显示装置的制作方法

显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年7月14日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0086889号韩国专利申请的优先权和权益，其全部公开内容通过引用并入本文。
技术领域
3.一个或多个实施例的方面涉及包括开口的显示装置。


背景技术：

4.随着时间的推移，显示装置的各种用途和应用已经变得更加多样化。在由这样的显示装置中的显示区域所占的面积已经增加的同时，也已经增加了用于连接到显示装置、链接到显示装置或者与显示装置交互的各种功能。作为在扩展显示区域的同时增加各种功能的方法，显示装置可具有在显示区域内部形成的开口，并且诸如相机的拍摄设备位于与开口重叠的位置处。
5.在该背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对背景技术的理解，并且因此在该背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。


技术实现要素：

6.当在显示区域中形成开口时，可利用制造工艺来最小化或减小开口周围的死空间(例如，非显示或边框区域)。一个或多个实施例的方面包括其中最小化或减小开口周围的死空间并且最小化、消除或减小在开口形成工艺中可能以其它方式出现的缺陷的显示装置。然而，这仅是示例，并且根据本公开的实施例的范围不限于此。
7.附加的方面和特性将部分地在随后的描述中阐述，并且部分地将从描述中变得更加显而易见，或者可通过本公开的所呈现的实施例的实践而获悉。
8.根据一个或多个实施例，一种显示装置包括：基板；绝缘层，位于基板上并且包括第一开口；多个第一电极，位于绝缘层上、不与第一开口重叠并且彼此间隔开；中间层，位于多个第一电极上并且包括位于多个第一电极中的每一个上而不与第一开口重叠的发射层；第二电极，位于中间层上；封装层，位于第二电极上；以及偏振层，位于封装层上并且包括与第一开口重叠的第二开口。
9.根据一些实施例，封装层可以包括与第一开口和第二开口重叠的第一沟槽。
10.根据一些实施例，封装层可以包括玻璃材料。
11.根据一些实施例，显示装置可以进一步包括位于第一沟槽和基板之间的折射率补偿层。
12.根据一些实施例，折射率补偿层的折射率可以大于空气的折射率并且小于封装层的折射率。
13.根据一些实施例，折射率补偿层可以包括硅树脂。
14.根据一些实施例，封装层可以包括第一无机封装层、第二无机封装层以及位于第
一无机封装层和第二无机封装层之间的有机封装层。
15.根据一些实施例，封装层可以不中断地连续位于与第一开口和第二开口重叠的区域中以及多个第一电极上。
16.根据一些实施例，有机封装层的与第一开口和第二开口重叠的区域的厚度可以大于有机封装层的不与第一开口和第二开口重叠的区域的厚度。
17.根据一些实施例，绝缘层可以包括多层膜，并且第一开口可以形成在多层膜中的至少一个中。
18.根据一些实施例，中间层可以进一步包括位于发射层和多个第一电极之间的第一中间层以及位于发射层和第二电极之间的第二中间层。第一中间层和第二中间层中的至少一个可以与第一开口和第二开口重叠。
19.根据一些实施例，第二电极可以与第一开口和第二开口重叠。
20.根据一些实施例，显示装置可以进一步包括位于第二电极和封装层之间的封盖层，其中封盖层可以与第一开口和第二开口重叠。
21.根据一些实施例，基板可以包括与第一开口和第二开口重叠的第二沟槽。
22.根据一些实施例，显示装置可以进一步包括围绕多个第一电极的像素限定层以及位于像素限定层上的部分区域中的间隔件，其中间隔件可以围绕第一开口。
23.根据一些实施例，显示装置可以进一步包括位于偏振层上的包括透明材料的覆盖层。
24.根据一些实施例，显示装置可以进一步包括位于偏振层和覆盖层之间的粘合剂层。
25.根据一个或多个实施例，一种显示装置包括：基板；绝缘层，位于基板上；封装层，位于绝缘层上并且包括包含沟槽的第一区域以及围绕沟槽的第二区域；多个像素，与第二区域重叠、位于绝缘层和封装层之间并且包括中间层、第一电极以及面对第一电极的第二电极，中间层包括位于第一电极和第二电极之间的发射层；以及偏振层，位于封装层上并且包括与沟槽重叠的开口，其中发射层不与第一区域重叠。
26.根据一些实施例，中间层可以进一步包括位于发射层和第一电极之间的第一中间层以及位于发射层和第二电极之间的第二中间层。第一中间层和第二中间层中的至少一个可以不中断地连续位于第一区域和第二区域中。
27.根据一些实施例，第二电极可以不中断地连续位于第一区域和第二区域中。
28.根据一些实施例，显示装置可以进一步包括位于第二电极和封装层之间的封盖层，其中封盖层可以不中断地连续位于第一区域和第二区域中。
29.根据一些实施例，显示装置可以进一步包括位于沟槽和基板之间，并且具有大于空气的折射率且小于封装层的折射率的折射率的折射率补偿层。
30.根据一个或多个实施例，一种显示装置包括：基板；绝缘层，位于基板上并且包括包含第一开口的第一区域以及围绕第一区域的第二区域；多个像素，位于绝缘层上、与第二区域重叠并且包括中间层、第一电极以及面对第一电极的第二电极，中间层包括位于第一电极和第二电极之间的发射层；封装层，位于多个像素上；以及偏振层，位于封装层上并且包括与第一开口重叠的第二开口，其中发射层不与第一区域重叠。
