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一种二氧化硅基光波分解复用器芯片的制作方法

2021-09-29 04:33:00 来源:中国专利 TAG:光波 分解 芯片 光通信 复用器

1.本实用新型涉及光通信技术领域,尤其涉及一种二氧化硅基光波分解复用器芯片。


背景技术:

2.随着通信技术的快速发展和实际应用的迅猛增长,大容量光通信系统的研究具有很大的应用价值。随着光通信网络向超高频、超高速和超大容量发展,高速率光模块已成为光模块市场的发展热点。实现100g、400g等高带宽的方案,一是提高单一光源的容量,二是对多组光源进行复用和解复用,例如100g光模块常规采用25g*4、400g光模块常规采用50g*8的方案。在研制高端光模块的过程中,发现现有波导型波导阵列光栅芯片存在如下几个问题:波导型波导阵列光栅芯片包括硅基体和设置在基体表面的一层玻璃层,玻璃层作为波导通常厚度很薄,比如只有0.3mm,这样会导致其很容易破裂,导致整个芯片无法正常工作。


技术实现要素:

3.本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足,提供一种二氧化硅基光波分解复用器芯片。
4.本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下:一种二氧化硅基光波分解复用器芯片,包括石英玻璃材质的基体,所述基体内设有光波导,所述光波导包括com端、光波分解复用器和输出端,所述com端为单根波导,所述输出端为平行间隔设置的多根波导,所述com端、光波分解复用器和输出端顺次连接并耦合,所述com端远离所述光波分解复用器的一端以及所述输出端远离所述光波分解复用器的一端分别与所述基体的两端端面对齐设置,所述基体的两端端面为倾斜面,所述光波分解复用器将从所述com端进入的不同波长的光信号分解并输出至所述输出端对应的多根波导中,以对外输出。
5.本实用新型的有益效果是:本实用新型的二氧化硅基光波分解复用器芯片,通过在所述基体内设置所述光波导,这样可以对所述光波导起到更好的保护作用,同时,采用石英材质的基体,与所述光波导的材质基本相同,可以提高光波分解复用器芯片的稳定性,结构简单合理,体积小,具有重要的实际应用意义。
6.在上述技术方案的基础上,本实用新型还可以做如下改进:
7.进一步:所述输出端的多根波导之间的间隔范围为0.2

0.3mm。
8.上述进一步方案的有益效果是:通过将所述输出端的多根波导之间设置合理的间隔,可以保证在传输光信号时多根波导之间不会相互干扰,也不会导致所述基体的宽度过大,有利于缩小所述基体的体积。
9.进一步:所述光波分解复用器采用罗兰圆结构的阵列波导光栅。
10.上述进一步方案的有益效果是:采用罗兰圆结构的阵列波导光栅,可以将所述com端输入的多个波长的光信号进行分解,并输出至所述输出端对应的多根波导,从而完成光信号的传输。
11.进一步:所述基体靠近所述输出端一端的端面与其上表面之间的夹角范围为41
°
~45
°
,所述基体靠近所述com端一端的端面与其上表面之间的夹角范围为81.5
°
~82.5
°

12.上述进一步方案的有益效果是:通过将所述基体靠近所述com端一端的端面与其上表面之间的夹角范围设置为81.5
°
~82.5
°
,即所述com端端面与所述基体的上表面之间的夹角也为81.5
°
~82.5
°
,这样在端面处不容易出现破损和崩缺现象,更容易与外部光纤端面耦合,保证耦合的稳定性,提高芯片对应端面的结构稳定性,同时还可以辅助增加回波损耗,减少反射,有利于提高光通过率,提高光传播效率,通过将所述基体靠近所述输出端一端的端面与其上表面之间的夹角范围设置为41
°
~45
°
,即所述输出端一端的端面与所述基体的上表面之间的夹角也为41
°
~45
°
,这样可以方便所述输出端的端面与外部光纤端面耦合。
附图说明
13.图1为本实用新型的二氧化硅基光波分解复用器芯片的俯视结构示意图;
14.图2为为本实用新型的二氧化硅基光波分解复用器芯片的测试结构示意图。
15.附图中,各标号所代表的部件列表如下:
16.1、基体,2、光波导,3、com端,4、光波分解复用器,5、输出端。
具体实施方式
17.以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本实用新型,并非用于限定本实用新型的范围。
18.如图1所示,一种二氧化硅基光波分解复用器芯片,包括石英玻璃材质的基体1,所述基体1内设有光波导2,所述光波导2包括com端3、光波分解复用器4和输出端5,所述com端3为单根波导,所述输出端5为平行间隔设置的多根波导,所述com端3、光波分解复用器4和输出端5顺次连接并耦合,所述com端3远离所述光波分解复用器的一端以及所述输出端5远离所述光波分解复用器4的一端分别与所述基体1的两端端面对齐设置,所述基体1的两端端面为倾斜面,所述光波分解复用器4将从所述com端3进入的不同波长的光信号分解并输出至所述输出端5对应的多根波导中,以对外输出。
19.本实用新型的二氧化硅基光波分解复用器芯片,通过在所述基体1内设置所述光波导2,这样可以对所述光波导2起到更好的保护作用,同时,采用石英材质的基体1,与所述光波导2的材质基本相同,可以提高光波分解复用器芯片的稳定性,结构简单合理,体积小,具有重要的实际应用意义。
20.在本实用新型的一个或多个实施例中,所述输出端5的多根波导之间的间隔范围为0.2

0.3mm。通过将所述输出端5的多根波导之间设置合理的间隔,可以保证在传输光信号时多根波导之间不会相互干扰,也不会导致所述基体1的宽度过大,有利于缩小所述基体1的体积。
21.可选地,在本实用新型的一个或多个实施例中,所述光波分解复用器采用罗兰圆结构的阵列波导光栅。采用罗兰圆结构的阵列波导光栅,可以将所述com端3输入的多个波长的光信号进行分解,并输出至所述输出端5对应的多根波导,从而完成光信号的传输。
22.如图2所示,在本实用新型的一个或多个实施例中,所述基体1靠近所述输出端5一
端的端面与其上表面之间的夹角α范围为41
°
~45
°
,所述基体1靠近所述com端3一端的端面与其上表面之间的夹角β范围为81.5
°
~82.5
°
。通过将所述基体1靠近所述com端3一端的端面与其上表面之间的夹角β范围设置为81.5
°
~82.5
°
,即所述com端3端面与所述基体1的上表面之间的夹角也为81.5
°
~82.5
°
,这样在端面处不容易出现破损和崩缺现象,更容易与外部光纤端面耦合,保证耦合的稳定性,提高芯片对应端面的结构稳定性,同时还可以辅助增加回波损耗,减少反射,有利于提高光通过率,提高光传播效率,通过将所述基体1靠近所述输出端5一端的端面与其上表面之间的夹角α范围设置为41
°
~45
°
,即所述输出端5一端的端面与所述基体1的上表面之间的夹角也为41
°
~45
°
,这样可以方便所述输出端5的端面与外部光纤端面耦合。
23.可选地、所述基体1靠近所述输出端5一端的端面与其上表面之间的夹角为43
°
,所述基体1靠近所述com端3一端的端面与其上表面之间的夹角范围为82
°

24.以上所述仅为本实用新型的较佳实施例,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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