静电吸盘的制作方法

静电吸盘
1.本技术要求于2020年5月18日提交的第10
‑
2020
‑
0059262号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请出于所有目的通过引用包含于此，如同在此充分阐述一样。
技术领域
2.发明的示例性实施例/实施方式总体上涉及一种利用静电力固定基底的静电吸盘。


背景技术：

3.正在开发各种电子装置，诸如智能电话、平板计算机、笔记本计算机和智能电视。电子装置包括用于提供信息的显示装置。对显示装置重复执行各种工艺，诸如使用预定材料在基底上形成薄膜的沉积工艺、使薄膜的选定部分暴露的光刻工艺、去除薄膜的暴露部分以将薄膜图案化成期望的形状的干法或湿法蚀刻工艺等。在这些工艺之中，通常在封闭的工艺腔室中执行沉积工艺和干法蚀刻工艺，并且在工艺腔室中设置静电吸盘以固定基底。
4.在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于对发明构思的背景的理解，因此，其可以包含不构成现有技术的信息。


技术实现要素：

5.根据发明的示例性实施例构造的装置能够提供控制施加到基底的静电力的静电吸盘。
6.根据发明的示例性实施例构造的装置还能够提供具有改善的工艺可靠性的静电吸盘。
7.发明构思的另外的特征将在下面的描述中阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过发明构思的实践来获知。
8.发明构思的一个或更多个示例性实施例提供了一种静电吸盘，该静电吸盘固定基底并且包括限定在静电吸盘中的第一区域和与第一区域相邻并且限定在静电吸盘中的第二区域。静电吸盘包括：第一电极部分，设置在第一区域中，并且具有第一宽度；以及第二电极部分，设置在第二区域中，并且具有小于第一宽度的第二宽度。
9.第一宽度可以在从约3毫米至约10毫米的范围内，并且第二宽度可以在从约1毫米至约2毫米的范围内。
10.第二区域可以围绕第一区域。
11.静电吸盘还可以包括：第一电源，向第一电极部分提供第一电压；以及第二电源，向第二电极部分提供第二电压。
12.第一电压可以低于第二电压。
13.静电吸盘还可以包括：电源，向第一电极部分和第二电极部分提供电压；第一可变电阻器，电连接在第一电极部分与电源之间；以及第二可变电阻器，电连接在第二电极部分
与电源之间。
14.第一可变电阻器可以具有比第二可变电阻器的电阻值大的电阻值。
15.静电吸盘还可以包括：第三电极部分，设置在第一区域中，并且与第一电极部分间隔开第一间隙；以及第四电极部分，设置在第二区域中，并且与第二电极部分间隔开第二间隙。第一间隙可以小于第一宽度，并且第二间隙可以等于第二宽度。
16.第一间隙可以等于或大于第二间隙。
17.第一间隙可以在从约1毫米至约1.5毫米的范围内，并且第二间隙为约1毫米。
18.第一电极部分、第二电极部分、第三电极部分和第四电极部分中的每个可以设置为多个，第一电极部分可以与第三电极部分交替地布置，并且第二电极部分可以与第四电极部分交替地布置。
19.静电吸盘还可以包括：第三区域，在静电吸盘中限定为设置在第一区域与第二区域之间并且围绕第一区域；以及第三电极部分，设置在第三区域中。第一电极部分、第二电极部分和第三电极部分可以接收彼此不同的电压。
20.静电吸盘还可以包括：第一电源，向第一电极部分提供第一电压；第二电源，向第二电极部分提供不同于第一电压的第二电压；以及第三电源，向第三电极部分提供不同于第一电压和第二电压的第三电压。
21.静电吸盘还可以包括：电源，提供电压；第一可变电阻器，电连接在电源与第一电极部分之间；第二可变电阻器，电连接在电源与第二电极部分之间；以及第三可变电阻器，电连接在电源与第三电极部分之间。
22.第一可变电阻器可以具有比第二可变电阻器和第三可变电阻器中的每个的电阻值大的电阻值。
23.发明构思的一个或更多个示例性实施例还可以提供一种静电吸盘，该静电吸盘固定基底并且包括限定在静电吸盘中的多个区域。静电吸盘包括：多个第一电极部分，设置在所述多个区域之中的第一区域中；多个第二电极部分，设置在所述多个区域之中的第二区域中；多个第三电极部分，设置在第一区域中；以及多个第四电极部分，设置在第二区域中。第一电极部分以第一间距布置，第二电极部分以小于第一间距的第二间距布置，第三电极部分以等于第一间距的间距布置，并且第四电极部分以等于第二间距的间距布置。
24.第一电极部分可以与第三电极部分交替地布置，第一电极部分和第三电极部分可以具有第一宽度，第二电极部分可以与第四电极部分交替地布置，并且第二电极部分和第四电极部分可以具有等于或小于第一宽度的第二宽度。
25.第一电压可以被施加到第一电极部分，并且高于第一电压的第二电压可以被施加到第二电极部分。
26.静电吸盘还可以包括：电源，向第一电极部分、第二电极部分、第三电极部分和第四电极部分提供电压；第一可变电阻器，电连接在第一电极部分与电源之间并且使电压降低到第一电压；以及第二可变电阻器，电连接在第二电极部分与电源之间并且使电压降低到第二电压。
27.静电吸盘还可以包括提供第一电压的第一电源和提供第二电压的第二电源。
28.根据上文，静电吸盘包括第一区域和与第一区域相邻的第二区域，第一区域和第二区域限定在静电吸盘中。设置在第一区域中的第一电极部分具有比设置在第二区域中的
第二电极部分的面积大的面积。当施加到第一区域的电压与施加到第二区域的电压相同时，在第一区域中产生的静电力大于在第二区域中产生的静电力。因此，即使施加到第一区域的电压低于施加到第二区域的电压，也可以确保足以吸持基底的静电力。
29.另外，由于施加到第一区域的电压低于施加到第二区域的电压，因此降低了由于施加到电极的电压而损坏电极的可能性，并且降低了由于漏电流而在第一区域中累积电荷的可能性。因此，提供了具有改善的工艺可靠性的静电吸盘。
30.根据本公开，多个电源分别电连接到设置在分离的区域中的电极，并且针对各个区域独立地向电极提供不同的电压，从而控制静电吸盘的施加到基底的静电力。
31.根据本公开，静电吸盘使用连接到一个电源的多个可变电阻器针对各个区域独立地提供不同的电压，以控制静电吸盘的施加到基底的静电力。
32.将理解的是，前面的总体描述和后面的详细描述都是示例性的和说明性的，并且意图提供对要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
33.包括附图以提供对发明的进一步理解，附图包含在本说明书中并构成本说明书的一部分，附图示出了发明的示例性实施例，并且和描述一起用于解释发明构思。
34.图1是示出根据本公开的实施例的基底和静电吸盘的透视图。
35.图2是示出根据本公开的实施例的基底的一部分的剖视图。
