半导体装置结构的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置结构，包括：一鳍有源区域，凸出于一半导体基板之上；一栅极堆叠物，设置于该鳍有源区域上，其中该栅极堆叠物包含一栅极电介质层以及一栅极电极；一源极/漏极部件，形成于该鳍有源区域上且该栅极堆叠物插入于其间；以及一导电部件，电性连接至该栅极电极以及该源极/漏极部件中的其一，其中该导电部件包含：一第一金属的一底部金属部件；一第二金属的一顶部金属部件，于该底部金属部件上方，其中该第二金属的组成不同于该第一金属；一阻挡层，围绕该顶部金属部件以及该底部金属部件；以及一衬层，围绕该顶部金属部件且使该顶部金属部件与该底部金属部件以及该阻挡层分开，其中该阻挡层的组成不同于该衬层。

技术总结
本公开提供一种半导体装置结构。半导体装置结构包含凸出于半导体基板之上的鳍有源区域；设置于鳍有源区域上的栅极堆叠物，其中栅极堆叠物包含栅极电介质层以及栅极电极；形成于鳍有源区域上且栅极堆叠物插入于其间的源极/漏极(S/D)部件；以及电性连接至栅极电极以及S/D部件中的其一的导电部件。导电部件包含：第一金属的底部金属部件；于底部金属部件上方的第二金属的顶部金属部件，其中第二金属的组成不同于第一金属；围绕顶部金属部件以及底部金属部件两者的阻挡层；以及围绕顶部金属部件且使顶部金属部件与底部金属部件以及阻挡层分开的衬层。分开的衬层。分开的衬层。


技术研发人员：邱士权 张家豪 庄正吉 王志豪 林佑明
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.05.20
技术公布日：2021/10/23