31.根据一些实施例，中间层可以进一步包括位于发射层和第一电极之间的第一中间
层以及位于发射层和第二电极之间的第二中间层。第一中间层和第二中间层中的至少一个可以不中断地连续位于第一区域和第二区域中。
32.根据一些实施例，第二电极可以不中断地连续位于第一区域和第二区域中。
33.根据一些实施例，显示装置可以进一步包括位于第二电极和封装层之间的封盖层，其中封盖层可以不中断地连续位于第一区域和第二区域中。
34.根据一些实施例，封装层可以包括与第一区域重叠的沟槽，并且显示装置可以进一步包括位于沟槽和基板之间，并且具有大于空气的折射率且小于封装层的折射率的折射率的的折射率补偿层。
35.附加的方面将部分地在随后的描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过所呈现的实施例的实践而获知。
附图说明
36.通过结合附图进行的以下描述，本公开的某些实施例的上述和其它方面、特征和特性将更加显而易见，在附图中：
37.图1是根据一些实施例的显示装置的透视图；
38.图2是沿图1的线ii-ii’截取的根据一些实施例的显示装置的截面图；
39.图3是根据一些实施例的显示装置的平面图；
40.图4是根据一些实施例的显示装置的一个像素的等效电路图；
41.图5是其中图2的部分v被放大的根据一些实施例的显示装置的截面图；
42.图6是图5的部分via和vib的放大截面图；
43.图7是根据一些实施例使用的精细金属掩模的平面图；
44.图8是图7的部分viii的放大截面图；
45.图9a和图9b是示出通过激光蚀刻方法形成透射区域的方法的截面图；
46.图10至图12是根据一些实施例的示出沉积在透射区域和显示区域上的各种沉积物的示例组合的截面图；
47.图13是根据一些实施例的显示装置的截面图；
48.图14是根据一些实施例的显示装置的截面图；
49.图15是根据一些实施例的显示装置的截面图；以及
50.图16是根据一些实施例的显示装置的截面图。
具体实施方式
51.现在将更详细地参考在附图中示出的一些实施例的方面，其中相同的附图标记始终指代相同的元件。在这点下，本实施例可具有不同的形式，并且不应被解释为限于在本文中阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图来描述实施例，以解释本描述的一些实施例的方面。如在本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或多个的任何和所有组合。在整个公开内容中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或者它们的变型。
52.因为本公开可具有多种修改的实施例，所以在附图中示出并且在详细描述中描述了某些实施例。当参考参照附图描述的实施例时，本公开的效果和特性以及实现这些的方
法将更加显而易见。然而，根据本公开的实施例可具有许多不同的形式，并且不应被解释为限于在本文中阐述的实施例。
53.现在将更详细地参考在附图中示出的一些实施例的方面，其中相同的附图标记始终指代相同的元件，并且将省略其重复描述。
54.将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”等在本文中可用于描述各种部件，但是这些部件不应受这些术语的限制。
55.以单数形式使用的表达包括复数形式的表达，除非它在上下文中具有明显不同的含义。
56.将进一步理解的是，在本文中使用的术语“包括”和/或“包含”指定所述特征或元件的存在，但是不排除一个或多个其它特征或元件的存在或增加。
57.将理解的是，当层、区或元件被称为“形成在”另一层、区或元件“上”时，该层、区或元件可直接或间接形成在另一层、区或元件上。也就是，例如，可存在居间层、居间区或居间元件。
58.当某个实施例可以被不同地实施时，可以以与所描述的顺序不同的顺序执行特定的工艺。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行，或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
59.将理解的是，当层、区或部件连接到另一部分时，该层、区或部件可以直接连接到该部分，或者可以存在居间层、居间区或居间部件，使得该层、区或部件可以间接连接到该部分。例如，当层、区或部件电连接到另一部分时，该层、区或部件可以直接电连接到该部分，或者可以通过另一层、区或部件间接连接到该部分。
60.图1是根据一些实施例的显示装置1的透视图。
61.参考图1，显示装置1可以包括透射区域ta、围绕透射区域ta的显示区域da以及围绕显示区域da的外围区域pa。
62.显示装置1可以利用从布置在显示区域da中的多个像素发射的光来显示图像。透射区域ta可以由显示区域da围绕。透射区域ta可以是其中布置有部件cp(参见图2)的区域。
63.在下文中，作为根据一些实施例的显示装置1，有机发光显示装置被描述为示例，但是根据本公开的实施例的显示装置不限于此。根据一些实施例，可以使用各种类型的显示装置，诸如液晶显示装置、无机发光显示装置和量子点发光显示装置。
