一种碳酸钴前驱体及其制备方法和应用与流程

1.本发明属于正极材料技术领域，具体涉及一种碳酸钴前驱体及其制备方法和应用。


背景技术：

2.钴酸锂被广泛应用于3c数码电子产品，随着便携设备功能多样化，使用场景多样化，市场对钴酸锂电池的能量密度要求越来越高，目前工业上常见的工艺是通过掺杂元素al来提过正极材料的充电电压，从而提高电池的能量密度。
3.掺al的方式有很多种，可以在制备配li煅烧阶段加入al盐混合煅烧，也可以在合成碳酸钴阶段加入al盐通过共沉淀实现元素掺杂，因后者的方法简单，含量可控，被广泛应用。然而，随着掺al量越来越高，反应过程、洗涤以及煅烧时颗粒表面局部出现片状偏析以及煅烧开裂的问题，大多通过改善表面形貌或者提高反应温度解决。
4.cn113307308a公开了一种掺杂型大颗粒碳酸钴及其制备方法，大颗粒碳酸钴掺杂金属元素，一次颗粒形貌为锥形，一次颗粒组成球形的二次颗粒，制备方法包括造核、浓缩、晶种釜内生长、晶种分釜生长几个步骤。本发明的掺杂型大颗粒碳酸钴结晶度较高，有利于掺杂元素铝的均匀分布，振实密度较高，粒径分布较窄，有利于减少铝偏析现象。然而这只适用于低浓度al掺杂的方法。
5.cn114014374a公开了一种核壳结构的碳酸钴复合前驱体以及烧结钴酸锂包覆的制备方法与应用，该方法通过以下步骤来实现：1)溶液配置与合成；2)一次烧结；3)二次烧结；4)球磨；5)三次烧结得到包覆cnts与核壳结构的钴酸锂。但此方法所得到的的包覆层不均匀，与基体晶格结构不一致，导致容易脱落，同时三次烧结也会影响机体性能。
6.因此，如何抑制铝偏析，避免因高掺铝带来的形貌较差以及煅烧开裂，是亟待解决的技术问题。


技术实现要素：

7.针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种碳酸钴前驱体及其制备方法和应用。本发明提供了一种具有碳酸钴包覆层的碳酸钴前驱体，以碳酸钴为基体，其表面包括含有第一掺杂元素的碳酸钴包覆层。经煅烧后，氧化钴表面包覆层的元素和基体元素相互扩散会形成多功能表面梯度包覆，这不仅可以有效抑制颗粒表面的铝偏析，阻止煅烧时颗粒的开裂，改善表面形貌，还可以有效避免正极材料被电解液腐蚀，提高电池的循环和倍率性能。
8.为达到此发明目的，本发明采用以下技术方案：
9.第一方面，本发明提供一种碳酸钴，所述碳酸钴包括al掺杂碳酸钴基体和包覆在所述al掺杂碳酸钴基体表面的碳酸钴包覆层，所述碳酸钴包覆层中含有al以及其他掺杂元素。
10.本发明提供了一种以铝掺杂碳酸钴为基体，其表面为含有al元素以及其他掺杂元
素的碳酸钴包覆层的碳酸钴前驱体。含有al元素的包覆层可以有效防止基体中al的偏析，通过补充其他元素来替代al对颗粒结构起到保护作用和提供相应的功能，从而获得多功能表面包覆层，可以加快正极材料li传输速度、提高容量、环缓解电解液腐蚀、提高循环和倍率性能。
11.本发明中，如果在碳酸钴基体的表面不包覆碳酸钴包覆层，则在后续的煅烧阶段颗粒的表面会出现局部片状al偏析以及颗粒开裂等问题。
12.需要注意的是，表面包覆层的主要组成中包含碳酸钴，如果替换为纯的掺杂元素的化合物作为包覆层，会导致晶格差距过大，包覆层容易脱落且降低正极材料的容量。
13.优选地，所述碳酸钴包覆层中的其他掺杂元素包括mn、ni、mg、zr或la中的任意一种或至少两种的组合。
14.优选地，所述al掺杂碳酸钴基体中的al掺杂量为8000ppm-20000ppm，例如8000ppm、9000ppm、10000ppm、11000ppm、12000ppm、13000ppm、14000ppm、15000ppm、16000ppm、17000ppm、18000ppm、19000ppm或20000ppm等。
15.优选地，以所述碳酸钴包覆层的质量为100％计，所述碳酸钴包覆层中al的含量为所述al掺杂碳酸钴基体中al掺杂量的10-50％，例如10％、15％、20％、25％、30％、35％、40％、45％或50％等。
