一种晶振模块、蒸镀系统、及其蒸镀方法与流程

1.本发明涉及蒸镀沉积技术领域，尤其是涉及一种晶振模块、蒸镀系统、及其蒸镀方法。


背景技术：

2.oled有机发光器件，是一种利用oled有机发光材料制备得到多层有机薄膜结构，产生电致发光的器件。按照oled有机发光材料可分为小分子材料器件和高分子材料器件，这两种器件的主要差别在制作工艺上，小分子器件主要采用真空蒸镀工艺，高分子器件采用的是旋转涂覆或者是喷涂印刷工艺，目前原材料和器件制造工艺较为成熟的是通过真空蒸镀工艺制备的小分子oled材料器件。
3.在真空镀膜设备中，石英晶体振荡监控法是工艺过程中监控薄膜厚度和材料蒸镀速率最常用的方法。石英晶体振荡监控法，主要是利用了石英晶体的压电效应和质量负荷效应，当晶振片表面沉积薄膜后，晶体的振动就会减弱，这种振动或频率的减少，是由薄膜的厚度和密度决定的，利用非常精密的电子设备，每秒钟多次测试振动的变化，从而实现对蒸镀速率和膜层厚度的实时监控。
4.oled有机发光器件的制备过程中，针对不同的器件结构和不同的材料，蒸发速率有较大差别，其范围一般可跨度从到一方面，对于蒸发速率较大的情况，例如＞沉积到晶振片的材料比较多，晶振片振动频率下降速度快。一般来说，oled有机镀膜工艺中，晶振频率下降到初始频率的95％左右就需要更换，才能保证测量数据的准确性。因此，蒸发速率较大的材料就需要频繁更换晶振片，导致设备可连续运转时间短，影响设备产能。另一方面，对于蒸发速率比较小的情况，例如＜沉积到晶振片的材料比较少，可能会低于晶振探头的最佳测量范围，导致晶振探头检测精度下降检测结果不稳定，无法精准监控蒸发速率，掺杂率不稳定或显著偏差等一系列问题。
5.因此，本发明提出了一种晶振模块、蒸镀系统、及其蒸镀方法。


