半导体装置中参数稳定的错位测量改善的制作方法

技术特征：
1.一种参数稳定的错位测量改善方法，其包括：提供选自希望相同的一批晶片的晶片，包括形成在其上的多个多层半导体装置；使用错位计量工具来使用多个测量参数集在所述晶片的至少第一层与第二层之间的多个位点处测量错位，借此针对所述测量参数集中的每一者生成经测量错位数据；针对所述测量参数集中的每一者从所述晶片的所述经测量错位数据识别及移除参数相依部分及平均误差部分，借此生成所述晶片的经改善参数稳定的经改善错位数据。2.根据权利要求1所述的参数稳定的错位测量改善方法，且其中所述测量参数集至少包括在错位测量中使用的多个光波长。3.根据权利要求1或权利要求2所述的参数稳定的错位测量改善方法，且其中所述识别所述参数相依部分及所述平均误差部分包括：针对所述测量参数集中的每一者识别所述经测量错位数据的参数相依部分；针对所述测量参数集中的每一者识别所述错位数据的所述参数相依部分的至少一个主分量；针对所述参数集中的每一者识别所述经测量错位数据的所述参数相依部分的所述至少一个主分量的加权系数；及识别至少一个平均误差部分，所述平均误差部分中的每一者与针对所述测量参数集中的每一者的所述经测量错位数据的所述参数相依部分的所述至少一个主分量中的每一者对应。4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的参数稳定的错位测量改善方法，且其还包括使用所述参数相依部分及所述平均误差部分来针对所述测量参数集中的每一者从选自希望相同的所述批晶片的至少一个额外晶片的经测量错位数据识别及移除参数相依部分及平均误差部分，借此生成所述至少一个额外晶片的经改善参数稳定的经改善错位数据。5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的参数稳定的错位测量改善方法，且其中所述错位计量工具为成像错位计量工具。6.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的参数稳定的错位测量改善方法，且其中所述错位计量工具为散射测量错位计量工具。7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的参数稳定的错位测量改善方法，且其中使用主分量分析来识别针对所述测量参数集中的每一者的所述错位数据的所述参数相依部分的所述至少一个主分量。8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的参数稳定的错位测量改善方法，且其中使用参考错位值来识别所述平均误差部分。9.根据权利要求8所述的参数稳定的错位测量改善方法，且其中通过使用参考错位计量工具来测量所述晶片而生成所述参考错位值。10.根据权利要求9所述的参数稳定的错位测量改善方法，且其中所述参考错位工具为电子束错位计量工具。11.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的参数稳定的错位测量改善方法，且其中使用统计模型来识别所述平均误差部分。12.根据权利要求11所述的参数稳定的错位测量改善方法，且其中从所述晶片的多个错位测量编译所述统计模型。
13.根据权利要求11或权利要求12所述的参数稳定的错位测量改善方法，且其中所述统计模型包括经建模部分及未建模部分。14.根据权利要求1到13中任一权利要求所述的参数稳定的错位测量改善方法，且其中所述测量参数集包括以下中的至少一者：错位测量中的焦点可变性；在错位测量中使用的数值孔径；在错位测量中使用的光的入射角度；及在错位测量中使用的光的偏振。15.一种参数稳定的错位测量改善系统，其包括：错位计量工具，其可操作以使用多个测量参数集来在选自希望相同的一批晶片的包括形成在其上的多个多层半导体装置的晶片的至少第一层与第二层之间的多个位点处测量错位，借此针对所述参数中的每一者生成经测量错位数据；及错位数据分析器，其可操作以：针对所述测量参数集中的每一者从所述晶片的所述经测量错位数据识别及移除参数相依部分及平均误差部分，借此生成所述晶片的经改善参数稳定的经改善错位数据。16.根据权利要求15所述的参数稳定的错位测量改善系统，且其中所述测量参数集至少包括在错位测量中使用的多个光波长。17.根据权利要求15或权利要求16所述的参数稳定的错位测量改善系统，且其中所述错位数据分析器进一步可操作以：针对所述测量参数集中的每一者识别所述经测量错位数据的参数相依部分；针对所述测量参数集中的每一者识别所述错位数据的所述参数相依部分的至少一个主分量；针对所述测量参数集中的每一者识别所述经测量错位数据的所述参数相依部分的所述至少一个主分量的加权系数；及识别至少一个平均误差部分，所述至少一个平均误差部分中的每一者与针对所述测量参数集中的每一者的所述经测量错位数据的所述参数相依部分的所述至少一个主分量中的每一者对应。18.根据权利要求15到17中任一权利要求所述的参数稳定的错位测量改善系统，且其中所述分析器进一步可操作以使用所述参数相依部分及所述平均误差部分来针对所述测量参数集中的每一者从选自希望相同的所述批晶片的至少一个额外晶片的所述经测量错位数据识别及移除所述参数相依部分及平均误差部分，借此生成所述至少一个额外晶片的经改善参数稳定的经改善错位数据。19.根据权利要求15到18中任一权利要求所述的参数稳定的错位测量改善系统，且其中所述错位计量工具为成像错位计量工具。20.根据权利要求15到18中任一权利要求所述的参数稳定的错位测量改善系统，且其中所述错位计量工具为散射测量错位计量工具。21.根据权利要求15到20中任一权利要求所述的参数稳定的错位测量改善系统，且其中使用主分量分析来识别针对所述测量参数集中的每一者的所述错位数据的所述参数相依部分的所述至少一个主分量。
22.根据权利要求15到21中任一权利要求所述的参数稳定的错位测量改善系统，且其中使用参考错位值来识别所述平均误差部分。23.根据权利要求22所述的参数稳定的错位测量改善系统，且其中通过使用参考错位计量工具来测量所述晶片而生成所述参考错位值。24.根据权利要求23所述的参数稳定的错位测量改善系统，且其中所述参考错位工具为电子束错位计量工具。25.根据权利要求15到21中任一权利要求所述的参数稳定的错位测量改善系统，且其中使用统计模型来识别所述平均误差部分。26.根据权利要求25所述的参数稳定的错位测量改善系统，且其中从所述晶片的多个错位测量编译所述统计模型。27.根据权利要求25或权利要求26所述的参数稳定的错位测量改善系统，且其中所述统计模型包括经建模部分及未建模部分。28.根据权利要求15到27中任一权利要求所述的参数稳定的错位测量改善系统，且其中所述测量参数集包括以下中的至少一者：错位测量中的焦点可变性；在错位测量中使用的数值孔径；在错位测量中使用的光的入射角度；及在错位测量中使用的光的偏振。

技术总结
一种参数稳定的错位测量改善系统及方法包含：提供选自希望相同的一批晶片的晶片，包含形成在其上的多个多层半导体装置；使用错位计量工具来使用多个测量参数集在所述晶片的至少第一层与第二层之间的多个位点处测量错位，借此针对所述测量参数集中的每一者生成经测量错位数据；针对所述测量参数集中的每一者从所述晶片的所述经测量错位数据识别及移除参数相依部分及平均误差部分，借此生成所述晶片的经改善参数稳定的经改善错位数据。片的经改善参数稳定的经改善错位数据。片的经改善参数稳定的经改善错位数据。


技术研发人员：V
受保护的技术使用者：科磊股份有限公司
技术研发日：2019.08.23
技术公布日：2021/10/29