16.本发明中，如果碳酸钴包覆层中的al元素的含量过少，则会减弱对材料的改性作用，而含量过多，则起不到防止偏析的作用。
17.优选地，以所述碳酸钴基体的质量为100％计，所述碳酸钴包覆层中其他掺杂元素的含量为碳酸钴基体中的al掺杂量与碳酸钴包覆层中al的含量的差值。若碳酸钴包覆层中其他掺杂元素的含量大于上述差值，会降低材料比容量；而碳酸钴包覆层中其他掺杂元素的含量小于上述差值，会导致支撑作用减弱，会导致采用其制备的电池的容量、首效和循环性能降低。
18.优选地，所述碳酸钴包覆层中其他掺杂元素的含量为al掺杂碳酸钴基体中al掺杂量的50％-90％，例如50％、55％、60％、65％、70％、75％、80％、85％或90％等。
19.优选地，以所述al掺杂碳酸钴基体的质量为100％计，所述碳酸钴基体中的其他掺杂元素的含量小于0.05％，例如0.01％、0.02％、0.03％或0.04％等。
20.优选地，所述碳酸钴包覆层的厚度为1-2μm，例如1μm、1.5μm或2μm等。
21.本发明中，如果碳酸钴包覆层的厚度过薄，则煅烧过程容易脱落，不能有效抑制偏析及开裂问题，而厚度过厚，则影响机体的电化学性能。
22.第二方面，本发明提供了一种如第一方面所述的碳酸钴的制备方法，所述制备方法包括：
23.采用含co和al的金属溶液和碱性溶液进行共沉淀反应制备碳酸钴，在碳酸钴颗粒生长至接近预设粒径时，进行(a)或(b)中的任意一种操作后，继续反应得到碳酸钴，其中，
24.(a)变更所述金属溶液为第一包覆液，所述第一包覆液的成分包括：钴盐溶液、al及其他掺杂元素；
25.(b)替换部分所述金属溶液为第二包覆液，得到混合包覆液，所述第二包覆液的成分包括al及其他掺杂元素。
26.本发明中，含co和al的金属溶液和碱性溶液作为碳酸钴前驱体的原料，加入到反
应容器中进行共沉淀反应，当碳酸钴颗粒的粒径生长至接近预设粒径时，将原含co和al的金属溶液全部更换为含钴盐溶液、al及其他掺杂元素的第一包覆液，或者将部分含co和al的金属溶液替换为含al及其他掺杂元素的第二包覆液，继续共沉淀反应，最终得到预设粒径的碳酸钴前驱体。通过在共沉淀反应过程中进行原料的更换从而实现包覆工艺，不仅可以阻止al偏析，而且可以在碳酸钴基体的表面实现全包覆，达到完全覆盖，实现更好的保护作用。
27.优选地，所述接近预设粒径为：预设粒径和实际粒径的差值为1-2μm，例如1μm、1.5μm或2μm等。
28.本发明中，若预设粒径和实际粒径的差值过大，则会影响包覆层厚度。
29.优选地，所述采用含co和al的金属溶液和碱性溶液进行共沉淀反应制备碳酸钴的方法包括以下步骤：
30.(1)分别配制含co和al的金属溶液、碱性溶液和底液；
31.(2)向反应容器中加入底液，以并流的方式加入含co和al的金属溶液和碱性溶液，共沉淀反应。
32.本发明对含钴溶液、碱性溶液和底液的制备顺序不做限定，可以依次进行溶液的配制，或者同步进行。
33.在一个实施方式中，先将底液置于容器内部，含co和al的金属溶液和碱性溶液以并流的方式加入到容器中，进行共沉淀反应。随着反应不断进行，颗粒长大，颗粒粒径逐渐接近预设粒径，当接近预设粒径时，更换部分含co和al的金属溶液为第二包覆液，此时第二包覆液和含钴溶液的混合溶液与碱性溶液继续加入到容器中进行反应，最终得到预设粒径的碳酸钴前驱体，碳酸钴基体的表面形成含有al及其它掺杂元素的碳酸钴包覆层。
34.优选地，所述含co溶液包括cocl2、coso4或cono3中的任意一种或至少两种的组合。
35.优选地，所述含al化合物包括alcl、also4或alno3中的任意一种或至少两种的组合。
