有源层的第二区沿着所述像素行方向依次设置。

8、在示例性实施方式中，至少一个子像素中还包括数据连接电极和极间连接电极；所述数据连接电极的第一端通过第一过孔与所述第一有源层的第一区连接，所述数据连接电极的第二端与所述数据信号线连接；所述极间连接电极的第一端通过第二过孔与所述第一有源层的第二区连接，所述极间连接电极的第二端与所述第四晶体管的栅电极连接；所述第一晶体管的第一极与所述第一晶体管的第二极之间的极间距离为所述第一过孔的几何中心与所述第二过孔的几何中心之间的距离，所述第一晶体管的第一极与所述数据信号线之间的第一距离为所述第一过孔的几何中心与所述数据信号线靠近所述第一晶体管一侧的边缘之间的距离，所述第一晶体管的第二极与所述数据信号线之间的第二距离为所述第二过孔的几何中心与所述数据信号线靠近所述第一晶体管一侧的边缘之间的距离。

9、在示例性实施方式中，至少一个子像素中，所述第二晶体管至少包括第二有源层，所述第三晶体管至少包括第三有源层，所述第四晶体管至少包括第四有源层，所述第二有源层、所述第三有源层和所述第四有源层为相互连接的一体结构。

10、在示例性实施方式中，至少一个像素列中，两个相邻的子像素中的第二有源层为相互连接的一体结构。

11、在示例性实施方式中，至少一个像素列中，两个相邻的子像素中的像素驱动电路相对于像素中心线镜像对称，所述像素中心线是位于相邻的两个像素行之间且沿着像素行方向延伸的直线。

12、在示例性实施方式中，至少一个子像素中，所述像素驱动电路还包括第一存储电容和第二存储电容；所述第一存储电容包括第一极板和第二极板，所述第一极板在所述显示基板的平面上的正投影与所述第二极板在所述显示基板的平面上的正投影至少部分交叠，所述第一极板与所述第四晶体管的栅电极连接，所述第二极板与所述第四晶体管的第一极连接；所述第二存储电容包括第三极板和第四极板，所述第三极板在所述显示基板的平面上的正投影与所述第四极板在所述显示基板的平面上的正投影至少部分交叠，所述第三极板与所述第四晶体管的第一极连接，所述第四极板与所述第一电源线连接。

13、在示例性实施方式中，至少一个子像素中，所述第一极板、第二极板、第三极板和第四极板中的至少一个在所述显示基板的平面上的正投影，与所述数据信号线在所述显示基板的平面上的正投影没有交叠。

14、在示例性实施方式中，至少一个子像素中，所述第一电源线在所述显示基板的平面上的正投影与所述数据信号线在所述显示基板的平面上的正投影没有交叠。

15、在示例性实施方式中，至少一个子像素中，还包括至少一条电源连接线，所述电源连接线的形状为沿着像素行方向延伸的线形状，所述第一电源线的形状为沿着像素列方向延伸的线形状，所述第一电源线和所述电源连接线连接，形成传输第一电源信号的网状结构。

16、在示例性实施方式中，垂直于所述显示装置的方向上，所述显示基板至少包括在硅基底上依次设置的第一导电层、第二导电层和第三导电层，所述硅基底至少包括所述第一晶体管至所述第四晶体管的有源层，所述第一导电层至少包括所述第一晶体管至所述第四晶体管的栅电极，所述第二导电层至少包括所述第一晶体管的第一极和第二极，所述第三导电层至少包括所述数据信号线。

17、在示例性实施方式中，所述显示基板还包括设置在所述第三导电层远离所述硅基底一侧的第四导电层、第五导电层、第六导电层、第七导电层和第八导电层，所述第四导电层至少包括第一存储电容的第一极板，所述第五导电层至少包括第一存储电容的第二极板，所述第六导电层至少包括第二存储电容的第三极板，所述第七导电层至少包括第二存储电容的第四极板，所述第八导电层至少包括所述第一电源线。

18、在示例性实施方式中，所述第一存储电容的第一极板通过至少一个连接电极与所述第一晶体管的有源层连接，所述第二存储电容的第三极板通过至少一个连接电极与所述第二晶体管的有源层连接。

19、在示例性实施方式中，所述第二存储电容的第三极板通过过孔与所述第一存储电容的第二极板连接。

20、在示例性实施方式中，所述第一电源线通过过孔与所述第二存储电容的第四极板连接。

21、另一方面，本公开还提供了一种显示装置，包括前述的显示基板。

22、又一方面，本公开还提供了一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括形成多个像素行和多个像素列的多个子像素，至少一个子像素包括像素驱动电路；所述制备方法包括：

23、在至少一个子像素中形成像素驱动电路，所述像素驱动电路至少包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，所述第一晶体管的第一极与数据信号线连接，所述第一晶体管的第二极与所述第四晶体管的栅电极连接，所述第二晶体管的第一极与第一电源线连接，所述第二晶体管的第二极与所述第四晶体管的第一极连接，所述第三晶体管的第一极与第二电源线连接，所述第三晶体管的第二极与所述第四晶体管的第二极连接；沿着所述像素行方向，所述子像素具有像素宽度，所述第一晶体管的第一极与所述第一晶体管的第二极之间具有极间距离，所述极间距离大于或等于0.5*像素宽度。

24、本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，通过设置第一晶体管的第一极与第一晶体管的第二极之间的距离大于或等于0.5*像素宽度，可以有效减小第一晶体管的第一极与第一晶体管的第二极之间的相互影响，可以保证像素驱动电路关键节点电位的稳定性，提高了显示装置的抗干扰能力，提高了显示品质。

25、在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。