36.图3a、图3b、图3c和图3d是示出根据本公开的实施例的基底和静电吸盘的透视图。
37.图4是根据本公开的实施例的沿着图1的线i
‑
i'截取的剖视图。
38.图5是示出根据本公开的实施例的静电吸盘的组件中的一些组件的平面图。
39.图6是示出根据本公开的实施例的施加电压与静电力之间的关系的曲线图。
40.图7是示出根据本公开的实施例的静电吸盘的组件中的一些组件的平面图。
41.图8a是示出根据本公开的实施例的静电吸盘的组件中的一些组件的平面图。
42.图8b是示出根据本公开的实施例的静电吸盘的组件中的一些组件的平面图。
43.图9a是示出根据本公开的实施例的静电吸盘的组件中的一些组件的平面图。
44.图9b是示出根据本公开的实施例的静电吸盘的组件中的一些组件的平面图。
具体实施方式
45.在下面的描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节，以提供对发明的各种示例性实施例或实施方式的透彻理解。如在此所使用的，“实施例”和“实施方式”是可互换的词语，并且是采用在此公开的发明构思中的一个或更多个的装置或方法的非限制性示例。然而，明显的是，可以在没有这些具体细节或者具有一个或更多个等同布置的情况下实践各种示例性实施例。在其他情况下，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免不必要地混淆各种示例性实施例。此外，各种示例性实施例可以不同，但不必是排他性的。例如，在不脱离发明构思的情况下，示例性实施例的具体形状、构造和特性可以在另一示例性实施例中使用或实现。
46.除非另外说明，否则示出的示例性实施例将被理解为提供一些方式的各种细节的示例性特征，在实践中可以以所述方式实现发明构思。因此，除非另外说明，否则在不脱离
发明构思的情况下，可以对各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中单独称为或统称为“元件”)进行另外组合、分离、互换和/或重新布置。
47.通常提供在附图中的交叉影线和/或阴影的使用，以使相邻元件之间的边界清晰。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传达或指示对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述性的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实施示例性实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。此外，同样的附图标记表示同样的元件。
48.当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有中间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。此外，dr1轴、dr2轴和dr3轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如x轴、y轴和z轴)，而是可以以更广泛的含义来解释。例如，dr1轴、dr2轴和dr3轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“x、y和z中的至少一个(种/者)”和“从由x、y和z组成的组中选择的至少一个(种/者)”可以被解释为仅x、仅y、仅z，或者x、y和z中的两个或更多个的任何组合，诸如以xyz、xyy、yz和zz为例。如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。
49.尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一个元件区分开。因此，在不脱离公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件。
50.为了描述性目的，在此可以使用诸如“在
……
之下”、“在
……
下方”、“在
……
下面”、“下”、“在
……
上方”、“上”、“在
……
之上”、“较高的”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语，由此来描述如附图中所示的一个元件与另一(其他)元件的关系。除了附图中所描绘的方位之外，空间相对术语意图涵盖设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在
……
下方”可以涵盖上方和下方两种方位。此外，设备可以被另外定位(例如，旋转90度或者在其他方位处)，如此，相应地解释在此使用的空间相对描述语。
51.在此使用的术语是出于描述具体实施例的目的，而不意图成为限制。如在此所使用的，单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式，除非上下文另外清楚地指出。此外，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”及其变型时，所述术语说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还要注意的是，如在此所使用的，术语“基本上(基本)”、“大约(约)”和其他类似术语用作近似术语而不用作程度术语，如此，它们被用来解释将由本领域普通技术人员认识到的测量值、计算值和/或提供值中的固有偏差。
52.在此参照作为理想化示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖视图和/或分解图描述了各种示例性实施例。如此，在此公开的示例性实施例不应必须被解释为限于区域的具体示出的形状，而是将包括由例如制造引起的形状的偏差。以这种方式，附图中所示的区域在本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，如此，不必意图成为限制。
53.除非另外定义，否则在此所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。术语(诸如在通用字典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，而不应以理想化的或过于形式化的意思来进行解释，除非在此明确地如此定义。
54.在下文中，将参照附图描述本公开的实施例。
55.图1是示出根据本公开的实施例的基底sub和静电吸盘esc的透视图。
56.图2是示出根据本公开的实施例的基底sub的一部分的剖视图。