64.在图1中，一个透射区域ta被提供并且显示为基本上圆形形状，但是根据本公开的实施例不限于此。透射区域ta的数量可以是两个或更多个，并且可以不同地改变平面中的每个形状，诸如圆形、椭圆形、多边形(诸如三角形或正方形)、星形、菱形和不规则形状。
65.此外，显示装置1可以是各种电子设备，诸如移动电话、膝上型计算机和智能手表。
66.图2是沿图1的线ii-ii’截取的根据一些实施例的显示装置1的截面图。
67.参考图2，显示装置1包括透射区域ta以及围绕透射区域ta的显示区域da。具有各种功能的部件cp位于与透射区域ta重叠的位置中，并且包括发射层222b的多个像素位于显示区域da中。
68.部件cp可以包括电子元件。例如，部件cp可以包括利用光或声音的电子元件。例如，电子元件可以包括使用光的传感器(诸如红外传感器)、通过接收光捕获图像的相机、输出并检测光或声音以测量距离或识别指纹的传感器、输出光的小灯和输出声音的扬声器
等。在使用光的电子元件的情况下，可以使用各种波长带的光，诸如可见光、红外光和紫外光等。在一些实施例中，透射区域ta可以被理解为从部件cp输出到外部或者从外部向电子元件传播的光和/或声音可以在其中传输的区域。
69.显示装置1可以包括基板100、绝缘层200、发射层222b、中间层222、第二电极223、封盖层230、折射率补偿层300、封装层400、偏振层500、粘合剂层600和覆盖层700。
70.多个薄膜晶体管tft(参见图5)位于绝缘层200中，并且第一开口op1形成在与部件cp重叠的透射区域ta中，使得可以改善显示装置1的透射率。
71.发射层222b可以不位于与部件cp重叠的透射区域ta中。彼此间隔开的多个发射层222b可以发射不同的颜色。
72.包括发射层222b的中间层222可以不中断地连续位于透射区域ta和显示区域da中。
73.中间层222上的第二电极223可以不中断地连续位于透射区域ta和显示区域da中。
74.第二电极223上的封盖层230可以不中断地连续位于透射区域ta和显示区域da中。
75.在封盖层230上的封装层400中，第一沟槽400t形成在与部件cp重叠的透射区域ta中，使得可以改善显示装置1的透射率。
76.具有大于空气的折射率并且小于封装层400的折射率的折射率的折射率补偿层300可以位于封装层400的第一沟槽400t和基板100之间。当在封装层400和基板100之间填充空气而不是折射率补偿层300时，由于空气的折射率小于封装层400的折射率，可出现可视性失真。因为折射率补偿层300包括具有大于空气的折射率并且小于封装层400的折射率的折射率的材料，所以可最小化或减小封装层400和折射率补偿层300之间的折射率的差异，从而改善可视性失真。
77.例如，当封装层400包括透明玻璃材料时，折射率是约1.5。折射率补偿层300可以包括具有约1.5的折射率的硅树脂，以最小化或减小封装层400和折射率补偿层300之间的折射率的差异。
78.在封装层400上的偏振层500中，第二开口op2形成在与部件cp重叠的透射区域ta中，使得可以改善显示装置1的透射率。
79.包括透明材料的覆盖层700可以位于偏振层500上，并且粘合剂层600可以进一步位于偏振层500和覆盖层700之间。
80.图2示出了其中中间层222、第二电极223和封盖层230中的全部不中断地连续位于透射区域ta和显示区域da中的情况，但是根据本公开的实施例不限于此。中间层222、第二电极223和封盖层230中的一些可以不位于透射区域ta中。稍后下面将对其进行详细描述。
81.图3是示意性地示出根据一些实施例的显示装置1的平面图，并且图4是示意性地示出显示装置1的一个像素p的等效电路图。
82.参考图3和图4，多个像素p位于显示区域da中，并且如图4所示，每个像素p可以包括像素电路pc以及连接到像素电路pc的作为显示元件的有机发光二极管oled。
83.像素电路pc可以包括第一薄膜晶体管t1、第二薄膜晶体管t2和存储电容器cst。每个像素p可以从有机发光二极管oled发射例如红色、绿色或蓝色光。可替代地，每个像素p可以从有机发光二极管oled发射例如红色、绿色、蓝色或白色光。
84.第二薄膜晶体管t2是连接到扫描线sl和数据线dl的开关薄膜晶体管，并且可以根
据从扫描线sl输入的开关电压来将从数据线dl输入的数据电压传送到第一薄膜晶体管t1。存储电容器cst连接到第二薄膜晶体管t2和驱动电压线pl，并且可以存储与从第二薄膜晶体管t2接收的电压和供应到驱动电压线pl的第一电源电压elvdd之间的差相对应的电压。
85.第一薄膜晶体管t1包括连接到驱动电压线pl和存储电容器cst的驱动薄膜晶体管，并且可以根据存储在存储电容器cst中的电压值来控制从驱动电压线pl流到有机发光二极管oled的驱动电流。有机发光二极管oled可以根据驱动电流发射具有一定亮度的光。有机发光二极管oled的阴极可以被供应有第二电源电压elvss。
86.图4示出了像素电路pc包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是根据本公开的实施例不限于此。可以根据像素电路pc的设计来不同地改变薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量。
