半导体装置封装和其制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体装置封装，其包括衬底，其具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的侧面；导电元件，其安置在所述衬底的所述第一表面上；以及导电层，其具有处于所述导电元件上的第一部分和处于所述衬底的所述侧面上的第二部分，其中所述导电层的所述第一部分的层数目与所述导电层的所述第二部分的层数目不同。2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一部分的导电层的所述数目高于所述第二部分的导电层的所述数目。3.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述导电层包括：抗氧化保护层，其与所述导电元件接触；以及第一导电层，其安置在所述抗氧化保护层上且在所述衬底的所述侧面上，其中所述抗氧化保护层和所述第一导电层限定界面。4.根据权利要求3所述的半导体装置封装，其中所述导电层还包括：第二导电层，其安置在所述第一导电层上；以及第三导电层，其安置在所述第二导电层上，其中所述第一导电层是晶种层或粘合剂层，且所述第三导电层是保护层。5.根据权利要求3所述的半导体装置封装，其中所述第一导电层接触所述抗氧化保护层的顶面和侧面。6.根据权利要求3所述的半导体装置封装，其进一步包括：第一电子组件，其安置在所述衬底的所述第一表面上；以及第二电子组件，其安置在所述衬底的所述第一表面上且通过所述导电元件与所述第一电子组件分离。7.根据权利要求6所述的半导体装置封装，其进一步包括第一封装体，所述第一封装体安置在所述衬底的所述第一表面上且覆盖所述第一电子组件、所述第二电子组件和所述导电元件的一部分，其中所述导电元件的顶面从所述第一封装体暴露以接触所述抗氧化保护层。8.根据权利要求7所述的半导体装置封装，其中抗氧化保护层的侧面与所述第一封装体的侧面大体上共面。9.根据权利要求6所述的半导体装置封装，其进一步包括：第三电子组件，其安置在所述衬底的所述第二表面上；以及第二封装体，其安置在所述衬底的所述第二表面上且至少部分地覆盖所述第三电子组件。10.根据权利要求6所述的半导体装置封装，其中所述导电元件邻近所述第一电子组件的至少两个侧面。11.一种半导体装置封装，其包括衬底，其具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的侧面；导电元件，其安置在所述衬底的所述第一表面上；以及
导电层，其安置在所述导电元件和所述衬底的所述侧面上，所述导电层包括抗氧化保护层，所述抗氧化保护层安置在所述导电元件上且与所述衬底的所述侧面间隔开，其中所述衬底的所述第二表面与所述导电层之间的电阻处于从约0.008欧姆到约0.08欧姆的范围。12.根据权利要求11所述的半导体装置封装，其中所述导电层包括第一导电层，所述第一导电层安置在所述抗氧化保护层上且在所述衬底的所述侧面上，其中所述抗氧化保护层和所述第一导电层限定界面。13.根据权利要求12所述的半导体装置封装，其进一步包括安置在所述衬底的所述第一表面上且覆盖所述导电元件的一部分的第一封装体，其中所述导电元件的顶面从所述第一封装体暴露以接触所述抗氧化保护层。14.根据权利要求13所述的半导体装置封装，其中所述抗氧化保护层与所述第一封装体的顶面接触。15.根据权利要求13所述的半导体装置封装，其中所述第一导电层与所述第一封装体的顶面接触。16.根据权利要求11所述的半导体装置封装，其中所述电阻等于或小于约0.068欧姆。17.根据权利要求16所述的半导体装置封装，其中所述电阻等于或大于约0.021欧姆。18.根据权利要求11所述的半导体装置封装，其进一步包括：第一电子组件，其安置在所述衬底的所述第一表面上；第二电子组件，其安置在所述衬底的所述第一表面上且通过所述导电元件与所述第一电子组件分离；以及第三电子组件，其安置在所述衬底的所述第二表面上；以及第二封装体，其安置在所述衬底的所述第二表面上且至少部分地覆盖所述第三电子组件。19.一种制造半导体装置封装的方法，其包括：(a)在衬底的第一表面上形成导电元件；(b)形成与所述导电元件的顶面接触的抗氧化保护层；(c)在与所述衬底的所述第一表面相对的所述衬底的第二表面上形成第一电子组件；以及(d)在所述抗氧化保护层上形成导电层。20.根据权利要求19所述的方法，其进一步包括：在操作(b)之前，形成第一封装体以覆盖所述导电元件的一部分且暴露所述导电元件的所述顶面。

技术总结
本公开提供一种半导体装置封装和其制造方法。所述半导体装置封装包含衬底、导电元件和导电层。所述衬底具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的侧面。所述导电元件安置在所述衬底的所述第一表面上。所述导电层具有处于所述导电元件上的第一部分和处于所述衬底的所述侧面上的第二部分。所述导电层的所述第一部分的层数目与所述导电层的所述第二部分的层数目不同。分的层数目不同。分的层数目不同。


技术研发人员：陈明宏 简辉平 邱韦祯
受保护的技术使用者：日月光半导体制造股份有限公司
技术研发日：2021.05.14
技术公布日：2021/11/19