57.参照图1和图2，静电吸盘esc可以利用静电感应现象产生静电力以吸持或解除吸持基底sub。
58.基底sub可以是包括有机发光器件的有机发光面板的一部分。
59.基底sub可以包括与由第一方向dr1和第二方向dr2限定的表面基本平行的表面。第三方向dr3表示基底sub的厚度方向。可以通过第三方向dr3将基底sub的前(或上)表面和后(或下)表面彼此区分开。第三方向dr3可以与第一方向dr1和第二方向dr2交叉。例如，第一方向dr1、第二方向dr2和第三方向dr3可以基本上彼此垂直。在本公开中，由第一方向dr1和第二方向dr2限定的表面可以被定义为平面，并且表述“当在平面中观察时”或“在平面图中”可以表示在第三方向dr3上观察的状态。
60.基底sub可以包括基体层bl、电路层dp
‑
cl、电极ae和像素限定层pdl。
61.基体层bl可以包括合成树脂膜。基体层bl可以具有多层结构。例如，基体层bl可以具有合成树脂层、粘合层和合成树脂层的三层结构。具体地，合成树脂层可以是聚酰亚胺类树脂层。然而，这仅仅是示例性的，并且合成树脂层的类型不应限于此或受此限制。合成树脂层可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。
62.至少一个无机层可以形成在基体层bl的上表面上。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。无机层可以设置为多个。无机层可以形成阻挡层和/或缓冲层。在本实施例中，基底sub包括缓冲层bfl。
63.电路层dp
‑
cl可以包括缓冲层bfl、第一晶体管t1、第二晶体管t2、第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40、第五绝缘层50和第六绝缘层60。
64.缓冲层bfl可以改善基体层bl与半导体图案之间的结合力。缓冲层bfl可以包括氧化硅层和氮化硅层。氧化硅层和氮化硅层可以彼此交替地堆叠。
65.半导体图案可以设置在缓冲层bfl上。半导体图案可以包括多晶硅，然而，半导体图案不应限于此或受此限制。例如，半导体图案可以包括非晶硅或金属氧化物。
66.半导体图案可以根据其是否被掺杂而具有不同的电性质。半导体图案可以包括掺杂区和非掺杂区。掺杂区可以掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂。n型晶体管可以包括掺杂有n型掺杂剂的掺杂区。p型晶体管可以包括掺杂有p型掺杂剂的掺杂区。
67.掺杂区可以具有比非掺杂区的导电率大的导电率，并且可以基本上用作电极或信号线。非掺杂区可以基本上对应于晶体管的有源区(或沟道)。换言之，半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区，半导体图案的另一部分可以是晶体管的源极或漏极，并且半导体图案的其他部分可以是连接电极或连接信号线。
68.晶体管可以包括第一晶体管t1和第二晶体管t2。第一晶体管t1可以包括源极s1、有源区a1、漏极d1和栅极g1。第二晶体管t2可以包括源极s2、有源区a2、漏极d2和栅极g2。
69.可以使用半导体图案来形成第一晶体管t1的源极s1、有源区a1和漏极d1，并且可以使用半导体图案来形成第二晶体管t2的源极s2、有源区a2和漏极d2。源极s1和s2以及漏极d1和d2可以在剖面中分别从有源区a1和a2沿相反的方向延伸。
70.图2示出了使用半导体图案形成的连接信号线scl的一部分。尽管未单独示出，但是当在平面中观察时，连接信号线scl可以连接到第二晶体管t2的漏极d2。
71.第一绝缘层10可以设置在缓冲层bfl上。第一绝缘层10可以覆盖第一晶体管t1和第二晶体管t2。第一绝缘层10可以包括无机层和/或有机层，并且可以具有单层或多层结构。稍后描述的电路层dp
‑
cl的绝缘层包括无机层和/或有机层，并且可以如第一绝缘层10那样具有单层或多层结构。
72.栅极g1和g2可以设置在第一绝缘层10上。栅极g1和g2可以是金属图案的一部分。当在平面中观察时，栅极g1和g2可以分别与有源区a1和a2叠置。
73.第二绝缘层20可以设置在第一绝缘层10上。第二绝缘层20可以覆盖栅极g1和g2。
74.上电极ue可以设置在第二绝缘层20上。当在平面中观察时，上电极ue可以与第二晶体管t2的栅极g2叠置。上电极ue可以是金属图案的一部分。栅极g2的一部分和与栅极g2的该部分叠置的上电极ue可以限定电容器。然而，这仅仅是示例性的，并且可以省略上电极ue。
75.第三绝缘层30可以设置在第二绝缘层20上。第三绝缘层30可以覆盖上电极ue。第一连接电极cne1可以设置在第三绝缘层30上。第一连接电极cne1可以通过穿透第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30的接触孔cnt
‑
1连接到连接信号线scl。
76.第四绝缘层40可以设置在第三绝缘层30上。第五绝缘层50可以设置在第四绝缘层40上。第五绝缘层50可以是有机层。第二连接电极cne2可以设置在第五绝缘层50上。第二连接电极cne2可以通过穿透第四绝缘层40和第五绝缘层50的接触孔cnt
‑
2连接到第一连接电极cne1。
77.第六绝缘层60可以设置在第五绝缘层50上。第六绝缘层60可以覆盖第二连接电极cne2。第六绝缘层60可以是有机层。
78.电极ae可以设置在第六绝缘层60上。电极ae可以通过穿透第六绝缘层60的接触孔cnt
‑
3连接到第二连接电极cne2。
79.像素限定层pdl可以设置在电极ae和第六绝缘层60上。可以通过像素限定层pdl限定开口op。电极ae的至少一部分可以通过像素限定层pdl的开口op暴露。
80.静电吸盘esc可以吸持基底sub以执行处理基底sub的工艺，并且可以在处理基底sub之后解除吸持基底sub以执行下一工艺，并且可以重复地执行吸持操作和解除吸持操作。
81.静电吸盘esc可以在与重力方向相反的方向上吸持基底sub。可以在将基底sub设
置为使得像素限定层pdl面向下之后对基底sub进行处理。例如，包括沉积材料的沉积源可以设置在静电吸盘esc下面。沉积材料可以是例如构成发光层的发光材料。沉积材料可以沉积在基底sub的电极ae上以形成发光层。
82.图3a至图3d是示出根据本公开的实施例的基底sub和静电吸盘esc
‑
1、esc
‑
2、esc
‑
3和esc
‑
4的透视图。
83.参照图3a，静电吸盘esc
‑
1可以设置在基底sub下面。静电吸盘esc
‑
1可以在重力方向上吸持基底sub。
84.参照图3b，静电吸盘esc
‑