技术实现要素：

6.本发明提供一种晶振模块、蒸镀系统、及其蒸镀方法，以解决现有技术中晶振探头检测精度下降检测结果不稳定，无法精准监控蒸发速率，掺杂率不稳定或显著偏差等问题。
7.本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：
8.一种晶振模块，包括：晶振探头，以及移动组件，所述晶振探头安装在所述移动组件上，所述移动组件在水平或竖直方向上往复移动，并带动所述晶振探头远离或靠近蒸发源。
9.在一些实施例中，所述移动组件的驱动方式为手动或电动。
10.一种蒸镀系统，包括：
11.蒸发源；
12.上述的晶振模块，所述晶振模块位于蒸发源出口处的一侧，且与所述蒸发源具有一定距离，所述晶振模块内的晶振探头在其移动组件的作用下可以远离或靠近所述蒸发源。
13.在一些实施例中，所述移动组件的行走方向与所述蒸发源和晶振探头之间的连线的延长线方向相同。
14.在一些实施例中，所述移动组件的行走方向与所述蒸发源和晶振探头之间的连线方向相垂直。
15.一种蒸镀方法，包括以下步骤：
16.选择蒸镀材料，并确定沉积速率；
17.调节晶振探头与蒸发源的距离；
18.进行蒸镀工艺，直至蒸镀完成。
19.在一些实施例中，所述晶振探头与蒸发源的距离的确定方法包括：
20.根据所述蒸镀材料的对照表获取晶振探头与蒸发源的最优距离。
21.在一些实施例中，当材料沉积速率小时，所述节晶振探头位于靠近所述蒸发源的位置。
22.在一些实施例中，当材料沉积速率大时，所述节晶振探头位于远离所述蒸发源的位置。
23.本发明具有的有益效果是：使用本发明的蒸发源系统后，对于材料沉积速率较大的情况，由于晶振探头到坩埚出口的距离增大，沉积到晶振探头上的材料减少，有效延长了晶振探头的使用时间，减少了更换晶振探头的频率，能降低生产成本并提高生产效率；对于材料沉积速率较小的情况，由于晶振探头到坩埚出口的距离缩小，沉积到晶振探头上的材料增加，有效提升了晶振探头的测量精度，能提高工艺控制精度和工艺稳定性，从而提高产品性能及良率。
附图说明
24.为了更清楚地说明本发明实施方案或现有技术中的技术方案，下面将对实施方案或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方案，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
25.图1为本发明：一种晶振模块的结构示意图；
26.图2为本发明中实施例2的蒸发源系统示意图之一；
27.图3为本发明中实施例2的蒸发源系统示意图之二；
28.图4为本发明中实施例2的蒸发源系统示意图之三；
29.图5为本发明中实施例3的蒸发源系统示意图之一；
30.图6为本发明中实施例3的蒸发源系统示意图之二；
31.图7为本发明中实施例3的蒸发源系统示意图之三。
32.其中：
33.100
‑
晶振模块、101
‑
基板，102
‑
蒸发源，103
‑
晶振探头，105
‑
移动组件。
具体实施方式
34.为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本发明。
35.实施例1
36.参照图1所示，一种晶振模块100，包括：晶振探头103，以及移动组件 105，晶振探头103安装在移动组件105上，移动组件105在水平或竖直方向上往复移动，并带动晶振探头103远离或靠近蒸发源102。其中，移动组件 105的驱动方式为手动或电动。优选为电动机构进行驱动，能够更便于控制距离的精度。具体的，例如，当需要靠近蒸发源102时，通过移动组件105将晶振探头103移动至靠近蒸发源102的适宜位置。当需要远离蒸发源102时，通过移动组件105将晶振探头103移动至远离蒸发源102的适宜位置。
37.实施例2
38.参照图2
‑
4所示，一种蒸镀系统，包括：蒸发源102和如实施例1中的晶振模块100，蒸发源102位于基板101的下方。晶振模块100位于蒸发源102 出口处的一侧，且与蒸发源102具有一定距离，晶振模块100内的晶振探头 103在其移动组件105的作用下可以远离或靠近蒸发源102。其中，移动组件 105的行走方向与蒸发源102和晶振探头103之间的连线的延长线方向相同。
39.具体的，晶振探头103到坩埚102出口之间的初始距离为a。当沉积目标速率较大的材料b时(沉积速率)，为了减少晶振探头103的损耗速度，将晶振探头103向远离蒸发源102出口的位置移动一定距离，晶振探头103 到蒸发源102出口之间的距离为b，b＞a。材料b维持相同的蒸发速度，沉积到晶振探头103上的材料将减少，减少的程度和距离变化值b
‑
a正相关，晶振探头103的损耗速度将减缓。
40.当沉积目标速率较小的材料c时(沉积速率)，为了提高晶振探头103的测量精度，将晶振探头103向靠近蒸发源102出口的位置移动一定距离，晶振探头103到蒸发源102出口之间的距离为c，c＜a。材料c维持相同的蒸发速度，沉积到晶振探头103上的材料将增加，增加的程度和距离变化值a
‑
c正相关，晶振探头103测量结果的精度和稳定性将提高。
41.关于晶振探头103的初始位置，使用蒸镀工艺的常规手段对蒸镀系统的 tooling值进行校准，之后蒸发源102系统可以像常规蒸发源102一样正常使用。在后续的蒸镀工艺过程中，晶振探头103的位置不可随意变动，如需对晶振探头103的位置做出任何调整，则需要重新制作膜厚测试样品，对蒸镀系统的tooling值重新进行校准。
42.使用本发明的蒸发源102系统后，对于材料沉积速率较大的情况，由于晶振探头103到坩埚出口的距离增大，沉积到晶振探头103上的材料减少，有效延长了晶振探头103的使用时间，减少了更换晶振探头103的频率，能降低生产成本并提高生产效率；对于材料沉积速率较小的情况，由于晶振探头 103到坩埚出口的距离缩小，沉积到晶振探头103上的材料增加，有效提升了晶振探头103的测量精度，能提高工艺控制精度和工艺稳定性，从而提高产品性能及良率。
43.实施例3
44.参照图5
‑
7所示，一种蒸镀系统，包括：蒸发源102和如实施例1中的晶振模块100，蒸发源102位于基板101的下方。晶振模块100位于蒸发源102 出口处的一侧，且与蒸发源
102具有一定距离，晶振模块100内的晶振探头103在其移动组件105的作用下可以远离或靠近蒸发源102。其中，移动组件 105的行走方向与蒸发源102和晶振探头103之间的连线方向相垂直。
45.具体的，晶振探头103到坩埚102出口之间的初始距离为a。当沉积目标速率较大的材料d时(沉积速率)，为了减少晶振探头103的损耗速度，将晶振探头103向远离蒸发源102出口的位置移动一定距离，晶振探头103 到蒸发源102出口之间的距离为d，d＞a。材料d维持相同的蒸发速度，沉积到晶振探头103上的材料将减少，减少的程度和距离变化值d
‑
a正相关，晶振探头103的损耗速度将减缓。
46.当沉积目标速率较小的材料e时(沉积速率)，为了提高晶振探头103的测量精度，将晶振探头103向靠近蒸发源102出口的位置移动一定距离，晶振探头103到蒸发源102出口之间的距离为e，e＜a。材料e维持相同的蒸发速度，沉积到晶振探头103上的材料将增加，增加的程度和距离变化值a
‑
e正相关，晶振探头103测量结果的精度和稳定性将提高。
47.关于晶振探头103的初始位置，使用蒸镀工艺的常规手段对蒸镀系统的 tooling值进行校准，之后蒸发源102系统可以像常规蒸发源102一样正常使用。在后续的蒸镀工艺过程中，晶振探头103的位置不可随意变动，如需对晶振探头103的位置做出任何调整，则需要重新制作膜厚测试样品，对蒸镀系统的tooling值重新进行校准。
48.使用本发明的蒸发源102系统后，对于材料沉积速率较大的情况，由于晶振探头103到坩埚出口的距离增大，沉积到晶振探头103上的材料减少，有效延长了晶振探头103的使用时间，减少了更换晶振探头103的频率，能降低生产成本并提高生产效率；对于材料沉积速率较小的情况，由于晶振探头103到坩埚出口的距离缩小，沉积到晶振探头103上的材料增加，有效提升了晶振探头103的测量精度，能提高工艺控制精度和工艺稳定性，从而提高产品性能及良率。
49.实施例4
50.本发明还提出了一种蒸镀方法，包括以下步骤：
51.选择蒸镀材料，并确定沉积速率；
52.调节晶振探头与蒸发源的距离；
53.进行蒸镀工艺，直至蒸镀完成。
54.其中，所述晶振探头与蒸发源的距离的确定方法包括：
55.根据所述蒸镀材料的对照表获取晶振探头与蒸发源的最优距离。
56.当材料沉积速率小时，所述节晶振探头位于靠近所述蒸发源的位置，能有效地提高晶振探头测量结果的精度和稳定性。当材料沉积速率大时，所述节晶振探头位于远离所述蒸发源的位置，沉积到晶振探头上的材料减少，有效延长了晶振探头的使用时间，减少了更换晶振探头的频率，能降低生产成本并提高生产效率。
57.以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。