36.优选地，所述含co和al的金属溶液的co浓度为90-130g/l，例如90g/l、95g/l、100g/l、105g/l、110g/l、115g/l、120g/l、125g/l或130g/l等。
37.优选地，所述含co和al的金属溶液的al浓度为1-2g/l，例如1g/l、1.2g/l、1.4g/l、1.6g/l、1.8g/l或2g/l等。
38.优选地，所述碱性溶液为含有碳酸根和/或碳酸氢根的盐溶液，优选为碳酸氢铵溶液。
39.优选地，所述碱性溶液的浓度为220-260g/l，例如220g/l、225g/l、230g/l、235g/l、240g/l、245g/l、250g/l、255g/l或260g/l等。
40.优选地，所述底液溶液的浓度为0-50g/l，且不含0g/l，例如5g/l、10g/l、15g/l、20g/l、25g/l、30g/l、35g/l、40g/l、45g/l或50g/l等。
41.优选地，进行步骤(a)后，所述第一包覆液的al浓度为0.2-1g/l，例如0.2g/l、0.4g/l、0.6g/l、0.8g/l或1g/l等。
42.优选地，进行步骤(b)后，所述混合包覆液的al浓度为0.2-1g/l，例如0.2g/l、0.4g/l、0.6g/l、0.8g/l或1g/l等。
43.本发明中，若包覆液的al元素的含量过少，则会减弱对材料的改性作用，而含量过
多，则起不到防止偏析的作用。
44.优选地，所述共沉淀反应的温度为35-55℃，例如35℃、40℃、45℃、50℃、或55℃等。
45.优选地，所述共沉淀反应的ph为7.2-7.6，例如7.2、7.3、7.4、7.5或7.6等。
46.优选地，所述共沉淀反应在搅拌条件下进行，搅拌的转速为100-300r/min，例如100r/min、150r/min、200r/min、250r/min或300r/min等。
47.优选地，所述继续反应的温度为40-55℃，例如40℃、45℃、50℃或55℃等。
48.优选地，所述继续反应的ph为7.2-7.6，例如7.2、7.3、7.4、7.5或7.6等。
49.第三方面，本发明提供一种如第一方面所述的碳酸钴煅烧得到的氧化钴材料。
50.优选地，所述氧化钴材料包括氧化钴内核和位于所述氧化钴内核表面的氧化钴包覆层，所述氧化钴包覆层中的al和其他掺杂元素梯度分布。
51.本发明中，煅烧后表面包覆层元素会和基体元素相互扩散，形成表面梯度包覆，实现表面包覆层功能的多元化，不仅能起有效地避免表面偏析、形貌开裂等问题，还可以加快正极材料li传输速度，缓解电解液腐蚀，提高循环和倍率性能。
52.优选地，所述包覆为全部包覆。
53.本发明中，包覆的方式为全部包覆，可以防止颗粒开裂以及al偏析。
54.优选地，所述氧化钴材料的制备方法包括：采用第二方面所述的方法制备碳酸钴，陈化后煅烧，得到氧化钴。
55.本发明中，陈化是为了静置一段时间，使煅烧得到的氧化钴粒径更加均匀。
56.优选地，所述陈化的时间为1-2h，例如1h、1.5h或2h等。
57.优选地，所述煅烧的温度为500-800℃，例如500℃、550℃、600℃、650℃、700℃、750℃或800℃等。
58.优选地，所述煅烧的时间为1-4h，例如1h、1.5h、2h、2.5h、3h、3.5h或4h等。
59.作为本发明的一个优选技术方案，所述制备方法包括以下步骤：
60.(1)将钴盐溶液和al盐溶液混合，配制成co浓度为90-130g/l，al的浓度为1-2g/l的溶液a；配制浓度为220-260g/l的碱性溶液b；配制含有钴盐溶液、al及mn、ni、mg、zr或la中的任意一种或至少两种组合的溶液c，al浓度为0.2-1g/l；配制反应容器的底液，浓度为0-50g/l，且不含0g/l；
61.(2)向反应容器中加入底液，并以并流的方式加入溶液a和溶液b，在35-55℃、ph为7.2-7.6的条件下进行共沉淀反应；
62.(3)在碳酸钴颗粒生长至接近预设粒径时，溶液a变更为溶液c，继续反应得到碳酸钴；