2可以在第一方向dr1上吸持基底sub。基底sub可以在面向第一方向dr1的同时被处理。
85.参照图3c，静电吸盘esc
‑
3可以吸持基底sub，使得基底sub以预定角度ag1倾斜。预定角度ag1可以是静电吸盘esc
‑
3的与基底sub接触的表面esc
‑
b1与由第一方向dr1和第二方向dr2限定的平面之间的角度。预定角度ag1可以是钝角。基底sub可以在以预定角度ag1倾斜的同时被处理。
86.参照图3d，静电吸盘esc
‑
4可以吸持基底sub，使得基底sub以预定角度ag2倾斜。预定角度ag2可以是静电吸盘esc
‑
4的与基底sub接触的表面esc
‑
b2与由第一方向dr1和第二方向dr2限定的平面之间的角度。预定角度ag2可以是锐角。基底sub可以在以预定角度ag2倾斜的同时被处理。
87.图4是根据本公开的实施例的沿着图1的线i
‑
i'截取的剖视图。
88.参照图4，静电吸盘esc可以包括吸盘主体bs、第一绝缘层il1、第二绝缘层il2、多个正电极pe和多个负电极ne。
89.吸盘主体bs可以设置在基底sub上。吸盘主体bs可以包括陶瓷材料。然而，这仅仅是示例性的，并且吸盘主体bs的材料不应限于此或受此限制。例如，根据本公开的实施例的吸盘主体bs可以包括铝(al)、钛(ti)、不锈钢、氧化铝(al2o3)、氧化钇(y2o3)或氮化铝。
90.第一绝缘层il1可以设置在吸盘主体bs下面。第一绝缘层il1可以包括具有比第二绝缘层il2的耐热性和化学稳定性高的耐热性和化学稳定性的材料。例如，第一绝缘层il1可以包括氧化钇(y2o3)。然而，这仅仅是示例性的，第一绝缘层il1的材料不应限于此或受此限制，并且第一绝缘层il1可以包括具有所述耐热性和所述化学稳定性的各种材料。
91.第一绝缘层il1可以具有比吸盘主体bs的厚度wd1小的厚度wd2。第一绝缘层il1的厚度wd2可以在从约80微米至约100微米的范围内。吸盘主体bs的厚度wd1可以在从约10毫米至约20毫米的范围内。
92.第二绝缘层il2可以设置在第一绝缘层il1下面。第二绝缘层il2可以包括具有比第一绝缘层il1的导热性和介电性质高的导热性和介电性质的材料。例如，第二绝缘层il2可以包括氧化铝(al2o3)。然而，这仅仅是示例性的，第二绝缘层il2的材料不应限于此或受此限制，并且第二绝缘层il2可以包括具有所述导热性的各种材料。
93.第二绝缘层il2可以具有比第一绝缘层il1的厚度wd2大的厚度wd3。第二绝缘层il2的厚度wd3可以小于吸盘主体bs的厚度wd1。第二绝缘层il2的厚度wd3可以在从约110微米至约150微米的范围内。
94.正电极pe和负电极ne可以设置在第一绝缘层il与第二绝缘层il2之间。第二绝缘层il2可以覆盖正电极pe和负电极ne。正电极pe和负电极ne可以具有彼此不同的极性。正电
极pe可以与负电极ne交替地布置。
95.正电极pe和负电极ne可以包括钨(w)。然而，这仅仅是示例性的，并且正电极pe和负电极ne中的每个的材料不应限于此或受此限制。例如，正电极pe和负电极ne中的每个可以包括银(ag)或铜(cu)。
96.正电极pe和负电极ne可以具有基本相同的厚度wd4。正电极pe和负电极ne中的每个的厚度wd4可以小于第一绝缘层il1的厚度wd2和第二绝缘层il2的厚度wd3。正电极pe和负电极ne中的每个的厚度wd4可以在从约25微米至约35微米的范围内。
97.可以向正电极pe施加正dc电压。可以在正电极pe与基底sub之间产生第一静电力。可以向负电极ne施加负dc电压。可以在负电极ne与基底sub之间产生第二静电力。第一静电力和第二静电力可以是静电力。
98.根据本公开的实施例的静电吸盘esc可以是双极静电吸盘。然而，这仅仅是示例性的，并且根据实施例的静电吸盘esc的类型不应限于此或受此限制。例如，静电吸盘esc可以是单极静电吸盘。在这种情况下，可以向静电吸盘esc的正电极pe和负电极ne施加具有相同极性的dc电压。在单极静电吸盘中，正电极pe和负电极ne可以被称为电极。
99.当正dc电压被施加到正电极pe中的每个时，基底sub的分别与正电极pe叠置的第一区域的上部可以被充有负电位。由于电荷，可以在正电极pe与第一区域之间产生静电力。
100.当负dc电压被施加到负电极ne中的每个时，基底sub的分别与负电极ne叠置的第二区域的上部可以被充有正电位。由于电荷，可以在负电极ne与第二区域之间产生静电力。
101.图5是示出根据本公开的实施例的静电吸盘esc的组件中的一些组件的视图。
102.参照图5，静电吸盘esc可以包括第一电极ed1、第二电极ed2、第三电极ed3、第四电极ed4、第一电源vd1和第二电源vd2，其中，在下文中的每个“电源”指具有离散电压和电流的电源或电源的分支。
103.静电吸盘esc可以包括第一区域ar1和与第一区域ar1相邻的第二区域ar2，第一区域ar1和第二区域ar2限定在静电吸盘esc中。第二区域ar2可以围绕第一区域ar1。例如，第一区域ar1可以具有四边形形状，并且第二区域ar2可以具有四边形环形形状。然而，这仅仅是示例性的，并且第一区域ar1和第二区域ar2可以具有各种形状，而不限于四边形形状和四边形环形形状。
104.第一电极ed1可以设置在第一区域ar1中。第一电极ed1可以包括第一连接部分cp1和多个第一电极部分ep1。
105.第一连接部分cp1可以包括第一部分cp11、第二部分cp12和第三部分cp13。第一部分cp11可以在第二方向dr2上延伸。第二部分cp12可以在第二方向dr2上延伸，并且可以在第一方向dr1上与第一部分cp11间隔开。第三部分cp13可以在第一方向dr1上从第一部分cp11的一端和第二部分cp12的一端延伸。
106.多个第一电极部分ep1可以从第一连接部分cp1突出。第一电极部分ep1可以被称为正电极pe(参照图4)。
107.第一电极部分ep1中的每个可以具有第一宽度wep1。第一宽度wep1可以在从约3毫米至约10毫米的范围内。例如，第一宽度wep1可以为约4毫米。第一电极部分ep1的第一宽度wep1不应被具体限制，只要第一电极部分ep1的第一宽度wep1大于稍后描述的第二电极部分ep2的第二宽度wep2即可。
108.第一电极部分ep1可以以第一间距(pitch，又称为“节距”)pc1布置。第一间距pc1可以在从约8毫米至约23毫米的范围内。例如，第一间距pc1可以为约10毫米。然而，这仅仅是示例性的，并且根据本公开的实施例的第一间距pc1不应限于此或受此限制。
109.第二电极ed2可以设置在第二区域ar2中。第二电极ed2可以包括第二连接部分cp2和第二电极部分ep2。
