本发明的一个方式涉及一种半导体装置。2.本发明的一个方式不限定于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。此外,本发明的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。因此,具体而言,作为本说明书所公开的本发明的一个方式的技术领域的例子可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、蓄电装置、摄像装置、存储装置、信号处理装置、处理器、电子设备、系统、它们的驱动方法
存储器装置中的薄膜晶体管层叠选择交叉参考2.本专利申请案主张维梅尔卡蒂(vimercati)的在2021年5月21日提交申请的标题为“存储器装置中的薄膜晶体管层叠选择(thin film transistor deck selection in a memory device)”的美国专利申请案第17/327,035号的优先权,所述美国专利申请案转让给本发明受让人且其以全文引用的方式明确并入本文中。技术领域3.本技术领域涉及存储器装置中的薄膜晶体管层叠选择。
存储器装置中的薄膜晶体管层叠选择交叉参考2.本专利申请案主张维梅尔卡蒂(vimercati)的在2021年5月21日提交申请的标题为“存储器装置中的薄膜晶体管层叠选择(thin film transistor deck selection in a memory device)”的美国专利申请案第17/327,042号的优先权,所述美国专利申请案转让给本发明受让人且其以全文引用的方式明确并入本文中。技术领域3.本技术领域涉及存储器装置中的薄膜晶体管层叠选择。
存储器装置中的薄膜晶体管层叠选择交叉参考2.本专利申请案主张维梅尔卡蒂(vimercati)的在2021年5月21日提交申请的标题为“存储器装置中的薄膜晶体管层叠选择(thin film transistor deck selection in a memory device)”的美国专利申请案第17/327,004号的优先权,所述美国专利申请案转让给本发明受让人且其以全文引用的方式明确并入本文中。技术领域3.本技术领域涉及存储器装置中的薄膜晶体管层叠选择。
本发明的一个方式涉及一种半导体装置。2.本发明的一个方式不限定于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。此外,本发明的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。因此,具体而言,作为本说明书所公开的本发明的一个方式的技术领域的例子可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、蓄电装置、摄像装置、存储装置、信号处理装置、处理器、电子设备、系统、它们的驱动方法