复合空穴传输材料、有机电致发光元件的制作方法

1.本发明涉及有机电致发光元件技术领域，具体而言，涉及一种复合空穴传输材料、有机 电致发光元件。


背景技术：

2.有机电致发光元件(oled)由于其具有轻薄、广视角、高对比、低耗电、高响应速度、 全彩画面、可挠曲性等特点，当前已应用于智能手机、平板电脑、车载等领域，并正向电视 等大尺寸应用领域扩展。
3.有机电致发光元件通常包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡 层、电子传输层、电子注入层等多种膜层，膜层的玻璃化转变温度、膜层间的能级匹配、膜 层的成膜质量及稳定性等都会影响元件的性能，尤其是空穴传输材料的热稳定性好坏会影响 元件的驱动电压和寿命。为解决此问题，专利cn103515537b公开了采用多层空穴传输层的 器件，从而解决了过量电荷注入造成的使用寿命降低的问题；专利cn107004770b、 cn110504375a公开了采用混合空穴传输层的器件，混合空穴传输层由两种材料混合组成，减 少了空穴注入层和空穴传输层的界面，从而提高了器件效率和寿命。相比于采用多层空穴传 输层，利用复合空穴传输材料在提高器件的寿命并保持器件效率方面具有更多优势。
4.然而，目前提出的空穴传输层材料对于有机电致发光元件的寿命等的改善并不理想，能 够实现高寿命、高效率等综合性能效果的材料十分有限，亟待开发出新的复合空穴传输材料。


技术实现要素：

5.本发明的主要目的在于提供一种复合空穴传输材料、有机电致发光元件，以解决现有技 术中空穴传输层材料对于有机电致发光元件的寿命等改善并不理想的问题。
6.为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种复合空穴传输材料，其包括第 一化合物和第二化合物，第一化合物具有以下化学式a所示结构，第二化合物具有以下化学 式b或c所示结构：
[0007][0008]
进一步地，复合空穴传输材料通过以下方法制备得到：将第一化合物粗品和第二化合物 粗品混合，得到粗品混合物；将粗品混合物进行升华提纯，得到复合空穴传输材料；其中， 第一化合物在粗品混合物中的重量含量为10～85％，第二化合物在粗品混合物中的重量含量为 10～85％。
[0009]
进一步地，第一化合物粗品中第一化合物的重量含量≥98％，第二化合物粗品中第二化合 物的重量含量≥98％。
[0010]
进一步地，第一化合物和第二化合物之间的重量比为(1～3):(3～1)。
[0011]
进一步地，复合空穴传输材料中，第一化合物和第二化合物之间的重量比为1:(2～3)或 者2:1。
[0012]
进一步地，复合空穴传输材料中，第一化合物和第二化合物的纯度分别大于99.9％。
[0013]
根据本发明的另一方面，还提供了一种有机电致发光元件，其包括阳极、阴极、位于阳 极和阴极之间且包括空穴传输层、发光层及电子传输层的有机材料层，其中，空穴传输层由 上述的复合空穴传输材料形成。
[0014]
进一步地，有机电致发光元件由下至上包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层、 电子传输层和阴极。
[0015]
进一步地，有机电致发光元件还包括效率改善层，效率改善层位于空穴传输层和发光层 之间。
[0016]
进一步地，效率改善层包括依次叠加设置的空穴注入层、电子阻挡层、空穴阻挡层和电 子注入层，且空穴注入层与空穴传输层接触设置，电子注入层与发光层接触设置。
[0017]
本发明提供的复合空穴传输材料用于作为有机电致发光元件中的空穴传输层材料，能够 明显改善其寿命，同时发光元件还兼具了较高的效率和稳定性，并在其他使用性
能方面也较 为优秀。
具体实施方式
[0018]
需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。 下面将结合实施例来详细说明本发明。
[0019]
