一种动态可重构的RAM读写方式的制作方法

2021-05-14 11:31:00 来源：中国专利 TAG：读写方式重构动态 ram

技术总结
本发明公开了一种动态可重构的RAM读写方式，在原始的顺序读写RAM的基础上，增加按奇偶元素分别存储两块RAM的读写方式、按上下三角元素分别存储两块RAM的读写方式、按奇偶行分别存储两块RAM的读写方式以及按行顺序存储到RAM的读写方式。通过寄存器设置能够实现RAM读写方式的改变，从而在硬件电路层面实现RAM读写方式的可重构。写方式的可重构。写方式的可重构。

技术研发人员：朱珂王李伟陶常勇汪欣王元磊王盼王永胜李晓颖刘长江李文强
受保护的技术使用者：井芯微电子技术（天津）有限公司
技术研发日：2021.03.02
技术公布日：2021/5/14

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