110.第二连接部分cp2可以沿着第二区域ar2的内周设置。第二电极部分ep2可以从第二连接部分cp2突出。第二电极部分ep2可以被称为正电极pe(参照图4)。
111.第二电极部分ep2中的每个可以具有第二宽度wep2。第二宽度wep2可以小于第一宽度wep1。第二宽度wep2可以在从约1毫米至约2毫米的范围内。例如，第二宽度wep2可以为约1毫米。
112.第二电极部分ep2可以以第二间距pc2布置。第二间距pc2可以在从约4毫米至约5毫米的范围内。例如，第二间距pc2可以为约4毫米。然而，这仅仅是示例性的，并且根据本公开的实施例的第二间距pc2不应限于此或受此限制。第二间距pc2可以小于第一间距pc1。
113.第三电极ed3可以设置在第一区域ar1中。第三电极ed3可以包括第三连接部分cp3和多个第三电极部分ep3。
114.第三连接部分cp3可以与第一连接部分cp1间隔开，并且可以具有围绕第一连接部分cp1的一部分的形状。第三电极部分ep3可以从第三连接部分cp3突出。第三电极部分ep3可以被称为负电极ne(参照图4)。
115.第三电极部分ep3中的每个可以具有第三宽度wep3。第三宽度wep3可以与第一宽度wep1相同。
116.第三电极部分ep3之间的间隙可以被称为第三间距pc3。第三间距pc3可以与第一间距pc1相同。
117.第三电极部分ep3可以与第一电极部分ep1间隔开第一间隙gp1。第一间隙gp1可以小于第一宽度wep1和第三宽度wep3。第一间隙gp1可以在从约1毫米至约1.5毫米的范围内。例如，第一间隙gp1可以为约1毫米。
118.第一电极部分ep1可以与第三电极部分ep3交替地布置。例如，第一电极ed1和第三电极ed3可以具有叉指图案。叉指图案可以表示通过使具有手指的形式的正电极和负电极叉指形成的图案。
119.第四电极ed4可以设置在第二区域ar2中。第四电极ed4可以包括第四连接部分cp4和多个第四电极部分ep4。
120.第四连接部分cp4可以沿着第一区域ar1的外周布置。第四电极部分ep4可以从第四连接部分cp4突出。第四电极部分ep4可以被称为负电极ne(参照图4)。
121.第四电极部分ep4中的每个可以具有第四宽度wep4。第四宽度wep4可以与第二宽度wep2相同。
122.第四电极部分ep4之间的间隙可以被称为第四间距pc4。第四间距pc4可以与第二间距pc2相同。
123.第四电极部分ep4可以与第二电极部分ep2间隔开第二间隙gp2。第二间隙gp2可以与第二宽度wep2和第四宽度wep4相同。第二间隙gp2可以小于或等于第一间隙gp1。例如，第二间隙gp2可以为约1毫米。
124.第二电极部分ep2可以与第四电极部分ep4交替地布置。例如，第二电极ed2和第四电极ed4可以具有叉指图案。
125.第一电源vd1可以电连接到第一电极ed1和第三电极ed3。第一电源vd1可以向第一电极ed1和第三电极ed3提供直流电压。第一电源vd1可以将具有正电位的第一电压施加到第一电极部分ep1，并且可以将具有负电位的第二电压施加到第三电极部分ep3。第二电源vd2可以电连接到第二电极ed2和第四电极ed4。第二电源vd2可以向第二电极ed2和第四电极ed4提供直流电压。第二电源vd2可以将具有正电位的第三电压施加到第二电极部分ep2，并且可以将具有负电位的第四电压施加到第四电极部分ep4。
126.当在平面中观察时，第一区域ar1可以与第一晶体管t1(参照图2)、第二晶体管t2(参照图2)、连接信号线scl(参照图2)和电极ae(参照图2)叠置。可以通过第一电源vd1在第一区域ar1中发生绝缘体和导体中的静电感应。
127.当第一电压被施加到第一电极部分ep1时，在基底sub(参照图2)的与第一电极部分ep1相邻设置的第一区域ar1中可以发生介电极化现象和电子转移现象。当在平面中观察时，与第一电极部分ep1叠置的第一区域ar1可以被充有负电位。当在平面中观察时，与第一电极部分ep1叠置的第一区域ar1的表面可以具有负电荷。当在平面中观察时，由于施加到第一电极部分ep1的第一电压的正电荷和与第一电极部分ep1叠置的第一区域ar1的表面的负电荷之间的静电力，可以在静电吸盘esc与基底sub(参照图2)之间产生吸引力。
128.当第二电压被施加到第三电极部分ep3时，在基底sub(参照图2)的与第三电极部分ep3相邻设置的第一区域ar1中可以发生介电极化现象和电子转移现象。当在平面中观察时，与第三电极部分ep3叠置的第一区域ar1可以被充有正电位。当在平面中观察时，与第三电极部分ep3叠置的第一区域ar1的表面可以具有正电荷。当在平面中观察时，由于施加到第三电极部分ep3的第二电压的负电荷和与第三电极部分ep3叠置的第一区域ar1的表面的正电荷之间的静电力，可以在静电吸盘esc与基底sub(参照图2)之间产生吸引力。
129.第二电源vd2可以电连接到第二电极ed2和第四电极ed4。第二电源vd2可以提供直流电压。第二电源vd2可以向第二电极部分ep2提供第三电压。第二电源vd2可以向第四电极部分ep4提供第四电压。
130.当在平面中观察时，第二区域ar2可以与基体层bl(参照图2)叠置。可以通过第二电源vd2在第二区域ar2中发生绝缘体中的静电感应。
131.当第三电压被施加到第二电极部分ep2时，在基底sub(参照图2)的与第二电极部分ep2相邻设置的第二区域ar2中可以发生介电极化现象。当在平面中观察时，与第二电极部分ep2叠置的第二区域ar2可以被充有负电位。当在平面中观察时，与第二电极部分ep2叠置的第二区域ar2的表面可以具有负电荷。当在平面中观察时，由于施加到第二电极部分ep2的第三电压的正电荷和与第二电极部分ep2叠置的第二区域ar2的表面的负电荷之间的静电力，可以在静电吸盘esc与基底sub(参照图2)之间产生吸引力。
132.当第四电压被施加到第四电极部分ep4时，在基底sub(参照图2)的与第四电极部分ep4相邻设置的第二区域ar2中可以发生介电极化现象。当在平面中观察时，与第四电极部分ep4叠置的第二区域ar2可以被充有正电位。当在平面中观察时，与第四电极部分ep4叠置的第二区域ar2的表面可以具有正电荷。当在平面中观察时，由于施加到第四电极部分ep4的第四电压的负电荷和与第四电极部分ep4叠置的第二区域ar2的表面的正电荷之间的
静电力，可以在静电吸盘esc与基底sub(参照图2)之间产生吸引力。
133.根据本公开，第一电极部分ep1中的每个的第一宽度wep1和第三电极部分ep3中的每个的第三宽度wep3可以大于第二电极部分ep2中的每个的第二宽度wep2和第四电极部分ep4中的每个的第四宽度wep4。设置在第一区域ar1中的第一电极部分ep1可以具有比设置在第二区域ar2中的第二电极部分ep2的面积大的面积。当施加相同的电压时，由第一区域ar1中的静电力引起的吸引力可以比由第二区域ar2中的静电力引起的吸引力强。因此，尽管施加到设置在第一区域ar1中的第一电极ed1和第三电极ed3的电压低于施加到设置在第二区域ar2中的第二电极ed2和第四电极ed4的电压，但是可以确保用于吸持基底sub(参照图2)的静电力。