正如本发明背景技术部分所描述的，现有技术中空穴传输层材料对于有机电致发光元件 的寿命等改善并不理想。为了解决上述问题，本发明提供了一种复合空穴传输材料，其特征 在于，包括第一化合物和第二化合物，第一化合物具有以下化学式a所示结构，第二化合物 具有以下化学式b或c所示结构：
[0020][0021]
上述复合空穴传输材料用于作为有机电致发光元件中的空穴传输层材料，能够明显改善 其寿命，同时发光元件还兼具了较高的效率和稳定性，并在其他使用性能方面也较为优秀。
[0022]
更优选地，复合空穴传输材料通过以下方法制备得到：将第一化合物粗品和第二化合物 粗品混合，得到粗品混合物；将粗品混合物进行升华提纯，得到复合空穴传输材料；其中， 第一化合物在粗品混合物中的重量含量为10～85％，第二化合物在粗品混合物中的重量含量为 10～85％。这样，复合空穴传输材料是以两种化合物的粗品按一定比例预先混合后升华提纯的， 这样得到的复合材料混合更均一，成膜性更好，也便于材料的量产操作。需说明的是，粗品 混合物中的第一化合物和第二化合物的比例与最终升华出来的复合材料中的二者比例相近， 可能稍有微小波动但变化不大，这是由于：第一化合物和第二化合物具有前文所述的结构， 第一化合物和第二化合物的玻璃化转变温度的差值较小，在10℃以内，甚至在7℃以内，使 得可以通过该混合、升华提纯的方式得到较为纯净的复合材料。这是由于玻璃化温度会影响 升华温度，如果不同组分的玻璃化转变温度相差太大，混合后
一起升华会破坏玻璃化转变温 度较低的材料。而本发明选用的化合物之间的玻璃化转变温度差异较小，完全可以克服该问 题。
[0023]
更优选地，第一化合物粗品中所述第一化合物的重量含量≥98％，所述第二化合物粗品中 所述第二化合物的重量含量≥98％。这样一方面更有利于升华提纯，一方面也减小了前期粗品 制备的提纯压力。
[0024]
为了进一步提高器件寿命，在一种优选的实施方式中，第一化合物和第二化合物之间的 重量比为(1～3):(3～1)。比如：第一化合物和第二化合物之间的重量比为1:1或2:1或3:1 或1:2或1:3。具体制备过程中，只需将粗品混合物中第一化合物和第二化合物的比例控制为 与升华后的复合材料中的比例相同，基本就能够得到所述比例的复合材料，原因如前文所述， 此处不再赘述。更优选地，第一化合物和第二化合物之间的重量比为1:(2～3)或者2:1。这 样的比例下，不仅能够有效提高器件寿命，同时器件的其他性能如效率等也能够得到进一步 提升。
[0025]
在一种优选的实施方式中，第一化合物和第二化合物的纯度分别大于99.9％。
[0026]
根据本发明的另一方面，还提供了一种有机电致发光元件，包括阳极、阴极、位于阳极 和阴极之间且包括空穴传输层、发光层及电子传输层的有机材料层，其中，空穴传输层由上 述复合空穴传输材料形成。使用上述复合空穴传输材料作为有机电致发光元件的空穴传输层 材料，有效提高了器件的寿命，且器件同时兼具了其他优秀性能。
[0027]
在一种优选的实施方式中，有机电致发光元件由下至上包括依次层叠设置的阳极、空穴 传输层、发光层、电子传输层和阴极。更优选地，有机电致发光元件还包括效率改善层，效 率改善层位于空穴传输层和发光层之间。优选地，效率改善层包括依次叠加设置的空穴注入 层、电子阻挡层、空穴阻挡层和电子注入层，且空穴注入层与空穴传输层接触设置，电子注 入层与发光层接触设置。
[0028]
有机电致发光元件的阴极优选自具有低功函数的金属(碱土金属、碱金属、主族金属或 镧系元素)、金属合金(碱金属或碱土金属和银的合金)，可以为单层结构或多层结构。在多 层结构情况下，除上述具有低功函数的金属之外，也可以使用具有相对高的功函数的其它金 属，例如ag或al，通常使用金属的组合，例如ca/ag、mg/ag或ag/ag。也可以优选在金属 阴极和有机半导体之间引入具有高介电常数的材料的薄中间层。该中间层可以是碱金属氟化 物或碱土金属氟化物，也可以是相应的氧化物或碳酸盐(例如lif、liq、baf2、mgo、naf、 csf、cs2co3等)。
[0029]
