三维存储器及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底，在所述衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括交替堆叠的第一牺牲层和层间绝缘层，所述堆叠层包括阶梯区域，所述堆叠层在所述阶梯区域包括若干层阶梯，所述阶梯暴露至少部分所述第一牺牲层；形成覆盖至少部分所述阶梯的侧壁的隔离侧墙；形成覆盖所述阶梯的顶面的第二牺牲层；去除所述隔离侧墙，于所述第二牺牲层与所述阶梯的侧壁之间形成空隙。2.根据权利要求1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，形成覆盖至少部分所述阶梯的侧壁的隔离侧墙的具体步骤包括：形成覆盖所述堆叠层的隔离层；去除位于所述堆叠层的顶面和所述阶梯的顶面上的所述隔离层，形成所述隔离侧墙。3.根据权利要求2所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，去除位于所述堆叠层的顶面和所述阶梯的顶面上的所述隔离层的具体步骤包括：沿垂直于所述衬底的顶面的方向向下刻蚀所述隔离层，以去除位于所述堆叠层的顶面和所述阶梯的顶面上的所述隔离层。4.根据权利要求1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，在沿垂直于所述衬底的顶面的方向上，所述隔离侧墙的高度大于或者等于一层所述层间绝缘层的高度。5.根据权利要求1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，形成覆盖所述阶梯的顶面的第二牺牲层的具体步骤包括：形成覆盖所述堆叠层的表面和所述隔离侧墙的表面的辅助层；去除覆盖于所述隔离侧墙的顶面的所述辅助层，保留于所述堆叠层的顶面、所述阶梯的顶面和所述隔离侧墙的至少部分侧面的所述辅助层作为所述第二牺牲层。6.根据权利要求5所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，去除覆盖于所述隔离侧墙的顶面的所述辅助层的具体步骤包括：以所述隔离侧墙作为刻蚀停止层、沿垂直于所述衬底的顶面的方向向下刻蚀所述辅助层，以暴露所述隔离侧墙的顶面。7.根据权利要求1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，在沿垂直于所述衬底的顶面的方向上，位于同一层阶梯上的所述第二牺牲层的高度小于所述隔离侧墙的的高度。8.根据权利要求1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，在沿平行于所述衬底的顶面的方向上，所述隔离侧墙的宽度小于所述第二牺牲层的宽度。9.根据权利要求1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述隔离侧墙与所述第一牺牲层之间的刻蚀选择比、所述隔离侧墙与所述层间绝缘层之间的刻蚀选择比、以及所述隔离侧墙与所述第二牺牲层之间的刻蚀选择比均大于3。10.根据权利要求9所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述隔离侧墙的材料为碳、含碳有机材料、多晶硅中的一种或者两种以上的组合。11.根据权利要求1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，于所述第二牺牲层与所述阶梯的侧壁之间形成空隙之后，还包括如下步骤：形成覆盖所述阶梯区域和所述空隙的介质层；
去除所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，形成位于相邻两层所述层间绝缘层之间的第一空腔、以及位于所述第一空腔端部的上方且与所述第一空腔连通的第二空腔；填充导电材料于所述第一空腔和所述第二空腔，形成栅极层以及位于所述栅极层端部的增厚部。12.一种三维存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上具有堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直于所述衬底的顶面的方向交替堆叠的栅极层和层间绝缘层，所述堆叠结构的端部具有台阶区域，所述台阶区域包括若干层台阶，所述台阶的顶面暴露所述栅极层；增厚部，位于所述台阶的顶面、且与所述栅极层接触；介质层，至少位于所述增厚部与所述台阶的侧壁之间、且与所述栅极层接触。13.根据权利要求12所述的三维存储器，其特征在于，所述介质层包括：第一部分，位于所述增厚部与所述台阶的侧壁之间、且与所述栅极层接触；第二部分，覆盖所述增厚部的顶面和所述第一部分的顶面。14.根据权利要求13所述的三维存储器，其特征在于，所述介质层包括在沿平行于所述衬底的顶面的方向上，所述第一部分的宽度小于所述增厚部的宽度。

技术总结
本发明涉及一种三维存储器及其制造方法。所述三维存储器的制造方法包括如下步骤：提供衬底，在所述衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括交替堆叠的第一牺牲层和层间绝缘层，所述堆叠层包括阶梯区域，所述堆叠层在所述阶梯区域包括若干层阶梯，所述阶梯暴露至少部分所述第一牺牲层；形成覆盖至少部分所述阶梯的侧壁的隔离侧墙；形成覆盖所述阶梯的顶面的第二牺牲层；去除所述隔离侧墙，于所述第二牺牲层与所述阶梯的侧壁之间形成空隙。本发明实现了相邻两层所述第一牺牲层之间的隔离，降低了相邻两层栅极层之间发生短路的概率，提高了三维存储器的良率。器的良率。器的良率。


技术研发人员：郎陆广 陈龙 邹远祥
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2021.10.12
技术公布日：2022/1/6