134.根据本公开，第一电源vd1和第二电源vd2可以分别电连接到设置在分离的区域中的电极，并且可以针对每个区域独立地施加不同的电压。因此，可以控制静电吸盘esc的施加到基底sub(参照图2)的静电力。
135.图6是示出根据本公开的实施例的施加电压与静电力之间的关系的曲线图。
136.参照图5和图6，第一曲线gr1示出了当施加电压被提供到设置在第一区域ar1中的第一电极ed1和第三电极ed3时形成的静电力。第二曲线gr2示出了当施加电压被提供到设置在第二区域ar2中的第二电极ed2和第四电极ed4时形成的静电力。第一曲线gr1和第二曲线gr2可以与施加电压的平方成比例。
137.当施加电压为恒定的时，当施加电压被提供到第一电极ed1和第三电极ed3时形成的静电力可以高于当施加电压被提供到第二电极ed2和第四电极ed4时形成的静电力。也就是说，第一电极ed1和第三电极ed3确保与第二电极ed2和第四电极ed4的静电力相同的静电力所需的施加电压可以低于施加到第二电极ed2和第四电极ed4的施加电压。例如，第二电源vd2可以提供约3.4kv的施加电压，并且第一电源vd1可以提供低于约3.4kv的约3kv的施加电压，以确保静电吸盘esc吸持基底sub(参照图2)所需的静电力等于或大于约0.12n。
138.当施加高电压以确保用于吸持基底sub(参照图2)的一定静电力时，电荷会由于漏电流而积聚在静电吸盘中。在这种情况下，当基底sub(参照图2)被解除吸持时，解除吸持操作会由于由累积的电荷引起的残余应力而不稳定。然而，根据本公开，由于第一宽度wep1和第三宽度wep3大于第二宽度wep2和第四宽度wep4，因此即使施加到第一电极ed1和第三电极ed3的电压低于施加到第二电极ed2和第四电极ed4的电压，也可以确保适于稳定地吸持基底sub(参照图2)的静电力。另外，由于施加到第一区域ar1的电压低于施加到第二区域ar2的电压，因此可以使电荷由于漏电流而积聚在第一区域ar1中的可能性降低。因此，可以稳定地执行静电吸盘esc与基底sub(参照图2)之间的解除吸持操作。因此，可以改善静电吸盘esc的工艺可靠性。
139.另外，根据本公开，由于第一宽度wep1和第三宽度wep3大于第二宽度wep2和第四宽度wep4，因此即使施加到第一电极ed1和第三电极ed3的电压低于施加到第二电极ed2和第四电极ed4的电压，静电吸盘esc也可以确保适于稳定地吸持基底sub(参照图2)的静电力。因此，可以降低第一电极ed1和第三电极ed3被高电压损坏的可能性。因此，可以改善静电吸盘esc的工艺可靠性。
140.图7是示出根据本公开的实施例的静电吸盘esc1的组件中的一些组件的视图。在图7中，相同的附图标记表示与图5中的元件相同的元件，因此，将省略对相同元件的详细描
述。
141.参照图7，静电吸盘esc1可以包括第一电极ed1、第二电极ed2、第三电极ed3、第四电极ed4、电源vd、第一电阻构件pr1和第二电阻构件pr2。
142.电源vd可以向静电吸盘esc1提供直流电压。例如，电源vd可以电连接到第一电极ed1和第三电极ed3。电源vd可以向多个第一电极部分ep1和多个第三电极部分ep3提供电压。电源vd可以电连接到第二电极ed2和第四电极ed4。电源vd可以向多个第二电极部分ep2和多个第四电极部分ep4提供电压。
143.第一电阻构件pr1可以包括电连接在第一电极部分ep1与电源vd之间的第一可变电阻器pr11。第二电阻构件pr2可以包括电连接在第二电极部分ep2与电源vd之间的第二可变电阻器pr21。第一可变电阻器pr11可以具有比第二可变电阻器pr21的电阻值大的电阻值。第一可变电阻器pr11可以使电压降低以将第一电压施加到第一电极部分ep1。第二可变电阻器pr21可以使电压降低以将第二电压施加到第二电极部分ep2。第一电压可以低于第二电压。
144.第一电阻构件pr1还可以包括电连接在第三电极部分ep3与电源vd之间的第三可变电阻器pr12。第二电阻构件pr2还可以包括电连接在第四电极部分ep4与电源vd之间的第四可变电阻器pr22。
145.根据本公开，第一电极部分ep1中的每个的第一宽度wep1和第三电极部分ep3中的每个的第三宽度wep3可以大于第二电极部分ep2中的每个的第二宽度wep2和第四电极部分ep4中的每个的第四宽度wep4。设置在第一区域ar1中的第一电极部分ep1可以具有比设置在第二区域ar2中的第二电极部分ep2的面积大的面积。当将电压施加到静电吸盘esc时，即使施加到第一区域ar1的第一电压低于施加到第二区域ar2的第二电压，也可以确保吸持基底sub(参照图2)的静电力。
146.根据本公开，与第一可变电阻器至第四可变电阻器pr11、pr12、pr21和pr22连接的电源vd可以针对各个区域独立地向设置在分离的区域中的电极提供不同的电压，因此，可以控制静电吸盘esc1的施加到基底sub(参照图2)的静电力。
147.图8a是示出根据本公开的实施例的静电吸盘esc2的组件中的一些组件的视图。在图8a中，相同的附图标记表示与图5中的元件相同的元件，因此，将省略对相同元件的详细描述。
148.参照图8a，静电吸盘esc2可以包括第一电极ed1、第二电极ed2、第三电极ed3、第四电极ed4、第五电极ed5、第六电极ed6、第一电源vd1
‑
1、第二电源vd2
‑
1和第三电源vd3
‑
1。
149.静电吸盘esc2可以包括限定在静电吸盘esc2中的第一区域ar1
‑
1、第二区域ar2
‑
1和第三区域ar3
‑
1。第二区域ar2
‑
1可以围绕第三区域ar3
‑
1。第三区域ar3
‑
1可以设置在第一区域ar1
‑
1与第二区域ar2
‑
1之间，并且可以围绕第一区域ar1
‑
1。
150.第一电极ed1和第三电极ed3可以设置在第一区域ar1
‑
1中。第二电极ed2和第四电极ed4可以设置在第二区域ar2
‑
1中。
151.第五电极ed5可以设置在第三区域ar3
‑
1中。第五电极ed5可以包括第五连接部分cp5和多个第五电极部分ep5。
152.第五连接部分cp5可以沿着第三区域ar3
‑
1的内周设置。第五电极部分ep5可以从第五连接部分cp5突出。第五电极部分ep5可以被称为第三电极部分。
153.第五电极部分ep5中的每个可以具有第五宽度wep5。第五宽度wep5可以与第二宽度wep2相同。