有机电致发光元件的阳极优选包含具有高功函数的金属材料，例如ag、pt或au。另一 方面，也可以优选金属/金属氧化物材料(例如al/ni/nio、al/pto2)。特别优选的是氧化铟锡 (ito)或氧化铟锌(izo)。
[0030]
有机电致发光元件的空穴注入层有利于在低电压下接收来自阳极的空穴，并且优选地， 空穴注入材料的最高占据分子轨道(homo)应保证在阳极材料的功函数和周围有机材料层 的homo之间，包括金属卟啉、低聚噻吩、蒽醌、基于芳基胺、六腈六氮杂苯并菲(hatcn)、 喹吖啶酮和苝的有机材料、以及基于聚苯胺和基于聚噻吩的导电聚合物等，但不限于此。
[0031]
需说明的是，有机电致发光元件的空穴传输层可以为一层或多种，只要其中一层的材料 为上述复合空穴传输层材料，就能够改善器件寿命。其他的空穴传输层优选为上述
复合空穴 传输层材料，当然也可以为其他具有较高的空穴迁移率的材料，比如包括基于芳基胺的有机 材料、导电聚合物、同时具有共轭和非共轭单元的嵌段共聚物等，但不限于此。空穴传输层 可以接收来自阳极或空穴注入层的空穴并将其传输至发光层。
[0032]
有机电致发光元件的电子阻挡层可以阻挡发光层中的电子向阳极进一步传输从而提高发 光效率，电子阻挡材料需要具有合适的较高的lumo能级，包括胺衍生物、稠合芳族胺衍生 物、六氮杂苯并菲衍生物、芴胺衍生物、螺二芴胺衍生物、苯并茚并芴胺衍生物等，但不限 于此。
[0033]
有机电致发光元件的发光层可以接收分别来自空穴传输层和电子传输层的空穴和电子， 并且使空穴和电子结合辐射发光。发光层的主体材料包括蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、 并五苯衍生物、菲化合物、荧蒽化合物等稠合芳环衍生物及咔唑衍生物、二苯并呋喃衍生物、 梯子型呋喃化合物、嘧啶衍生物等杂芳环衍生物，但不限于此。
[0034]
有机电致发光元件的发光层的客体掺杂材料包括芳族胺衍生物、苯乙烯胺化合物、荧蒽 化合物、金属配合物等，但不限于此。
[0035]
有机电致发光元件的电子传输层可以接收来自阴极的电子并将电子传输至发光层，电子 传输材料需要具有较高的电子迁移率，包括噁唑、噁二唑、三唑、咪唑、芴酮、蒽酮等衍生 物、金属配合物、含氮五元环衍生物等，但不限于此。
[0036]
进一步地，本发明提供的有机电致发光元件包括蓝色、绿色、红色或黄色有机发光材料 层中的一种或多种组合；不同有机发光材料层横向或纵向的叠加组合。
[0037]
在一种典型的实施方式中，有机材料层为多层，其中的至少一层为空穴传输层，至少一 层为空穴注入层，且空穴传输层和空穴注入层均包含上述有机化合物。
[0038]
以下结合具体实施例对本技术作进一步详细描述，这些实施例不能理解为限制本技术所 要求保护的范围。
[0039]
复合空穴传输材料的制备
[0040]
1.化合物a的合成
[0041]
1.1中间体a2的合成
[0042][0043]
将实验装置充分干燥，在氮气下向2l四口烧瓶中加入122g 2-溴-4'-氯-1,1'-联苯(456 mmo1)和1100ml干燥过的四氢呋喃，搅拌溶解后用液氮降温至-78℃以下，缓慢滴加
182.5ml 2.5m(456mmol)的n-buli正己烷溶液；滴加结束后在-78℃下搅拌1h，然后在该温度下分批 加入118g(455mmo1)2-溴-9-芴酮固体，滴加结束后在-78℃下保温1h，然后自然升温至室温 后搅拌12h。待反应结束，滴加4m盐酸溶液淬灭反应，用乙酸乙酯萃取，有机相用饱和食 盐水洗涤，旋干除去溶剂，得到中间体醇a1。在不进行任何提纯的情况下，再投料到2l的 干燥三口烧瓶中，加入500ml乙酸和15g 36％盐酸，升温回流3h，结束反应。冷却至室温 后，过滤，用水洗涤两次，干燥，用甲苯和乙醇重结晶，得到121.6g类白色固体产物a2， 产率为58％。
[0044]
1.2中间体a3的合成
[0045][0046]
将实验装置充分干燥，在氮气下向500ml四口烧瓶中加入2-氯-2
’-
溴-9,9
’-