87.再次参考图3，外围区域pa可以包括用于向每个像素p提供扫描信号(或开关电压)的扫描驱动器1100、用于向每个像素p提供数据信号(或数据电压)的数据驱动器1200以及用于提供第一电源电压elvdd和第二电源电压elvss的主电力线(未示出)。图3示出了数据驱动器1200邻近基板100的一侧。根据一些实施例，数据驱动器1200可以位于电连接到基板100的一侧的焊盘的柔性印刷电路板(fpcb)上。
88.图5是其中图2的部分v被放大的根据一些实施例的显示装置1的截面图。
89.参考图5，多个薄膜晶体管tft位于基板100上，并且分别连接到绝缘层200上的彼此间隔开的多个第一电极221。
90.基板100可以包括聚合物树脂或玻璃。根据一些实施例，基板100可以包括聚合物树脂(诸如聚醚砜(pes)、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚酰亚胺(pi)、聚碳酸酯(pc)、三醋酸纤维素(tac)和/或醋酸丙酸纤维素(cap))，并且可以是柔性的。
91.基板100可以包括包含sio2作为主要成分的玻璃材料以及诸如强化塑料的树脂，并且可以是刚性的。
92.基板100可以具有包括上述聚合物树脂的层以及上述聚合物树脂层上的阻挡层的堆叠结构。例如，基板100可以具有其中堆叠有第一聚合物树脂层、第一阻挡层、第二聚合物树脂层和第二阻挡层的结构。包括聚合物树脂的基板100可以改善柔性。阻挡层可以包括氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)或氧化硅(sio
x
)。
93.缓冲层201可以形成在基板100上，以防止杂质渗透到薄膜晶体管tft的半导体层act中。缓冲层201可以包括无机绝缘材料(诸如氮化硅、氮氧化硅和氧化硅)，并且可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。
94.薄膜晶体管tft和存储电容器cst可以位于缓冲层201上。
95.薄膜晶体管tft可以包括半导体层act、栅电极ge、源电极se和漏电极de。图5中所示的薄膜晶体管tft可以是参照图4描述的驱动薄膜晶体管。根据一些实施例，薄膜晶体管tft可以是其中栅电极ge位于半导体层act上并且栅绝缘层203位于栅电极ge和半导体层act之间的顶栅型晶体管。然而，根据一些实施例，薄膜晶体管tft可以是底栅型晶体管。
96.半导体层act可以包括多晶硅。可替代地，半导体层act可以包括非晶硅、氧化物半导体或有机半导体等。栅电极ge可以包括低电阻金属材料。栅电极ge可以包括导电材料(包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)或钛(ti)等)，并且可以形成为包括上述材料的单层或多层。
97.半导体层act和栅电极ge之间的栅绝缘层203可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽和氧化铪等。栅绝缘层203可以包括包含上述材料的单层或多层。
98.源电极se和漏电极de可以包括具有相对高或良好的导电性的材料。源电极se和漏电极de可以包括包含mo、al、cu或ti等的导电材料，并且可以形成为包含上述材料的单层或多层。根据一些实施例，源电极se和漏电极de可以包括ti/al/ti的多层。
99.存储电容器cst可以包括彼此重叠的下电极ce1和上电极ce2，其中第一层间绝缘层205位于下电极ce1和上电极ce2之间。存储电容器cst可以与薄膜晶体管tft重叠。图5示出了薄膜晶体管tft的栅电极ge是存储电容器cst的下电极ce1。根据一些实施例，存储电容器cst可以不与薄膜晶体管tft重叠。存储电容器cst可以用第二层间绝缘层207覆盖。
100.第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽和氧化铪等。第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以包括包含上述材料的单层或多层。
101.薄膜晶体管tft和存储电容器cst可以用平坦化绝缘层209覆盖。平坦化绝缘层209可以包括近似平坦的上表面。平坦化绝缘层209可以包括有机绝缘材料，诸如一般商用聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps))、包括酚族的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇聚合物和/或它们的混合物。根据一些实施例，平坦化绝缘层209可以包括聚酰亚胺。可替代地，平坦化绝缘层209可以包括无机绝缘材料。可替代地，平坦化绝缘层209可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料两者。
102.第一开口op1形成在平坦化绝缘层209中与部件cp重叠的位置处，使得可以改善透射率。