154.第六电极ed6可以设置在第三区域ar3
‑
1中。第六电极ed6可以包括
155.第六连接部分cp6和多个第六电极部分ep6。
156.第六连接部分cp6可以沿着第三区域ar3
‑
1的外周设置。第六电极部分ep6可以从第六连接部分cp6突出。
157.第六电极部分ep6中的每个可以具有第六宽度wep6。第六宽度wep6可以与第二宽度wep2相同。
158.第一电源vd1
‑
1可以电连接在第一电极ed1与第三电极ed3之间。第一电源vd1
‑
1可以向第一电极ed1提供正电压，并且可以向第三电极ed3提供负电压。
159.第二电源vd2
‑
1可以电连接在第二电极ed2与第四电极ed4之间。第二电源vd2
‑
1可以向第二电极ed2提供正电压，并且可以向第四电极ed4提供负电压。
160.第三电源vd3
‑
1可以电连接在第五电极ed5与第六电极ed6之间。第三电源vd3
‑
1可以向第五电极ed5提供正电压，并且可以向第六电极ed6提供负电压。
161.第一电源vd1
‑
1可以提供比由第二电源vd2
‑
1和第三电源vd3
‑
1中的每个提供的电压低的电压。
162.根据本公开，第一电源vd1
‑
1、第二电源vd2
‑
1和第三电源vd3
‑
1可以电连接到设置在分离的区域中的电极，并且可以独立地向每个区域的电极提供不同的电压，因此，可以控制静电吸盘esc2的施加到基底sub(参照图2)的静电力。
163.图8b是示出根据本公开的实施例的静电吸盘esc3的组件中的一些组件的视图。在图8b中，相同的附图标记表示与图5和图8a中的元件相同的元件，因此，将省略对相同元件的详细描述。
164.参照图8b，静电吸盘esc3可以包括第一电极ed1、第二电极ed2、第三电极ed3、第四电极ed4、第五电极ed5、第六电极ed6、电源vd
‑
1、第一电阻构件pr1
‑
1、第二电阻构件pr2
‑
1和第三电阻构件pr3
‑
1。
165.电源vd
‑
1可以向静电吸盘esc3提供直流电压。例如，电源vd
‑
1可以电连接到第一电极ed1和第三电极ed3。电源vd
‑
1可以向多个第一电极部分ep1和多个第三电极部分ep3提供电压。电源vd
‑
1可以电连接到第二电极ed2和第四电极ed4。电源vd
‑
1可以向多个第二电极部分ep2和多个第四电极部分ep4提供电压。电源vd
‑
1可以电连接到第五电极ed5和第六电极ed6。电源vd
‑
1可以向多个第五电极部分ep5和多个第六电极部分ep6提供电压。
166.第一电阻构件pr1
‑
1可以包括电连接在第一电极部分ep1与电源vd
‑
1之间的第一可变电阻器pr11
‑
1。第二电阻构件pr2
‑
1可以包括电连接在第二电极部分ep2与电源vd
‑
1之间的第二可变电阻器pr21
‑
1。第三电阻构件pr3
‑
1可以包括电连接在第五电极部分ep5与电源vd
‑
1之间的第三可变电阻器pr31
‑
1。
167.第一可变电阻器pr11
‑
1的电阻值可以大于第二可变电阻器pr21
‑
1的电阻值。第一可变电阻器pr11
‑
1可以使电压降低以将第一电压施加到第一电极部分ep1。第二可变电阻器pr21
‑
1可以使电压降低以将第二电压施加到第二电极部分ep2。第一电压可以低于第二电压。第三可变电阻器pr31
‑
1的电阻值可以小于第一可变电阻器pr11
‑
1的电阻值。第三可变电阻器pr31
‑
1可以使电压降低以将第三电压施加到第五电极部分ep5。第一电压可以低
于第三电压。
168.第一电阻构件pr1
‑
1还可以包括电连接在第三电极部分ep3与电源vd
‑
1之间的第四可变电阻器pr12
‑
1。第二电阻构件pr2
‑
1还可以包括电连接在第四电极部分ep4与电源vd
‑
1之间的第五可变电阻器pr22
‑
1。第三电阻构件pr3
‑
1还可以包括电连接在第六电极部分ep6与电源vd
‑
1之间的第六可变电阻器pr32
‑
1。
169.根据本公开，与可变电阻器连接的电源vd
‑
1可以电连接到设置在分离的区域中的电极，并且可以独立地向每个区域的电极提供不同的电压，因此，可以控制静电吸盘esc3的施加到基底sub(参照图2)的静电力。
170.图9a是示出根据本公开的实施例的静电吸盘esc4的组件中的一些组件的视图。
171.参照图9a，静电吸盘esc4可以包括多个第一组gg1、多个第二组gg2、第一电源vd1
‑
2、第二电源vd2
‑
2、第三电源vd3
‑
2、第四电源vd4
‑
2、第五电源vd5
‑
2、第六电源vd6
‑
2、第七电源vd7
‑
2、第八电源vd8
‑
2和第九电源vd9
‑
2。
172.静电吸盘esc4可以包括限定在静电吸盘esc4中的第一区域ar1
‑
1、与第一区域ar1
‑
1相邻的第二区域ar2
‑
1、与第二区域ar2
‑
1相邻的第三区域ar3
‑
1、与第一区域ar1
‑
1相邻的第四区域ar4
‑
1、与第四区域ar4
‑
1相邻的第五区域ar5
‑
1、与第五区域ar5
‑
1相邻的第六区域ar6
‑
1、与第四区域ar4
‑
1相邻的第七区域ar7
‑
1、与第七区域ar7
‑
1相邻的第八区域ar8
‑
1以及与第八区域ar8
‑
1相邻的第九区域ar9
‑
1。例如，静电吸盘esc4可以包括布置成三行乘三列的多个区域。
173.第一电极ed1
‑
1可以设置在第一区域ar1
‑
1中。第一电极ed1
‑
1可以包括第一连接部分cp1
‑
1和多个第一电极部分ep1
‑
1。
174.第一连接部分cp1
‑
1可以包括第一部分cp11
‑
1、第二部分cp12
‑
1和第三部分cp13
‑
1。第一部分cp11
‑
1可以在第二方向dr2上延伸，第二部分cp12
‑
1可以在第二方向dr2上延伸并且可以在第一方向dr1上与第一部分cp11
‑
1间隔开。第三部分cp13
‑
1可以在第一方向dr1上从第一部分cp11
‑
1的一端和第二部分cp12
‑
1的一端延伸。
175.第一电极部分ep1
‑
1可以从第一连接部分cp1
‑
1突出。第一电极部分ep1
‑
1中的每个可以具有第一宽度wep1
‑
1。第一宽度wep1
‑
1可以在从约3毫米至约10毫米的范围内。
176.第二电极ed2
‑
1可以设置在第二区域ar2
‑
1中。第二电极ed2
‑
1可以包括第二连接部分cp2
‑
1和多个第二电极部分ep2
‑
1。
177.第二连接部分cp2
‑
1可以具有与第一连接部分cp1
‑
1的形状对应的形状。第二电极部分ep2
‑
1可以从第二连接部分cp2
‑
1突出。第二电极部分ep2
‑
1中的每个可以具有第二宽度wep2
‑
1。第二宽度wep2
‑
1可以小于第一宽度wep1
‑
1。第二宽度wep2