螺二芴(a2) 19.3g(45mmol)和8.4g(49.5mmol)二苯胺，再加入干燥并脱气过的甲苯作溶剂，加入6.5g (67.5mmol)叔丁醇钠、1.2g(2.25mmol)催化剂1,1'-双(二苯基膦)二茂铁(dppf)，升温至 100-105℃，反应16h。待反应结束，冷却至室温，用甲苯稀释，垫硅胶过滤，滤液真空蒸去 溶剂，得到粗品，粗品用二甲苯溶解脱色并重结晶，得到22.4g产物a3，产率为81％。
[0047]
1.3化合物a的合成
[0048][0049]
将实验装置充分干燥，在氮气下向500ml四口烧瓶中加入a3(20.7g，40mmol)和n-[1,1'
-ꢀ
联苯-2-基]-9,9-二甲基-9h-芴-2-胺16.2g(45mmol)，再加入干燥并脱气过的甲苯作溶剂，加入 6.1g(63mmol)叔丁醇钠、0.88g(0.96mmol)催化剂pd2(dba)3升温至80℃，缓慢滴加4.5ml质 量浓度为10％的三叔丁基膦甲苯溶液，滴加完毕后升温至100-105℃，反应6h。待反应结束， 冷却至室温，用甲苯稀释，垫硅胶过滤，滤液真空蒸去溶剂，得到粗品，粗品用二甲苯溶解 脱色并重结晶，得到26.6g化合物a，产率为72％,hplc纯度98.6％，ms[m h] ＝842.25。
[0050]
2.化合物b的合成
[0051]
2.1中间体b1的合成
[0052][0053]
在250ml的三口瓶中，加入2-溴-4'-氯-1,1'-联苯9.4g(35mmol)和120ml无水四氢呋 喃(干燥过)，氮气保护，冷却到-78℃，缓慢加入2.5m正丁基锂正己烷溶液15.4ml(38.5mmol)， 并在-78℃下搅拌1.5h；在氮气保护下分批加入2-溴-7-叔丁基芴酮11g(35mmol)，搅拌至室 温后，继续搅拌反应2h。待反应结束，加入4m盐酸溶液淬灭反应，用乙酸乙酯萃取，有机 相用饱和食盐水洗涤，旋除溶剂，得到的油状液体在不进一步提纯的情况下，再投料到干燥 的三口烧瓶中，加入150g乙酸和3g浓盐酸，升温回流3小时，析出大量固体。反应结束反 应后冷却至室温，过滤和水洗涤，干燥，用甲苯和乙醇重结晶，得到13.3g类白色固体a1， 产率为65％。
[0054][0055]
将实验装置充分干燥，在氮气下向500ml四口烧瓶中加入43.8g(90mmol)中间体b1和 15.7g(93mmol)二苯胺，再加入干燥并脱气过的甲苯作溶剂，加入11.3g(117.2mmol)叔丁醇钠、 0.98g(0.9mmol)pd2(dba)3和3.7g(1.85mmol)10％三叔丁基膦甲苯溶液，升温至100-105℃，反 应16小时。待反应结束，冷却至室温，用甲苯稀释，垫硅胶过滤，滤液真空蒸去溶剂，得到 粗品，粗品用二甲苯溶解脱色并重结晶，得到44.1g中间体b2，为白色固体粉末，产率为74％。
[0056]
在氮气保护下，向500ml干燥的四口烧瓶中加入18.4g(32mmol)中间体b2和12.3g (34mmol)n-[1,1'-联苯-2-基]-9,9-二甲基-9h-芴-2-胺，再加入干燥并脱气过的二甲苯作溶剂，加 入4.8g(50mmol)叔丁醇钠、0.32g(0.35mmol)pd2(dba)3和1.2g(0.6mmol)10％三叔丁基膦甲苯 溶液，升温至110-115℃，反应16h。待反应结束，冷却至室温，用二甲苯稀释，垫硅胶过短 柱，滤液真空蒸去溶剂，得到粗品，粗品用甲苯重结晶，得到21.2g化合物b，为白色固体粉 末，产率为69％，hplc纯度98.9％，ms[m h] ＝898.54。
[0057]
3.化合物c的合成
[0058]
3.1中间体c1的合成
[0059][0060]
在250ml的三口瓶中加入2-溴-4-叔丁基4'-氯-1,1'-联苯11.3g(35mmol)和120ml无水 四氢呋喃(干燥过)，氮气保护，冷却到-78℃，缓慢加入正丁基锂15.4ml(38.5mmol)，