103.图5示出了其中第一开口op1仅形成在平坦化绝缘层209中的结构，但是根据本公开的实施例不限于此。第一开口op1不仅可以形成在平坦化绝缘层209中，而且也可以形成在第二层间绝缘层207中。根据一些实施例，第一开口op1可以形成在平坦化绝缘层209、第二层间绝缘层207和第一层间绝缘层205中。根据一些实施例，第一开口op1可以形成在平坦化绝缘层209、第二层间绝缘层207、第一层间绝缘层205和栅绝缘层203中。根据一些实施例，第一开口op1可以形成在平坦化绝缘层209、第二层间绝缘层207、第一层间绝缘层205、栅绝缘层203和缓冲层201中。
104.第一电极221可以形成在平坦化绝缘层209上。第一电极221可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)或氧化铝锌(azo)。根据一些实施例，第一电极221可以包括包含银(ag)、镁(mg)、al、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)或者它们的化合物的反射层。根据一些实施例，第一电极221可以进一步包括在上述反射层上方和/或下方由ito、izo、zno或in2o3形成的膜。
105.像素限定层211可以形成在第一电极221上。像素限定层211可以包括暴露第一电极221的上表面的开口，并且可以覆盖第一电极221的边缘。像素限定层211可以包括有机绝缘材料。可替代地，像素限定层211可以包括无机绝缘材料，诸如氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)或氧化硅(sio
x
)。可替代地，像素限定层211可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材
料。
106.中间层222包括发射层222b。发射层222b可以被布置用于显示区域da中的每个像素p。
107.中间层222可以进一步包括布置在发射层222b和第一电极221之间的第一中间层222a和/或布置在发射层222b和第二电极223之间的第二中间层222c。发射层222b可以包括发射特定颜色的光的聚合物有机材料或低分子量有机材料。
108.第一中间层222a可以包括单层或多层。例如，当第一中间层222a包括聚合物材料时，是具有单层结构的空穴传输层(htl)的第一中间层222a可以包括聚-(3，4-乙烯二氧噻吩)(pedot)或聚苯胺(pani)。当第一中间层222a包括低分子量材料时，第一中间层222a可以包括空穴注入层(hil)和空穴传输层(htl)。
109.第二中间层222c可以被省略。例如，当第一中间层222a和发射层222b包括聚合物材料时，可以形成第二中间层222c。第二中间层222c可以包括单层或多层。第二中间层222c可以包括电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)。
110.与发射层222b不同，第一中间层222a和第二中间层222c可以位于与部件cp重叠的透射区域ta中。
111.第二电极223可以包括具有低功函数的导电材料。例如，第二电极223可以包括包含ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、锂(li)、钙(ca)或者它们的合金的透明层或半透明层。可替代地，第二电极223可以在包括上述材料的透明或半透明层上进一步包括诸如ito、izo、zno或in2o3的层。
112.与发射层222b不同，第二电极223可以位于与部件cp重叠的透射区域ta中。
113.封盖层230可以位于第二电极223上。例如，封盖层230可以包括lif，并且可以通过热蒸镀而形成。可替代地，封盖层230可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。可替代地，封盖层230可以包括有机绝缘材料。
114.与发射层222b不同，封盖层230可以布置在与部件cp重叠的透射区域ta中。
115.间隔件212可以形成在像素限定层211上。间隔件212可以包括有机绝缘材料，诸如聚酰亚胺。可替代地，间隔件212可以包括无机绝缘材料，诸如氮化硅或氧化硅，或者可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
116.间隔件212可以包括与像素限定层211的材料不同的材料。可替代地，间隔件212可以包括与像素限定层211的材料相同的材料。在这种情况下，可以在使用半色调掩模等的掩模工艺中一起形成像素限定层211和间隔件212。根据一些实施例，像素限定层211和间隔件212可以包括聚酰亚胺。
117.间隔件212可以形成为围绕其中形成有第一开口op1的透射区域ta。
118.透射区域ta和显示区域da可以被封装层400覆盖。
119.封装层400可以包括硬材料。例如，封装层400可以包括玻璃材料。
120.在封装层400中，第一沟槽400t形成在与第一开口op1重叠的区域中，使得可以改善显示装置1的透射率。例如，封装层400的在与第一开口op1重叠的区域中的第一厚度t1可以小于封装层400的在不与第一开口op1重叠的区域中的第二厚度t2。然而，第一厚度t1可以大于0，使得封装层400可以形成为封装整个显示区域da和透射区域ta。
