半导体装置及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体装置，其中包括：一衬底及设置于该衬底上的一叠层结构，该叠层结构包括沿着一第一方向交替叠层的多个绝缘层及多个导电层；以及多个虚拟存储器串列结构，设置于该半导体装置的一阶梯区，且沿着该第一方向穿过该叠层结构，其中该阶梯区包括一本体部，且该本体部包括相邻的一第一区及一第二区，在该第一区中，这些虚拟存储器串列结构所对应的这些导电层的数量是介于1～10；在该第二区中，这些虚拟存储器串列结构所对应的这些导电层的数量是大于10，其中在一俯视图中，在一相同的单位面积中，该第一区的这些虚拟存储器串列结构的面积是大于该第二区的这些虚拟存储器串列结构的面积。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中在该相同的单位面积中，该第一区的这些虚拟存储器串列结构的数量是大于该第二区的这些虚拟存储器串列结构的数量。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中这些虚拟存储器串列结构在该衬底上沿着一第二方向设置，该第二方向垂直于该第一方向，在该第二方向中，设置于该第一区的这些虚拟存储器串列结构的中心点是与设置于该第二区的这些虚拟存储器串列结构的中心点对齐。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中这些虚拟存储器串列结构在该衬底上沿着一第二方向设置，该第二方向垂直于该第一方向，在该第二方向中，设置于该第一区的这些虚拟存储器串列结构的中心点是与设置于该第二区的这些虚拟存储器串列结构的中心点错开。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该第一区的各该虚拟存储器串列结构的一直径是大于该第二区的各该虚拟存储器串列结构的一直径。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中该第一区的各该虚拟存储器串列结构的该直径是比该第二区的各该虚拟存储器串列结构的该直径多10％以上。7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中这些虚拟存储器串列结构在该衬底上沿着一第二方向设置，该第二方向垂直于该第一方向，在该第二方向中，设置于该第一区的这些虚拟存储器串列结构的中心点是与设置于该第二区的这些虚拟存储器串列结构的中心点对齐。8.根据权利要求5所述的半导体装置，其中这些虚拟存储器串列结构在该衬底上沿着一第二方向设置，该第二方向垂直于该第一方向，在该第二方向中，设置于该第一区的这些虚拟存储器串列结构的中心点是与设置于该第二区的这些虚拟存储器串列结构的中心点错开。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中在该俯视图中，这些虚拟存储器串列结构的总面积对于该阶梯区的总面积的面积比是等于或大于8％。10.一种半导体装置的制造方法，其中包括：提供一衬底及设置于该衬底上的一叠层结构，该叠层结构包括沿着一第一方向交替叠层的多个绝缘层及多个导电层；以及形成多个第一开口于该半导体装置的一阶梯区中，这些第一开口沿着该第一方向穿过该叠层结构，其中该阶梯区包括一本体部，且该本体部包括相邻的一第一区及一第二区，在该第一区中，这些第一开口所对应的这些导电层的数量是介于1～10；在该第二区中，这些
第一开口所对应的这些导电层的数量是大于10，其中在一俯视图中，在一相同的单位面积中，该第一区的这些开口的面积是大于该第二区的这些第一开口的面积。

技术总结
本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括一衬底、设置于衬底上的一叠层结构以及多个虚拟存储器串列结构。叠层结构包括沿着一第一方向交替叠层的多个绝缘层及多个导电层。虚拟存储器串列结构设置于半导体装置的一阶梯区，且沿着第一方向穿过叠层结构，其中阶梯区包括一本体部，且本体部包括相邻的一第一区及一第二区。在第一区中，虚拟存储器串列结构所对应的导电层的数量是介于1～10；在第二区中，虚拟存储器串列结构所对应的导电层的数量是大于10。在一俯视图中，在一相同的单位面积中，第一区的虚拟存储器串列结构的面积是大于第二区的虚拟存储器串列结构的面积。的面积。的面积。


技术研发人员：王智盟 林正伟 刘光文
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
技术研发日：2020.05.19
技术公布日：2021/11/4