63.(4)将得到的碳酸钴颗粒陈化1-2h，并在500-800℃下煅烧1-4h，得到氧化钴。
64.第四方面，本发明提供了一种锂离子电池，所述锂离子电池的正极中包括第三方面所述的氧化钴。
65.本发明所述的数值范围不仅包括上述列举的点值，还包括没有列举出的上述数值范围之间的任意的点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
66.相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：
67.本发明通过提供一种具有碳酸钴包覆层的碳酸钴前驱体，以碳酸钴为基体，其表面为含有第一掺杂元素的碳酸钴包覆层。经煅烧后，氧化钴表面包覆层的元素和基体元素会相互扩散形成多功能表面梯度包覆层，不仅有效抑制了颗粒表面的铝偏析，阻止了煅烧时颗粒的开裂，改善了表面形貌，还有效避免了正极材料被电解液腐蚀，加快正极材料li传输速度，提高电池的循环和倍率性能。
附图说明
68.图1为本发明实施例1提供的碳酸钴前驱体的结构示意图。
69.图2为本发明实施例1提供的包覆改性的碳酸钴颗粒扫描图，放大倍数为10000倍。
70.图3为本发明实施例1提供的包覆改性的氧化钴颗粒扫描图，放大倍数为10000倍。
71.其中，1-碳酸钴基体；2-碳酸钴包覆层。
具体实施方式
72.下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
73.实施例1
74.本实施例提供了一种碳酸钴，如图1所示，所述碳酸钴包括碳酸钴基体1和包覆在所述碳酸钴基体1表面的碳酸钴包覆层2，所述碳酸钴包覆层2中含有元素al和mn，所述碳酸钴基体1中含有元素al。碳酸钴包覆层2中的al元素的含量为4200ppm，mn元素的含量为9800ppm，碳酸钴基体1中的al元素的含量14000ppm，其中碳酸钴包覆层2中的al元素的含量为碳酸钴基体1中的al元素的含量的30％，mn元素的含量为碳酸钴基体1中的al元素的含量的70％。
75.本实施例还提供了一种上述碳酸钴以及煅烧得到氧化钴的制备方法，所述制备方法具体包括以下步骤：
76.(1)将cocl2溶液和al2(so4)3溶液混合，配制成co浓度为90g/l，al浓度为1.35g/l的溶液a；配制浓度为220g/l的碳酸氢铵溶液b；配制含有cocl2、al元素和mn元素的第一包覆液c，所述第一包覆液c的al浓度为0.6g/l；配制反应容器的底液碳酸氢铵溶液，浓度为15g/l；
77.(2)向反应容器中加入底液，并以并流的方式加入溶液a和溶液b，在45℃、ph为7.4的条件下进行共沉淀反应，转速为150r/min；
78.(3)在碳酸钴颗粒生长至15μm时，更换溶液a为第一包覆液c，调整反应温度为50℃，ph为7.4，继续反应，得到粒径为16.5μm的碳酸钴前驱体，，其碳酸钴包覆层的厚度为1.5μm。
79.图2为本发明实施例1提供的经包覆改性的碳酸钴颗粒扫描图，由图可以看出，经包覆改性后，碳酸钴包覆层致密均匀，实现了全部包覆。
80.本实施例还提供了一种氧化钴，通过采用上述的碳酸钴作为前驱体煅烧制备得到，制备方法包括：
81.将得到的碳酸钴颗粒陈化1.5h，并在650℃下煅烧2.5h，得到氧化钴。
82.图3为本发明实施例1提供的经包覆改性的氧化钴颗粒扫描图，由图可以看出，经
包覆改性后，氧化钴颗粒表面致密，晶型均匀无开裂，包覆效果良好。
83.实施例2
84.本实施例提供了一种碳酸钴，所述碳酸钴包括碳酸钴基体和包覆在所述碳酸钴基体表面的碳酸钴包覆层，所述碳酸钴包覆层中含有元素al和mn，所述碳酸钴基体中含有元素al。碳酸钴包覆层中的al元素的含量为4000ppm，mn元素的含量为4000ppm，碳酸钴基体中的al元素的含量8000ppm，其中碳酸钴包覆层中的al元素的含量为碳酸钴基体中的al元素的含量的50％，mn元素的含量为碳酸钴基体中的al元素的含量的50％。
