主动元件及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种主动元件，包括：一基板；一切换底栅极与一驱动底栅极，配置于该基板上；一第一栅绝缘层，配置于该基板上且覆盖该切换底栅极与该驱动底栅极；一切换通道与一驱动通道，配置于该第一栅绝缘层上，其中该驱动通道具有一低电位端，该低电位端电性连接该驱动底栅极；一第二栅绝缘层，配置于该第一栅绝缘层上且覆盖该切换通道与该驱动通道，其中该第二栅绝缘层的厚度大于该第一栅绝缘层的厚度；以及一切换顶栅极与一驱动顶栅极，配置于该第二栅绝缘层上，其中该切换顶栅极电性连接该切换底栅极。2.如权利要求1所述的主动元件，其中该第二栅绝缘层的厚度大于等于该第一栅绝缘层的厚度的4倍。3.如权利要求1所述的主动元件，其中该第二栅绝缘层的厚度等于该第一栅绝缘层的厚度的5倍。4.如权利要求1所述的主动元件，其中该切换通道的材质是氧化铟镓锌。5.如权利要求1所述的主动元件，其中该驱动通道的材质是低温多晶硅。6.如权利要求1所述的主动元件，其中该第一栅绝缘层在该切换底栅极与该切换通道之间的部分的厚度等于该第一栅绝缘层在该驱动底栅极与该驱动通道之间的部分的厚度。7.如权利要求1所述的主动元件，其中该第二栅绝缘层在该切换底栅极与该切换通道之间的部分的厚度等于该第二栅绝缘层在该驱动底栅极与该驱动通道之间的部分的厚度。8.如权利要求1所述的主动元件，其中该切换通道的一部分掺杂有氢离子。9.如权利要求1所述的主动元件，其中该驱动通道的一部分掺杂有磷离子或砷离子。10.如权利要求1所述的主动元件，还包括一保护层，配置于该第二栅绝缘层上且覆盖该切换顶栅极与该驱动顶栅极。11.一种主动元件的制造方法，包括：在一基板上形成一切换底栅极与一驱动底栅极；在该基板上形成一第一栅绝缘层，其中该第一栅绝缘层覆盖该切换底栅极与该驱动底栅极；在该第一栅绝缘层上形成一切换通道与一驱动通道；在该第一栅绝缘层上形成一第二栅绝缘层，其中该第二栅绝缘层覆盖该切换通道与该驱动通道，该第二栅绝缘层的厚度大于该第一栅绝缘层的厚度；以及在该第二栅绝缘层上形成一切换顶栅极与一驱动顶栅极，并使该切换顶栅极电性连接该切换底栅极，使该驱动通道的一低电位端电性连接该驱动底栅极。12.如权利要求11所述的主动元件的制造方法，其中该第二栅绝缘层的厚度被形成为大于等于该第一栅绝缘层的厚度的4倍。13.如权利要求11所述的主动元件的制造方法，其中该第二栅绝缘层的厚度被形成为等于该第一栅绝缘层的厚度的5倍。14.如权利要求11所述的主动元件的制造方法，其中该切换通道的材质是氧化铟镓锌。15.如权利要求11所述的主动元件的制造方法，其中该驱动通道的材质是低温多晶硅。
16.如权利要求11所述的主动元件的制造方法，其中该第一栅绝缘层在该切换底栅极与该切换通道之间的部分的厚度被形成为等于该第一栅绝缘层在该驱动底栅极与该驱动通道之间的部分的厚度。17.如权利要求11所述的主动元件的制造方法，其中该第二栅绝缘层在该切换底栅极与该切换通道之间的部分的厚度被形成为等于该第二栅绝缘层在该驱动底栅极与该驱动通道之间的部分的厚度。18.如权利要求11所述的主动元件的制造方法，还包括在形成该切换顶栅极与该驱动顶栅极之后进行掺杂工艺，以在该切换通道的一部分掺杂氢离子。19.如权利要求11所述的主动元件的制造方法，还包括在形成该切换顶栅极与该驱动顶栅极之后进行掺杂工艺，以在该驱动通道的一部分掺杂磷离子或砷离子。20.如权利要求11所述的主动元件的制造方法，还包括在形成该切换顶栅极与该驱动顶栅极之后在该第二栅绝缘层上形成一保护层，其中该保护层覆盖该切换顶栅极与该驱动顶栅极。

技术总结
一种主动元件及其制造方法。主动元件包括基板、切换底栅极、驱动底栅极、第一栅绝缘层、切换通道、驱动通道、第二栅绝缘层、切换顶栅极与驱动顶栅极。切换底栅极与驱动底栅极配置于基板上。第一栅绝缘层配置于基板上且覆盖切换底栅极与驱动底栅极。切换通道与驱动通道配置于第一栅绝缘层上。驱动通道具有一低电位端。低电位端电性连接驱动底栅极。第二栅绝缘层配置于第一栅绝缘层上且覆盖切换通道与驱动通道。第二栅绝缘层的厚度大于第一栅绝缘层的厚度。切换顶栅极与驱动顶栅极配置于第二栅绝缘层上。切换顶栅极电性连接切换底栅极。层上。切换顶栅极电性连接切换底栅极。层上。切换顶栅极电性连接切换底栅极。


技术研发人员：范扬顺 黄震铄
受保护的技术使用者：友达光电股份有限公司
技术研发日：2021.09.29
技术公布日：2022/1/6