121.第一沟槽400t可以具有各种形状。例如，第一沟槽400t在平面图中可以形成为圆
形或多边形形状，并且可以形成为与在绝缘层200中形成的第一开口op1的数量和形状相对应。
122.具有大于空气的折射率并且小于封装层400的折射率的折射率的折射率补偿层300可以位于封装层400的第一沟槽400t和基板100之间。更详细地，折射率补偿层300可以被位于其上部上的封装层400、位于其下部上的绝缘层200以及位于其侧表面上的间隔件212围绕。
123.当在封装层400和基板100之间填充空气而不是折射率补偿层300时，由于空气的折射率小于封装层400的折射率，可出现可视性失真。因为折射率补偿层300包括具有大于空气的折射率并且小于封装层400的折射率的折射率的材料，所以可最小化或减小封装层400和折射率补偿层300之间的折射率的差异，从而改善可视性失真。
124.偏振层500可以位于封装层400上。
125.在偏振层500中，第二开口op2形成在与部件cp重叠的区域中，使得可以改善显示装置1的透射率。偏振层500的第二开口op2与绝缘层200的第一开口op1和封装层400的第一沟槽400t中的每一个重叠，从而最大化显示装置1的透射率。
126.第二开口op2可以具有各种形状。例如，第二开口op2在平面图中可以形成为圆形或多边形形状，并且可以形成为与绝缘层200的第一开口op1的数量和形状相对应。此外，第二开口op2可以形成为与第一沟槽400t的数量和形状相对应。
127.包括透明材料的覆盖层700可以位于偏振层500上。
128.覆盖层700可以耦接到壳体，并且部件cp可以位于壳体的内部空间中。
129.诸如光学透明粘合剂(oca)的粘合剂层600布置在偏振层500和覆盖层700之间，使得可以保持偏振层500与覆盖层700的耦接。
130.图6是图5的部分via和vib的放大截面图。
131.参考图6，在透射区域ta中，第一中间层222a、第二中间层222c、第二电极223、封盖层230和折射率补偿层300顺序地布置在第二层间绝缘层207上。在显示区域da中，第一中间层222a、发射层222b、第二中间层222c、第二电极223和封盖层230顺序地布置在第一电极221上。
132.根据图6的实施例，发射层222b仅位于显示区域da中并且不位于透射区域ta中。另一方面，与发射层222b不同，第一中间层222a、第二中间层222c、第二电极223和封盖层230不中断地连续位于透射区域ta和显示区域da两者中。
133.图7是根据一些实施例使用的精细金属掩模(fmm)800的平面图，并且图8是图7的部分viii的放大截面图。
134.参考图7和图8，精细金属掩模800包括无孔部分810、多个开口820以及连接多个开口820的桥接件830。
135.在为显示区域da中的每个像素形成彼此间隔开的发射层222b的方法中，可以使用其中多个开口820形成在与每个发射层222b相对应的区域中的精细金属掩模800来执行沉积。当无孔部分810形成在与透射区域ta相对应的区域中以防止发射层222b位于透射区域ta中时，发射层222b不被沉积在透射区域ta中，原因在于无孔部分810用作阻挡沉积材料的膜。
136.图9a和图9b是示出通过激光蚀刻方法形成透射区域ta的方法的截面图。
137.参考图9a，在透射区域ta和显示区域da之间没有区别的情况下，通过沉积工艺在基板100和绝缘层200上形成包括发射层222b的中间层222、第二电极223以及封盖层230。
138.参考图9b，通过使用激光束在图9a的结构的其中将形成透射区域ta的部分上对在透射区域ta中形成的封盖层230、第二电极223、中间层222、发射层222b和绝缘层200进行蚀刻来形成开口。
139.在上述激光蚀刻方法中，因为在诸如绝缘层200、发射层222b、中间层222、第二电极223和封盖层230的所有沉积材料被沉积在基板100上之后增加了使用单独的激光束的蚀刻工艺，所以存在由于附加的设施投资而引起的产品价格提高以及由于工艺增加而引起的批量生产率降低的问题。此外，存在由于激光蚀刻产生颗粒pt而引起的缺陷因素增加的问题。此外，因为显示区域da需要在被激光蚀刻损坏的中间层222的蚀刻表面222e上形成有足够的裕度，所以在保证透射区域ta和显示区域da之间具有特定宽度或更大宽度的中间区域ma的工艺中存在死空间增加的问题。
140.然而，在本公开的情况下，在现有沉积工艺而不是在沉积工艺之后作为单独的设施工艺的激光蚀刻工艺中使用的掩模中形成无孔部分，从而防止由于附加的设施投资而引起的产品价格提高以及由于工艺增加而引起的批量生产率降低的问题。此外，因为消除了由于激光蚀刻产生颗粒pt而引起的缺陷因素并且不会出现由于激光蚀刻引起对开口的侧面的损坏，所以可以减小显示区域da和透射区域ta之间的死空间。
141.与图9b的结构相比，本公开的结构在透射区域ta中进一步包括中间层222、第二电极223和封盖层230。然而，本公开的结构可以通过控制每层的厚度来控制适当的透射率。
142.图10至图12是根据一些实施例的示出沉积在透射区域ta和显示区域da上的各种沉积物的示例组合的截面图。