85.本实施例还提供了一种上述碳酸钴以及煅烧得到氧化钴的制备方法，所述制备方法具体包括以下步骤：
86.(1)将coso4溶液和al2no3溶液混合，配制成co浓度为110g/l，al浓度为1.5g/l的溶液a；配制浓度为240g/l的碳酸氢铵溶液b；配制含有coso4、al元素和mn元素的第一包覆液c，浓度为0.3g/l；配制反应容器的底液碳酸氢铵溶液，浓度为25g/l；
87.(2)向反应容器中加入底液，并以并流的方式加入溶液a和溶液b，在35℃、ph为7.2的条件下进行共沉淀反应，转速为100r/min；
88.(3)在碳酸钴颗粒生长至16μm时，更换溶液a为第一包覆液c，调整反应温度为40℃，ph为7.2，继续反应，得到粒径为17μm的碳酸钴前驱体，，其碳酸钴包覆层的厚度为1μm。
89.本实施例还提供了一种氧化钴，通过采用上述的碳酸钴作为前驱体煅烧制备得到，制备方法包括：
90.将得到的碳酸钴颗粒陈化1h，并在500℃下煅烧4h，得到氧化钴。
91.实施例3
92.本实施例提供了一种碳酸钴，所述碳酸钴包括碳酸钴基体和包覆在所述碳酸钴基体表面的碳酸钴包覆层，所述碳酸钴包覆层中含有元素al、mn和ni，所述碳酸钴基体中含有元素al。碳酸钴包覆层中的al元素的含量为2000ppm，mn元素的含量为10000ppm，ni元素的含量为8000ppm，碳酸钴基体中的al元素的含量20000ppm，其中碳酸钴包覆层中的al元素的含量为碳酸钴基体中的al元素的含量的10％，mn和ni元素的含量之和为碳酸钴基体中的al元素的含量的90％。
93.本实施例还提供了一种上述碳酸钴以及煅烧得到氧化钴的制备方法，所述制备方法具体包括以下步骤：
94.(1)将cono3溶液和alcl3溶液混合，配制成co浓度为130g/l，al浓度为2g/l的溶液a；配制浓度为260g/l的碳酸氢铵溶液b；配制含有cono3、al元素、mn元素和ni元素的第一包覆液c，浓度为1g/l；配制反应容器的底液碳酸氢铵溶液，浓度为50g/l；
95.(2)向反应容器中加入底液，并以并流的方式加入溶液a和溶液b，在55℃、ph为7.6的条件下进行共沉淀反应，转速为300r/min；
96.(3)在碳酸钴颗粒生长至18μm时，更换溶液a为第一包覆液c，调整反应温度为40℃，ph为7.2，继续反应，得到粒径为20μm的碳酸钴前驱体，，其碳酸钴包覆层的厚度为2μm。
97.本实施例还提供了一种氧化钴，通过采用上述的碳酸钴作为前驱体煅烧制备得到，制备方法包括：
98.将得到的碳酸钴颗粒陈化2h，并在800℃下煅烧1h，得到氧化钴。
99.实施例4
100.本实施例与实施例1的不同之处为，碳酸钴包覆层中的al元素的含量为1120ppm，也即为碳酸钴基体中的al元素的含量的8％。
101.其余制备方法和参数与实施例1保持一致。
102.实施例5
103.本实施例与实施例1的不同之处为，碳酸钴包覆层中的al元素的含量为7700ppm，也即为碳酸钴基体中的al元素的含量的55％。
104.其余制备方法和参数与实施例1保持一致。
105.实施例6
106.本实施例与实施例1的不同之处为，碳酸钴包覆层中的mn元素的含量为5600ppm，也即为碳酸钴基体中的al元素的含量的40％。
107.其余制备方法和参数与实施例1保持一致。
108.实施例7
109.本实施例与实施例1的不同之处为，碳酸钴包覆层中的mn元素的含量为13300ppm，也即为碳酸钴基体中的al元素的含量的95％。
110.其余制备方法和参数与实施例1保持一致。
111.实施例8
112.本实施例与实施例1的不同之处为，步骤(3)中得到的碳酸钴包覆层的厚度为0.5μm
113.其余制备方法和参数与实施例1保持一致。
114.实施例9