并在-78℃ 下搅拌1.5h；在氮气保护下分批加入2-溴芴酮9.1g(35mmol)，有机相用饱和食盐水洗涤， 旋除溶剂，得到中间体醇。在不进一步提纯的情况下，再投料到干燥的三口烧瓶中，加入150g 乙酸和3g浓盐酸，升温回流3小时，结束反应。冷却至室温，过滤和水洗涤，干燥，用甲苯 和乙醇重结晶，得到14.7g类白色固体c1，产率为72％。
[0061]
3.2化合物c的合成
[0062][0063]
将实验装置充分干燥，在氮气保护下，向1000ml四口烧瓶中加入中间体c1 50g(102.9 mmol)和17.4g(102.8mmol)二苯胺，再加入干燥并脱气过的甲苯作溶剂，加入12.8g(133.7 mmol)叔丁醇钠、0.5g(0.5mmol)pd2(dba)3和0.6g(1.1mmol)1,1'-双(二苯基膦)二茂铁(dppf)， 升温至微回流(105-110℃)，反应4小时。待反应结束，冷却至60℃，加水萃取洗涤，分层， 上层有机相过硅胶短柱，滤液真空蒸去溶剂，得到粗品，粗品用甲苯-正己烷混合溶剂重结晶， 得到45.8g中间体c2，产率为68％。
[0064]
在氮气保护下，向500ml干燥的四口烧瓶中加入21.8g(38mmol)中间体b2和14.4g(40 mmol)n-[1,1'-联苯-2-基]-9,9-二甲基-9h-芴-2-胺，再加入干燥并脱气过的二甲苯作溶剂，加入 5.5g(57mmol)叔丁醇钠、0.35g(0.38mmol)pd2(dba)3和1.6g(0.8mmol)10％三叔丁基膦甲苯溶 液，升温至110-115℃，反应16h。待反应结束，冷却至室温，用二甲苯稀释，垫硅胶过短柱， 滤液真空蒸去溶剂，得到粗品，粗品用甲苯重结晶，得到26.8g化合物c，为白色固体粉末， hplc纯度98.7％，ms[m h] ＝898.56。
[0065]
4.复合材料制备
[0066]
将化合物a和化合物b的粗品分别按1:3、1:2、1:1、2:1、3:1的质量比混合后，再进行 真空升华提纯，最后分别得到对应的ab型复合材料1a3b、1a2b、1a1b、2a1b及3a1b。 用同样方法制备得到ac型复合材料1a3c、1a2c、1a1c、2a1c及3a1c，升华得到的复合 材料的纯度都在99.95％化合物a、化合物b、化合物c及各复合材料的玻璃化转变温度(tg) 见下表1。
[0067]
表1
[0068]
材料名称tg(℃)a142.92b145.20c149.761a3b144.471a2b143.831a1b143.612a1b143.463a1b143.241a3c147.591a2c146.93
1a1c145.542a1c144.253a1c144.27
[0069]
有机电致发光元件的制备
[0070]
本发明的上述复合材料特别适用于有机电致发光元件中的空穴传输层。以下结合器件结 构，通过以下实施例和对比例详细说明本发明的有机化合物在有机电致发光元件中作为空穴 传输层的应用效果。
[0071]
其中使用到的有机材料的结构式如下：
[0072][0073]
采用本发明的复合空穴传输材料的有机电致发光元件，可包括玻璃和透明导电层(ito) 衬底层1，空穴注入层2，空穴传输层3，发光层4，电子传输层5，阴极层6。
[0074]
器件实施例1
[0075]
利用sunic sp1710蒸镀机制造oled器件，具体步骤为：将镀有厚度为135nm的ito(氧 化铟锡)的玻璃基板(康宁玻璃40mm*40mm*0.7mm)分别用异丙醇和纯水超声洗涤5分
钟，再 用紫外线臭氧清洗，之后将玻璃基板传送至真空沉积室中；将掺杂4％hd(4,4',4
”-
((1e,1'e,1”e)
-ꢀ
环丙烷-1,2,3-三亚基三(氰基甲基亚基亚基)三(2,3,5,6-四氟苯甲腈))的空穴传输材料ht1(n,n
-ꢀ
二([1,1'-联苯基]-4-基)-9,9'-螺二芴-2-胺)以20nm的厚度真空(约10-7