143.参考图10，在透射区域ta中，第一中间层222a、第二电极223、封盖层230和折射率补偿层300顺序地布置在第二层间绝缘层207上。在显示区域da中，第一中间层222a、发射层222b、第二中间层222c、第二电极223和封盖层230顺序地布置在第一电极221上。
144.根据图10的实施例，发射层222b仅位于显示区域da中并且不位于透射区域ta中。另一方面，与发射层222b不同，第一中间层222a、第二电极223和封盖层230不中断地连续位于透射区域ta和显示区域da两者中。与图6的实施例相比，因为第二中间层222c不形成在透射区域ta中，因此可以进一步改善显示装置1的透射率。
145.参考图11，在透射区域ta中，第一中间层222a、第二中间层222c、封盖层230和折射率补偿层300顺序地布置在第二层间绝缘层207上。在显示区域da中，第一中间层222a、发射层222b、第二中间层222c、第二电极223和封盖层230顺序地布置在第一电极221上。
146.根据图11的实施例，发射层222b仅位于显示区域da中并且不位于透射区域ta中。另一方面，与发射层222b不同，第一中间层222a、第二中间层222c和封盖层230不中断地连续位于透射区域ta和显示区域da中。与图6的实施例相比，因为第二电极223不形成在透射区域ta中，所以可以进一步改善显示装置1的透射率。
147.参考图12，在透射区域ta中，第一中间层222a、第二中间层222c、第二电极223和折射率补偿层300顺序地布置在第二层间绝缘层207上。在显示区域da中，第一中间层222a、发射层222b、第二中间层222c、第二电极223和封盖层230顺序地布置在第一电极221上。
148.根据一些实施例，如图12中所示，发射层222b仅位于显示区域da中并且不位于透
射区域ta中。另一方面，与发射层222b不同，第一中间层222a、第二中间层222c和第二电极223不中断地连续位于透射区域ta和显示区域da中。与图6的实施例相比，因为封盖层230不形成在透射区域ta中，所以可以进一步改善显示装置1的透射率。
149.图10至图12的实施例示出了其中第二中间层222c、第二电极223和封盖层230之一不位于透射区域ta中的结构。然而，根据本公开的实施例不限于此。根据一些实施例，第二中间层222c、第二电极223和封盖层230中的至少两个或更多个可以不位于透射区域ta中。
150.同时，第二中间层222c、第二电极223和封盖层230可以不形成为包括多个开口的精细金属掩模，而是形成为在一个显示装置中具有一个开口的开口掩模。为防止通过使用开口掩模在透射区域ta中形成第二中间层222c、第二电极223和封盖层230中的至少一个，开口掩模可以包括无孔部分，并且可以进一步将少量的用于将无孔部分耦接到开口掩模的桥接件增加到开口掩模。
151.图13是根据一些实施例的显示装置2的截面图。在下文中，将主要描述与图5的显示装置1的区别。
152.参考图13，显示装置2可以包括基板100、绝缘层200、发射层222b、中间层222、第二电极223、封盖层230、封装层400’、偏振层500、粘合剂层600和覆盖层700。
153.多个薄膜晶体管tft位于绝缘层200中，并且第一开口op1形成在与部件cp重叠的透射区域ta中，使得可以改善显示装置2的透射率。
154.发射层222b可以不位于与部件cp重叠的透射区域ta中。包括发射层222b的中间层222可以不中断地连续位于透射区域ta和显示区域da中。
155.中间层222上的第二电极223可以不中断地连续布置在透射区域ta和显示区域da中。第二电极223上的封盖层230可以不中断地连续布置在透射区域ta和显示区域da中。
156.与图5的显示装置1不同，在显示装置2的封盖层230上的封装层400’中不形成沟槽。封装层400’可以不中断地连续位于透射区域ta和显示区域da中。
157.在封装层400’上的偏振层500中，第二开口op2形成在与部件cp重叠的透射区域ta中，使得可以改善显示装置2的透射率。包括透明材料的覆盖层700可以位于偏振层500上，并且粘合剂层600可以进一步位于偏振层500和覆盖层700之间。
158.根据一些实施例，封装层400’可以包括第一无机封装层410、第二无机封装层430以及在第一无机封装层410和第二无机封装层430之间的有机封装层420。
159.第一无机封装层410和第二无机封装层430可以包括一种或多种无机绝缘材料，诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，并且可以使用cvd方法等形成。
160.有机封装层420可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)或者它们的任意组合。
161.其中有机封装层420与第一开口op1和第二开口op2重叠的区域的厚度t3可以大于其中有机封装层420不与第一开口op1和第二开口op2重叠的区域的厚度t4。换言之，有机封装层420在透射区域ta中的厚度t3大于有机封装层420在显示区域da中的厚度t4，使得显示装置2的上表面可以完全地被平坦化。
162.第一无机封装层410不中断地连续位于显示区域da和透射区域ta中，以完全覆盖
中间层222、第二电极223和封盖层230，从而防止通过在绝缘层200中形成的第一开口op1流入杂质。