‑
1可以在从约1毫米至约2毫米的范围内。
178.第三电极ed3
‑
1可以设置在第一区域ar1
‑
1中。第三电极ed3
‑
1可以包括第三连接部分cp3
‑
1和多个第三电极部分ep3
‑
1。
179.第三连接部分cp3
‑
1可以与第一连接部分cp1
‑
1间隔开，并且可以具有围绕第一连接部分cp1
‑
1的一部分的形状。第三电极部分ep3
‑
1可以从第三连接部分cp3
‑
1突出。第三电极部分ep3
‑
1中的每个可以具有第三宽度wep3
‑
1。第三宽度wep3
‑
1可以与第一宽度wep1
‑
1相同。
180.第一电极部分ep1
‑
1可以与第三电极部分ep3
‑
1交替地布置。
181.第四电极ed4
‑
1可以设置在第二区域ar2
‑
1中。第四电极ed4
‑
1可以包括第四连接部分cp4
‑
1和多个第四电极部分ep4
‑
1。
182.第四连接部分cp4
‑
1可以与第二连接部分cp2
‑
1间隔开，并且可以具有围绕第二连接部分cp2
‑
1的一部分的形状。第四电极部分ep4
‑
1可以从第四连接部分cp4
‑
1突出。第四电极部分ep4
‑
1中的每个可以具有第四宽度wep4
‑
1。第四宽度wep4
‑
1可以与第二宽度wep2
‑
1相同。
183.第一组gg1可以包括第一电极ed1
‑
1和第三电极ed3
‑
1，并且第二组gg2可以包括第二电极ed2
‑
1和第四电极ed4
‑
1。
184.第一组gg1可以设置在第一区域ar1
‑
1、第三区域ar3
‑
1、第五区域ar5
‑
1、第七区域ar7
‑
1和第九区域ar9
‑
1中。
185.第二组gg2可以设置在第二区域ar2
‑
1、第四区域ar4
‑
1、第六区域ar6
‑
1和第八区域ar8
‑
1中。
186.第一电源vd1
‑
2可以电连接到设置在第一区域ar1
‑
1中的电极。第二电源vd2
‑
2可以电连接到设置在第二区域ar2
‑
1中的电极。第三电源vd3
‑
2可以电连接到设置在第三区域ar3
‑
1中的电极。第四电源vd4
‑
2可以电连接到设置在第四区域ar4
‑
1中的电极。第五电源vd5
‑
2可以电连接到设置在第五区域ar5
‑
1中的电极。第六电源vd6
‑
2可以电连接到设置在第六区域ar6
‑
1中的电极。第七电源vd7
‑
2可以电连接到设置在第七区域ar7
‑
1中的电极。第八电源vd8
‑
2可以电连接到设置在第八区域ar8
‑
1中的电极。第九电源vd9
‑
2可以电连接到设置在第九区域ar9
‑
1中的电极。
187.根据本公开，第一电源vd1
‑
2、第二电源vd2
‑
2、第三电源vd3
‑
2、第四电源vd4
‑
2、第五电源vd5
‑
2、第六电源vd6
‑
2、第七电源vd7
‑
2、第八电源vd8
‑
2和第九电源vd9
‑
2可以分别电连接到设置在分离的区域中的电极，并且可以独立地向每个区域的电极提供相同的电压或不同的电压，因此，可以控制静电吸盘esc4的施加到基底sub(参照图2)的静电力。
188.根据本公开，设置在第一组gg1中的第一电极部分ep1
‑
1中的每个的宽度和第三电极部分ep3
‑
1中的每个的宽度可以大于设置在第二组gg2中的第二电极部分ep2
‑
1中的每个的宽度和第四电极部分ep4
‑
1中的每个的宽度。设置在第一组gg1中的第一电极部分ep1
‑
1中的每个的面积和第三电极部分ep3
‑
1中的每个的面积可以大于设置在第二组gg2中的第二电极部分ep2
‑
1中的每个的面积和第四电极部分ep4
‑
1中的每个的面积。当施加相同的电压时，第一组gg1可以具有由静电力引起的比第二组gg2的吸引力强的吸引力。第一组gg1可以被设置为与基底sub(参照图2)的中心部分和多个拐角部分对应。中心部分可以对应于静电吸盘esc4的第五区域ar5
‑
1，并且拐角部分可以分别对应于第一区域ar1
‑
1、第三区域ar3
‑
1、第七区域ar7
‑
1和第九区域ar9
‑
1。因此，静电吸盘esc4可以确保施加到基底sub(参照图2)的中心部分和拐角部分的静电力。
189.图9b是示出根据本公开的实施例的静电吸盘esc5的组件中的一些组件的视图。在图9b中，相同的附图标记表示与图9a中的元件相同的元件，因此，将省略对相同元件的详细描述。
190.参照图9b，静电吸盘esc5可以包括多个第一组gg1、多个第二组gg2、电源vd
‑
2、多个第一可变电阻器pr11
‑
2至pr19
‑
2以及多个第二可变电阻器pr21
‑
2至pr29
‑
2。
191.电源vd
‑
2可以向静电吸盘esc5提供直流电压。
192.第一可变电阻器pr11
‑
2至pr19
‑
2和第二可变电阻器pr21
‑
2至pr29
‑
2可以电连接在设置在多个区域ar1
‑
1至ar9
‑
1中的电极与电源vd
‑
2之间。
193.在第一可变电阻器pr11
‑
2至pr19
‑
2和第二可变电阻器pr21
‑
2至pr29
‑
2之中，连接到第一组gg1的可变电阻器可以具有彼此相同的电阻值。在第一可变电阻器pr11
‑
2至pr19
‑
2和第二可变电阻器pr21
‑
2至pr29
‑
2之中，连接到第二组gg2的可变电阻器可以具有彼此相同的电阻值。然而，这仅仅是示例性的，并且第一可变电阻器pr11
‑
2至pr19
‑
2和第二可变电阻器pr21
‑
2至pr29
‑
2中的每个的电阻值不应限于此或受此限制。例如，连接到第一组gg1的可变电阻器可以具有彼此不同的电阻，并且连接到第二组gg2的可变电阻器可以具有彼此不同的电阻，以针对静电吸盘esc5的每个区域控制静电吸盘esc5的静电力。
194.根据本公开，与第一可变电阻器pr11
‑
2至pr19
‑
2和第二可变电阻器pr21
‑
2至pr29
‑
2连接的电源vd
‑
2可以电连接到设置在分离的区域中的电极，并且可以向每个区域的电极提供相同的电压或不同的电压，因此，可以控制静电吸盘esc5的施加到基底sub(参照图2)的静电力。
195.在图9b中，第一可变电阻器pr11
‑
2至pr19
‑
2的数量和第二可变电阻器pr21
‑
2至pr29
‑
2的数量中的每个与限定在静电吸盘esc5中的区域的数量相同，然而，本公开不应限于此或受此限制。例如，第一可变电阻器pr11
‑
2至pr19
‑
2的数量和第二可变电阻器pr21
‑
2至pr29
‑
2的数量中的每个可以小于限定在静电吸盘esc5中的区域的数量。
196.尽管在此已经描述了某些示例性实施例和实施方式，但是其他实施例和修改将通过本描述而明显。因此，发明构思不限于这样的实施例，而是限于所附权利要求以及对于本领域普通技术人员将明显的各种明显的修改和等同布置的更宽范围。