电压调节装置及采用其的存储器的制作方法

技术特征：
1.一种电压调节装置，用于调节预设采样点处的电压，其特征在于，包括：运算放大器，包括反相输入端、同相输入端及输出端，所述反相输入端输入一参考电压，所述同相输入端与所述预设采样点电连接，用于输入所述预设采样点的电压，形成反馈环路；上拉晶体管，包括控制端、第一端及第二端，所述控制端与所述运算放大器的所述输出端电连接，所述第一端与电源电连接，所述第二端与所述预设采样点电连接；下拉晶体管，包括控制端、第一端及第二端，所述控制端与所述运算放大器的所述输出端电连接，所述第一端与接地端电连接，所述第二端与所述预设采样点电连接。2.根据权利要求1所述的电压调节装置，其特征在于，所述上拉晶体管为pmos管，所述下拉晶体管为nmos管。3.根据权利要求2所述的电压调节装置，其特征在于，所述下拉晶体管的下拉能力大于所述上拉晶体管的上拉能力。4.根据权利要求1所述的电压调节装置，其特征在于，在上拉或者轻载时，所述电压调节装置工作于甲乙类模式下，在重载时，所述电压调节装置的工作在甲类模式下。5.根据权利要求1所述的电压调节装置，其特征在于，所述上拉晶体管与所述下拉晶体管为低压晶体管。6.根据权利要求1所述的电压调节装置，其特征在于，所述电压调节装置还包括开关管，所述上拉晶体管的第二端及所述下拉晶体管的第二端与所述开关管电连接。7.根据权利要求6所述的电压调节装置，其特征在于，所述预设采样点设置在所述上拉晶体管的第二端及所述下拉晶体管的第二端与所述开关管连接的路径上，或者所述上拉晶体管的第二端及所述下拉晶体管的第二端通过所述开关管与所述预设采样点电连接。8.根据权利要求6所述的电压调节装置，其特征在于，所述开关管为高压晶体管。9.根据权利要求6所述的电压调节装置，其特征在于，所述电压调节装置还包括电平转换器，所述电平转换器与所述开关管电连接，用于将电压信号进行电平转换后作为所述开关管的控制信号。10.一种存储器，其特征在于，包括：存储阵列，包括公共源极端；如权利要求1～9任意一项所述的电压调节装置，与所述公共源极端电连接，用于将所述公共源极端连接至接地端，所述预设采样点设置在所述公共源极端与所述电压调节装置的连接路径上。