包括页缓冲器的半导体存储器装置的制作方法

2021-07-16 18:56:00 来源：中国专利 TAG：存储器半导体装置缓冲器总体上

技术总结
包括页缓冲器的半导体存储器装置。一种半导体存储器装置包括：至少两个晶体管，每个晶体管包括在第一方向上穿越第一基板的由隔离层限定的有源区域的栅极、以及设置在有源区域中在栅极的相对两侧上的结区域，并且每个晶体管通过位线联接至存储器单元阵列；以及多个接触件，其分别联接至结区域，多个接触件穿过覆盖晶体管的介电层。在多个接触件当中，联接至被加载以擦除电压的结区域的接触件设置在有源区域在第一方向上的中央部分，并且联接至未被加载以擦除电压的结区域的接触件设置在有源区域在第一方向上的边缘部分。源区域在第一方向上的边缘部分。源区域在第一方向上的边缘部分。

技术研发人员：吴星来
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：2020.07.22
技术公布日：2021/7/15

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