具有密集外延侧接触部的VCSEL的制作方法

本公开涉及垂直腔表面发射激光器(vcsel)，更具体地，涉及在基板的外延侧具有密集接触部的vcsel。

背景技术：

1、vcsel阵列可用于各种应用，例如各种三维(3d)传感应用。在一些情况下，vcsel阵列可以包括大量的发射器，典型地具有用于不同发射器组的单独连接。

技术实现思路

1、根据一些可行的实施方式，发射器可以包括:基板；至少在沟槽的底表面上的导电层；第一金属层，用于在基板的外延侧上提供发射器的第一电接触部，其中第一金属层在沟槽内，使得第一金属层接触部沟槽内的导电层；第二金属层，用于在基板的外延侧上提供发射器的第二电接触部；以及绝缘注入物物，用于阻挡第一电接触部和第二电接触部之间的横向电流流动。

2、根据一些可行的实施方式，一种方法可包括:至少在沟槽的底表面上形成导电层；形成与在发射器的基板的外延侧上提供第一电接触部相关的第一金属层，其中第一金属层形成在沟槽内，使得第一金属层接触沟槽内的导电层；形成与在基板的外延侧上提供第二电接触部相关的第二金属层；以及形成与阻挡第一电接触部和第二电接触部之间的横向电流流动相关的绝缘注入物。

3、根据一些可行的实施方式，vcsel可以包括:基板；至少在沟槽的底表面上的导电层；与沟槽内的导电层接触的第一金属层，其中第一金属层在基板的外延侧上提供vcsel的第一电接触部；在第一金属层上方的第二金属层，其中第二金属层在基板的外延侧上提供vcsel的第二电接触部；以及绝缘注入物，其围绕所述vcsel的孔并且位于所述孔和所述沟槽的内侧壁之间，其中所述绝缘注入物用于阻挡所述第一电接触部和所述第二电接触部之间的横向电流流动。

技术特征：

1.一种发射器阵列，包括：

2.根据权利要求1所述的发射器阵列，其中所述绝缘沟槽的宽度小于或等于大约10微米。

3.根据权利要求1所述的发射器阵列，其中所述绝缘沟槽的宽度小于所述绝缘沟槽的深度。

4.根据权利要求1所述的发射器阵列，其中所述第一发射器与所述第二发射器并联连接。

5.一种方法，包括：

6.根据权利要求1所述的发射器阵列，还包括：

7.根据权利要求6所述的发射器阵列，其中所述第三发射器位于所述发射器阵列的第二列中，

8.根据权利要求7所述的发射器阵列，其中所述列和所述第二列与所述第一行和所述第二行正交。

9.根据权利要求6所述的发射器阵列，其中所述第一发射器和所述第三发射器之间的中心到中心距离等于所述第一发射器和所述第二发射器之间的中心到中心距离。

10.根据权利要求6所述的发射器阵列，其中所述第一下部电极延伸至所述基板的所述外延侧上的所述第一发射器和所述第三发射器之间。

11.根据权利要求1所述的发射器阵列，其中所述绝缘注入物沿着将所述第一发射器和所述第二发射器分离的所述绝缘沟槽的侧部延伸。

12.根据权利要求11所述的发射器阵列，其中所述绝缘注入物被配置为相对于所述第一发射器使所述第一下部电极与所述上部电极电绝缘，

13.根据权利要求1所述的发射器阵列，其中所述第一发射器和所述第二发射器之间的中心到中心距离跨越所述绝缘沟槽。

14.根据权利要求1所述的发射器阵列，其中所述第一下部电极和所述第二下部电极是阴极，并且其中所述上部电极是阳极。

15.根据权利要求5所述的方法，还包括：

16.根据权利要求5所述的方法，其中形成所述绝缘注入物包括：

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述绝缘注入物与相对于所述第一发射器使所述第一下部电极与所述上部电极电绝缘相关联，

18.根据权利要求5所述的方法，其中所述绝缘沟槽的宽度小于或等于大约10微米。

19.根据权利要求5所述的方法，其中所述绝缘沟槽的宽度小于所述绝缘沟槽的深度。

20.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一发射器与所述第二发射器之间的中心到中心距离跨越所述绝缘沟槽。

技术总结发射器可以包括基板、至少在沟槽的底表面上的导电层、以及在基板的外延侧上提供发射器的第一电接触部的第一金属层。第一金属层可以在沟槽内，使得第一金属层接触部沟槽内的导电层。发射器还可以包括第二金属层，以在基板的外延侧上提供发射器的第二电接触部，以及绝缘注入物，以阻挡第一电接触部和第二电接触部之间的横向电流流动。技术研发人员：E·R·赫格布洛姆,A·袁受保护的技术使用者：朗美通经营有限责任公司技术研发日：技术公布日：2024/11/18