torr)热沉积在透明ito电 极上，形成空穴注入层；在空穴注入层上接着真空沉积60nm厚度的复合材料1a3b(化合物 a和化合物b的质量比为1:3)，作为空穴传输层；在空穴传输层上真空沉积25nm的掺杂4％bd (n1,n6-双(二苯并[b,d]furan-4-基)-n1,n6-双(4-异丙基苯基)3,8-二异丙基芘-1,6-胺的bh (9-(1-萘基)-10-(4-(2-萘基)苯基)蒽)作为发光层；然后真空沉积掺杂50％liq(8-羟基喹啉锂) 的et(2-(9,9'-螺二[芴]-2-基)苯基)-6-([1,1'-联苯基]-3-基)-2-(吡啶-3-基)嘧啶)形成电子传输层， 厚度为30nm；最后按顺序沉积2nm厚的金属镱(yb，电子注入层)和掺杂比例为10:1的镁银 合金形成阴极；最后将该器件从沉积室传送至手套箱中，随即用uv可固化环氧树脂及含有吸 湿剂的玻璃盖板进行封装。
[0076]
在上述制造步骤中，有机材料、金属镱和金属mg的沉积速率分别保持在0.1nm/s、0.05 nm/s和0.2nm/s。
[0077]
该器件结构表示为：ito(135nm)/ht1:4％hd(20nm)/1a3b(60nm)/ht2(10nm)/bh:4％bd (25nm)/et:liq(5:5,30nm)yb(2nm)/mg:ag(10:1,150nm)。
[0078]
器件实施例2
[0079]
以与实施例1中相同的方式进行实验，不同之处在于：作为空穴传输层，使用复合材料 1a2b代替实施例1中的1a3b。
[0080]
该器件结构表示为：ito(135nm)/ht1:4％hd(20nm)/1a2b(60nm)/ht2(10nm)/bh:4％bd (25nm)/et:liq(5:5,30nm)yb(2nm)/mg:ag(10:1,150nm)。
[0081]
器件实施例3
[0082]
以与实施例1中相同的方式进行实验，不同之处在于：作为发光层，使用复合材料1a1b 代替实施例1中的1a3b。
[0083]
该器件结构表示为：ito(135nm)/ht1:4％hd(20nm)/1a1b(60nm)/ht2(10nm)/bh:4％bd (25nm)/et:liq(5:5,30nm)yb(2nm)/mg:ag(10:1,150nm)。
[0084]
器件实施例4
[0085]
以与实施例1中相同的方式进行实验，不同之处在于：作为发光层，使用复合材料2a1b 代替实施例1中的1a3b。
[0086]
该器件结构表示为：ito(135nm)/ht1:4％hd(20nm)/2a1b(60nm)/ht2(10nm)/bh:4％bd (25nm)/et:liq(5:5,30nm)yb(2nm)/mg:ag(10:1,150nm)。
[0087]
器件实施例5
[0088]
以与实施例1中相同的方式进行实验，不同之处在于：作为发光层，使用复合材料3a1b 代替实施例1中的1a3b。
[0089]
该器件结构表示为：ito(135nm)/ht1:4％hd(20nm)/3a1b(60nm)/ht2(10nm)/bh:4％bd (25nm)/et:liq(5:5,30nm)yb(2nm)/mg:ag(10:1,150nm)。
[0090]
器件实施例6
[0091]
以与实施例1中相同的方式进行实验，不同之处在于：作为空穴传输层，使用复合材料 1a3c代替实施例1中的1a3b。
[0092]
该器件结构表示为：ito(135nm)/ht1:4％hd(20nm)/1a3c(60nm)/ht2(10nm)/bh:4％bd (25nm)/et:liq(5:5,30nm)yb(2nm)/mg:ag(10:1,150nm)。
[0093]
器件实施例7
[0094]
以与实施例1中相同的方式进行实验，不同之处在于：作为空穴传输层，使用复合材料 1a2c代替实施例1中的1a3b。
[0095]
该器件结构表示为：ito(135nm)/ht1:4％hd(20nm)/1a2c(60nm)/ht2(10nm)/bh:4％bd (25nm)/et:liq(5:5,30nm)yb(2nm)/mg:ag(10:1,150nm)。
[0096]
器件实施例8
[0097]