163.此外，与图5的显示装置1不同，显示装置2不包括单独的折射率补偿层，并且可以通过调整有机封装层420的折射率来改善可视性失真。
164.图14是根据一些实施例的显示装置3的截面图。在下文中，将主要描述与图5的显示装置1的区别。
165.参考图14，显示装置3可以包括基板100、绝缘层200、发射层222b、中间层222、第二电极223、封盖层230、折射率补偿层300、封装层400、偏振层500、粘合剂层600和覆盖层700。
166.多个薄膜晶体管tft位于绝缘层200中，并且第一开口op1形成在与部件cp重叠的透射区域ta中，使得可以改善显示装置3的透射率。
167.发射层222b可以不位于与部件cp重叠的透射区域ta中。包括发射层222b的中间层222可以不中断地连续位于透射区域ta和显示区域da中。
168.中间层222上的第二电极223可以不中断地连续布置在透射区域ta和显示区域da中。第二电极223上的封盖层230可以不中断地连续布置在透射区域ta和显示区域da中。
169.在封盖层230上的封装层400中，第一沟槽400t形成在与部件cp重叠的透射区域ta中，使得可以改善显示装置3的透射率。
170.与图5的显示装置1不同，在显示装置3的基板100中，第二沟槽100t形成在与部件cp重叠的透射区域ta中，使得可以改善显示装置3的透射率。
171.具有大于空气的折射率并且小于封装层400的折射率的折射率的折射率补偿层300可以位于封装层400的第一沟槽400t和基板100的第二沟槽100t之间，从而改善(例如，减少)显示装置3的可视性失真。
172.图15是根据一些实施例的显示装置4的截面图。在下文中，将主要描述与图5的显示装置1的区别。
173.参考图15，显示装置4可以包括基板100、绝缘层200、发射层222b、中间层222、第二电极223、封盖层230、折射率补偿层300、封装层400、偏振层500、粘合剂层600和覆盖层700。
174.与图5的显示装置1不同，第一开口op1(参见图5)不形成在显示装置4的绝缘层200中。通过省略形成第一开口op1的工艺，图15的工艺可以被简化。
175.发射层222b可以不位于与部件cp重叠的透射区域ta中。包括发射层222b的中间层222可以不中断地连续位于透射区域ta和显示区域da中。
176.中间层222上的第二电极223可以不中断地连续布置在透射区域ta和显示区域da中。第二电极223上的封盖层230可以不中断地连续布置在透射区域ta和显示区域da中。
177.在封盖层230上的封装层400中，第一沟槽400t形成在与部件cp重叠的透射区域ta中，使得可以改善显示装置4的透射率。
178.具有大于空气的折射率并且小于封装层400的折射率的折射率的折射率补偿层300可以位于封装层400的第一沟槽400t和基板100之间，从而改善显示装置4的可视性失真。
179.图16是根据一些实施例的显示装置5的截面图。在下文中，将主要描述与图5的显示装置1的区别。
180.参考图16，显示装置5可以包括基板100、绝缘层200、发射层222b、中间层222、第二
电极223、封盖层230、折射率补偿层300、封装层400、偏振层500、粘合剂层600和覆盖层700。
181.多个薄膜晶体管tft位于绝缘层200中，并且第一开口op1形成在与部件cp重叠的透射区域ta中，使得可以改善显示装置5的透射率。
182.发射层222b可以不位于与部件cp重叠的透射区域ta中。包括发射层222b的中间层222可以不中断地连续位于透射区域ta和显示区域da中。
183.中间层222上的第二电极223可以不中断地连续布置在透射区域ta和显示区域da中。第二电极223上的封盖层230可以不中断地连续布置在透射区域ta和显示区域da中。
184.与图5的显示装置1不同，第一沟槽400t(参见图5)不形成在显示装置5的封装层400中。通过省略形成第一沟槽400t的工艺，图16的工艺可以被简化，并且可以通过使封装层400的厚度恒定来改善显示装置5的强度。
185.具有大于空气的折射率并且小于封装层400的折射率的折射率的折射率补偿层300可以位于封装层400和基板100之间，从而改善显示装置5的可视性失真。
186.在上述显示装置2、3、4和5的实施例中，除了发射层222b之外，第一中间层222a、第二中间层222c、第二电极223和封盖层230位于透射区域ta和显示区域da两者中。然而，根据本公开的实施例不限于此。根据一些实施例，第一中间层222a、第二中间层222c、第二电极223和封盖层230中的至少一个可以不位于透射区域ta中。
187.本公开的实施例可以防止由于附加的设施投资而引起的产品价格提高以及由于工艺增加而引起的批量生产率降低，减少由于产生颗粒而引起的缺陷因素，并且减小透射区域中的死空间。然而，上述效果是说明性的，但是本发明不限于上述效果。
188.应当理解，在本文中描述的实施例应仅被认为是描述性的，并且不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求以及它们的等同物限定的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上做出各种改变。