存储器装置及其操作方法与流程

技术特征：
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括多个串；电压发生电路，该电压发生电路被配置为在所述多个串当中的所选串的读操作的沟道初始化操作中在设定的施加时段期间将导通电压施加到所述多个串；温度检测电路，该温度检测电路被配置为测量所述存储器装置的内部温度并生成温度信号；以及控制逻辑，该控制逻辑被配置为响应于所述温度信号来控制所述电压发生电路设定所述施加时段，并且在所设定的施加时段期间将所述导通电压施加到所述多个串。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，基于所述温度信号，所述控制逻辑被配置为：当所述存储器装置的所述内部温度相对高时，将所述施加时段设定为相对短的时段，并且当所述存储器装置的所述内部温度相对低时，将所述施加时段设定为相对长的时段。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述多个串每至少两个串共享一条源极选择线，并且所述至少两个串联接到不同的漏极选择线。4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述至少两个串并联联接在位线和源极线之间。5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述多个串中的每一个包括串联联接在位线和源极线之间的漏极选择晶体管、多个存储器单元和源极选择晶体管，并且其中，所述电压发生电路被配置为生成所述导通电压，并且在所设定的施加时段期间将所生成的导通电压施加到所述至少两个串中的未选串的所述漏极选择晶体管和所述源极选择晶体管。6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述电压发生电路被配置为在固定的施加时段期间将所生成的导通电压施加到所述至少两个串中的所述所选串的所述漏极选择晶体管和所述源极选择晶体管。7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为：在所述沟道初始化操作之后控制所述电压发生电路执行将读电压和通过电压施加到所述所选串的字线的读电压施加操作。8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为在所述沟道初始化操作期间控制所述电压发生电路将所述通过电压施加到所述字线。9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述电压发生电路包括：电压发生器，该电压发生器被配置为响应于所述控制逻辑的控制而生成所述导通电压；以及地址解码器，该地址解码器被配置为在所设定的施加时段期间响应于所述控制逻辑的控制而将所述导通电压施加到所述多个串。10.一种存储器装置，该存储器装置包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括多个串；温度检测电路，该温度检测电路被配置为检测所述存储器装置的内部温度并生成温度信号；电压发生电路，该电压发生电路被配置为在读操作的沟道初始化操作期间将导通电压
施加到所述多个串中的所选串和未选串的选择线；以及控制逻辑，该控制逻辑被配置为：在所述沟道初始化操作期间控制所述电压发生电路在固定的施加时间期间将所述导通电压施加到所述所选串的所述选择线并在可变时间期间将所述导通电压施加到所述未选串的所述选择线，其中，所述控制逻辑被配置为响应于所述温度信号而变化要施加到所述未选串的所述导通电压的施加时间。11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，基于所述温度信号，所述控制逻辑被配置为：当所述存储器装置的所述内部温度相对高时，将所述施加时间设定为相对短的时间，并且当所述存储器装置的所述内部温度相对低时，将所述施加时间设定为相对长的时间。12.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，所述多个串每至少两个串共享一条源极选择线，并且所述至少两个串联接到不同的漏极选择线。13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，所述至少两个串并联联接在位线和源极线之间。14.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为：在所述沟道初始化操作之后控制所述电压发生电路执行将读电压和通过电压施加到所述所选串的字线的读电压施加操作。15.根据权利要求14所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为在所述沟道初始化操作期间控制所述电压发生电路将所述通过电压施加到所述字线。16.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：测量所述存储器装置的内部温度；基于所测量的内部温度来设定沟道初始化操作的导通电压施加时段；在所设定的导通电压施加时段期间将导通电压施加到多个串当中的未选串的选择晶体管；以及将通过电压施加到所述多个串的字线。17.根据权利要求16所述的方法，其中，基于所测量的内部温度来设定所述沟道初始化操作的所述导通电压施加时段的步骤包括以下步骤：随着所测量的温度升高，减小所述导通电压施加时段的所设定的施加时段；以及随着所测量的温度降低，增大所述导通电压施加时段的所设定的施加时段。18.根据权利要求16所述的方法，其中，将所述导通电压施加到所述未选串的所述选择晶体管的步骤包括以下步骤：将所述导通电压施加到所述多个串当中的所选串的所述选择晶体管，其中，不管所述内部温度如何，所述所选串的所述导通电压施加时段是固定的。19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述多个串共享字线。20.根据权利要求19所述的方法，其中，将所述导通电压施加到所述未选串的所述选择晶体管的步骤包括以下步骤：将通过电压施加到所述字线。