以与实施例1中相同的方式进行实验，不同之处在于：作为空穴传输层，使用复合材料 1a1c代替实施例1中的1a3b。
[0098]
该器件结构表示为：ito(135nm)/ht1:4％hd(20nm)/1a1c(60nm)/ht2(10nm)/bh:4％bd (25nm)/et:liq(5:5,30nm)yb(2nm)/mg:ag(10:1,150nm)。
[0099]
器件实施例9
[0100]
以与实施例1中相同的方式进行实验，不同之处在于：作为空穴传输层，使用复合材料 2a1c代替实施例1中的1a3b。
[0101]
该器件结构表示为：ito(135nm)/ht1:4％hd(20nm)/2a1c(60nm)/ht2(10nm)/bh:4％bd (25nm)/et:liq(5:5,30nm)yb(2nm)/mg:ag(10:1,150nm)。
[0102]
器件实施例10
[0103]
以与实施例1中相同的方式进行实验，不同之处在于：作为空穴传输层，使用复合材料 3a1c代替实施例1中的1a3b。
[0104]
该器件结构表示为：ito(135nm)/ht1:4％hd(20nm)/3a1c(60nm)/ht2(10nm)/bh:4％bd (25nm)/et:liq(5:5,30nm)yb(2nm)/mg:ag(10:1,150nm)。
[0105]
器件对比例1
[0106]
以与实施例1中相同的方式进行实验，不同之处在于：作为空穴传输层，使用化合物a 代替实施例1中的1a3b。
[0107]
该器件结构表示为：ito(135nm)/ht1:4％hd(20nm)/化合物a(60nm)/ht2(10 nm)/bh:4％bd(25nm)/et:liq(5:5,30nm)yb(2nm)/mg:ag(10:1,150nm)。
[0108]
器件对比例2
[0109]
以与实施例1中相同的方式进行实验，不同之处在于：作为空穴传输层，使用化合物b 代替实施例1中的1a3b。
[0110]
该器件结构表示为：ito(135nm)/ht1:4％hd(20nm)/化合物b(60nm)/ht2(10 nm)/bh:4％bd(25nm)/et:liq(5:5,30nm)yb(2nm)/mg:ag(10:1,150nm)。
[0111]
器件对比例3
[0112]
以与实施例1中相同的方式进行实验，不同之处在于：作为空穴传输层，使用化合物c 代替实施例1中的1a3b。
[0113]
该器件结构表示为：ito(135nm)/ht1:4％hd(20nm)/化合物c(60nm)/ht2(10 nm)/bh:4％bd(25nm)/et:liq(5:5,30nm)yb(2nm)/mg:ag(10:1,150nm)。
[0114]
器件的亮度、发光效率、eqe(外量子效率)器件的亮度、发光效率、eqe(外量子效率) 是由苏州弗式达fs-100ga4测试完成的，器件寿命lt95(初始亮度为4000nits，衰减到
3800nits 所用的时间)是在弗式达fs-mp96测试完成的，所有测量均在室温大气中完成。器件在 10ma/cm2电流密度下的工作电压(v)、电流效率(c.e.)、外量子效率(eqe)及色坐标 (ciex,ciey)的具体性能数据见表2。
[0115]
表2
[0116][0117][0118]
从表中可以看出，本发明上述的实施例实现了如下技术效果：化合物a与化合物b或化 合物c混合后得到的复合材料作为空穴传输层制备的器件实施例1至10，与单一材料作为空 穴传输层的器件对比例1至3相比，器件寿命都明显提高。特别是实施例1、实施例2、实施 例4、实施例6、实施例7、实施例9，器件的效率和寿命同时增加。
[0119]
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员 来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等 同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。