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热敏打印头及其制造方法与流程

2021-09-14 21:20:00 来源:中国专利 TAG:热敏 打印头 打印 方法 制造

技术特征:
1.一种热敏打印头,其特征在于,包括绝缘基板(1)、形成于绝缘基板(1)上方的电极层(2)、电阻层(3);电极层(2)包括公共电极(21)以及多个个别电极(22);个别电极(22)和公共电极(21)之间形成有凹槽;热敏打印头(300)还包括填充在凹槽中的垫高层(5),该垫高层(5)的一侧高度与公共电极(21)平齐,垫高层(5)的另一侧高度与个别电极(22)平齐;电阻层(3)分别设置于电极层(2)以及垫高层(5)顶面上;电阻层(3)的位于垫高层(5)正上方并处于公共电极(21)与个别电极(22)之间的部分为电阻发热部(31);电阻层(3)的位于电极层(2)正上方的部分为电阻导通部(32)。2.根据权利要求1所述的热敏打印头,其特征在于,公共电极(21)包括多个梳齿部条状电极(211);多个梳齿部条状电极(211)和多个个别电极(22)一一对应地间隔相向设置,或者个别电极(22)位于相邻的两个梳齿部条状电极(211)之间;个别电极(22)和相邻的梳齿部条状电极(211)之间形成凹槽。3.根据权利要求1所述的热敏打印头,其特征在于,电极层(2)厚度为0.3μm-10μm。4.根据权利要求1所述的热敏打印头,其特征在于,垫高层(5)由绝缘材料制成。5.根据权利要求4所述的热敏打印头,其特征在于,绝缘材料采用si3n4、sion或sio2。6.根据权利要求1所述的热敏打印头,其特征在于,还包括覆盖设置于电阻层(3)上的保护层(4)。7.根据权利要求6所述的热敏打印头,其特征在于,所述保护层(4)和垫高层(6)采用相同材料制成。8.一种热敏打印头的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、在绝缘基板(1)上方形成电极层(2);步骤2、在电极层(2)顶面上均匀涂敷光刻胶(6);步骤3、根据电极线路图制作掩模板,利用该掩模板并通过曝光显影技术处理光刻胶(6),从而得到形状与电极线路图对应的光刻胶层(61);再将电极层(2)的未被光刻胶层(61)覆盖的部分刻蚀掉,从而得到公共电极(21)以及多个个别电极(22),并使公共电极(21)以及多个个别电极(22)之间形成凹槽;步骤4、在保留光刻胶层(61)的情况下,从光刻胶层(61)上方布施绝缘材料,使绝缘材料填充凹槽,从而形成垫高层(5);步骤5、将光刻胶层(61)及其顶面覆盖着的绝缘材料去除;通过物理研磨抛光方法,使垫高层(5)的一侧高度与公共电极(21)齐平,垫高层(5)的另一侧高度与个别电极(22)齐平。步骤6、形成一层电阻层(3),使该电阻层(3)分别覆盖电极层(2)以及垫高层(5)。9.一种热敏打印头的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、在绝缘基板(1)顶面上形成电极层(2);步骤2、在电极层(2)顶面上均匀涂敷光刻胶(6);步骤3、根据电极线路图制作掩模板,利用该掩模板并通过曝光显影技术处理光刻胶(6),从而得到形状与电极线路图对应的光刻胶层(61);再将电极层(2)的未被光刻胶层(61)覆盖的部分刻蚀掉,从而得到公共电极(21)以及多个个别电极(22),并使公共电极(21)以及多个个别电极(22)之间形成凹槽;步骤4、去除光刻胶层(61);根据电极线路图制作丝网印刷网,然后利用该丝网印刷网
将绝缘材料印刷填入凹槽内,并经烧结形成垫高层(5),通过物理研磨抛光方法,使垫高层(5)的一侧高度与公共电极(21)平齐,并垫高层(5)的另一侧高度与个别电极(22)平齐;步骤5、形成一层电阻层(3),使该电阻层(3)部分地交替覆盖公共电极(21)和个别电极(22),并覆盖其间的垫高层(5)。10.根据权利要求8或9所述的热敏打印头的制造方法,其特征在于,公共电极(21)包括多个梳齿部条状电极(211);多个梳齿部条状电极(211)和多个个别电极(22)一一对应地间隔相向设置,或者个别电极(22)位于相邻的两个梳齿部条状电极(211)之间;个别电极(22)和相邻的梳齿部条状电极(211)之间形成凹槽。

技术总结
本发明提出了一种热敏打印头及其制造方法;热敏打印头包括绝缘基板(1)、形成于绝缘基板(1)上方的电极层(2)、电阻层(3);电极层(2)包括公共电极(21)以及多个个别电极(22);个别电极(22)和公共电极(21)之间形成有凹槽;热敏打印头(300)还包括填充在凹槽中的垫高层(5),该垫高层(5)的一侧高度与公共电极(21)平齐,垫高层(5)的另一侧高度与个别电极(22)平齐;电阻层(3)分别设置于电极层(2)以及垫高层(5)顶面上。本发明所提出的热敏打印头及其制造方法设计新颖,实用性强。实用性强。实用性强。


技术研发人员:沈勇 郑礼清 吕高仁
受保护的技术使用者:深圳市博思得科技发展有限公司
技术研发日:2020.03.11
技术公布日:2021/9/13
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