115.本实施例与实施例1的不同之处为，步骤(3)中得到的碳酸钴包覆层的厚度为2.5μm
116.其余制备方法和参数与实施例1保持一致。
117.对比例1
118.本对比例与实施例1的不同之处为，步骤(1)中配制含有al元素和mn元素而不含有cocl2的第一包覆液c。
119.其余制备方法和参数与实施例1保持一致。
120.对比例2
121.本对比例与实施例1的不同之处为，步骤(1)中配制含有cocl2和al元素的第一包覆液c。
122.其余制备方法和参数与实施例1保持一致。
123.性能测试：
124.采用实施例1-9以及对比例1-2制备的氧化钴作为前驱体制备正极活性材料，并组装成锂离子电池，其中，正极的制备方法为氧化钴前驱体与锂盐按比例混合在800℃下煅烧24h，即可制备正极活性材料，将活性材料、导电剂、粘结剂按照75:15:10的比例混合均匀涂抹于裁切好的铝箔上，在真空干燥箱中干燥即可制得正极极片；
125.负极为锂片；
126.电解液的组成为：1mol/l的lipf6溶液，溶剂为dmc、ec、dec和emc按照体积比1:1:1:1的混合溶剂；
127.隔膜型号：celgard 2400；
128.测试比容量：在0.1c充电，0.1c放电，电压窗口2-4.5v下测试比容量，记录放电比容量；
129.测试循环性能：在0.1c充电，0.2c放电，电压窗口2-4.5v下测试循环性能；
130.测试倍率性能：在0.5c充电，1c放电，电压窗口2-4.5v下测试倍率性能，记录放电比容量。
131.表1
[0132][0133]
分析：
[0134]
实施例1-9的数据结果表明，经过含al及其他掺杂元素的碳酸钴包覆层包覆后，颗粒表面的al偏析得到了抑制，颗粒的表面形貌也得到了改善，制备的锂离子电池的性能也得到明显提升。
[0135]
实施例1与实施例4和5的数据结果对比可知，当碳酸钴包覆层中的al元素的含量过低时，对材料的改性作用减弱，因此比容量和电池的循环稳定性有所下降，其倍率性能也较差，而碳酸钴包覆层中的al元素的含量过高时，则抑制al偏析的功能被削弱，导致电池倍率性能明显下降。
[0136]
实施例1与实施例6和7的数据结果对比可知，碳酸钴包覆层中其他掺杂元素的含量过少，导致电池的稳定性下降，倍率性能降低，而碳酸钴包覆层中其他掺杂元素的含量过
多，则使得材料比容量降低，电池的循环稳定性下降。
[0137]
实施例1与实施例8和9的数据结果对比可知，当碳酸钴包覆层的厚度过薄时，煅烧的过程会容易脱落，从而不能有效抑制偏析和解决开裂问题，因此材料比容量和电池的循环稳定性、倍率性能都有所降低，而碳酸钴包覆层的厚度过厚时，则影响了机体的电化学性能，导致材料比容量减少，电池的循环稳定性和倍率性能下降。
[0138]
实施例1与对比例1的数据结果对比可知，当包覆层为al和其他掺杂元素的包覆层而不含碳酸钴时，不仅无法有效地抑制颗粒表面的al偏析，改善表面形貌，而且材料的比容量明显下降，电池的循环稳定性和倍率性能也明显降低。
[0139]
实施例1与对比例2的数据结果对比可知，碳酸钴包覆层中不含al之外的掺杂元素，则无法实现表面包覆层的多功能化，使得材料的比容量显著下降，电池的循环稳定性和倍率性能明显降低。
[0140]
综上所述，经过包覆后al的偏析得到抑制，材料的比容量显著提升，同时循环性能也大幅度提升，证明包覆层稳固不易脱落，且能有效防止正极材料结构崩塌等情况；倍率性能改善效果明显，表明包覆层中可提供快速锂离子传输通道的，充当锂离子传输中转站，从而优化材料倍率性能。
[0141]
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细方法，但本发明并不局限于上述详细方法，即不意味着本发明必须依赖上述详细方法才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。