基板处理设备和基板处理方法与流程

1.本文中所描述的本发明构思的实施例涉及基板处理设备和基板处理方法。


背景技术：

2.制造半导体器件和平板显示面板的工艺包括各种工艺，所述各种工艺包括照相工艺、蚀刻工艺、灰化工艺、薄膜沉积工艺和清洁工艺。在所述工艺之中，在照相工艺中，依序执行涂敷、曝光和显影步骤。涂敷工艺是将诸如抗蚀剂的感光液涂敷到基板的表面上的工艺。曝光工艺是对感光膜形成在其中的基板上的电路图案进行曝光的工艺。显影工艺是选择性显影曝光基板的图案的工艺。
3.通常，在显影工艺中，通过将显影液从喷嘴供应到旋转的基板上来去除感光膜。在显影工艺中使用的喷嘴主要是流喷嘴和狭缝喷嘴中的一个。流喷嘴具有圆形排放孔，并且狭缝喷嘴具有狭缝状排放孔。
4.当通过使用喷嘴对基板进行液体处理时，存在不同的缺点。当通过使用流喷嘴对基板进行液体处理时，与狭缝喷嘴相比，形成了显影的薄液膜。因此，当使用流喷嘴时，与狭缝喷嘴相比，显影工艺消耗的时间长。此外，当通过使用狭缝喷嘴对基板进行液体处理时，与流喷嘴相比，在基板中产生许多污点。因此，当使用狭缝喷嘴时，与流喷嘴相比，显影效率可能较低。
5.此外，由于在对旋转基板进行液体处理时基板在相同方向上连续旋转，所以感光膜可以在具有倾斜度的同时存在。例如，当基板在显影工艺期间继续在相同方向上旋转时，如图1所示，感光膜“a”以特定的倾斜度剥离，并且因此基板的图案的斜率变得不同。根据基板的旋转方向，单个图案的一侧s1和相对侧s2的斜率变得不同。因此，感光膜“a”位于一侧s1上，并且因此降低了基板的显影效率。具体地，当显影液的粘度高时，图案中的斜率的差异变得显著。


技术实现要素：

6.本发明构思的实施例提供用于提高基板的液体处理工艺的效率的设备和方法。
7.本发明构思的实施例还提供用于弥补分别通过使用流喷嘴和狭缝喷嘴对基板进行液体处理时出现的缺点的设备和方法。
8.本发明构思的实施例还提供用于防止在对基板进行液体处理时图案的斜率变得不同的现象的设备和方法。
9.本发明构思的方面不限于此，并且本领域技术人员可以从以下描述清楚地理解本发明的其他未提及的方面。
10.本发明构思提供基板处理设备。
11.在示例中，基板处理设备可以包括：支撑基板的支撑单元；将液体供应到由所述支撑单元支撑的所述基板上的液体供应单元；以及控制所述液体供应单元和所述支撑单元的控制器，所述液体供应单元可以包括以流模式排放第一处理液的预处理喷嘴、和以液幕模
式排放第二处理液的主喷嘴，并且所述控制器可以控制所述支撑单元，使得：当所述第一处理液从所述主喷嘴排放时所述基板的旋转方向与当所述第二处理液从所述预处理喷嘴排放时所述基板的旋转方向彼此相反。
12.在示例中，所述控制器可以控制所述液体供应单元，使得所述预处理喷嘴在对应于所述基板的中心区域的位置处将所述第一处理液排放到所述基板上。
13.在示例中，所述液体供应单元还可以：包括支撑体，所述主喷嘴安装在所述支撑体上；支撑臂，其连接到所述支撑体以可移动；以及驱动器，其移动所述支撑臂，并且所述控制器可以控制所述驱动器，使得所述主喷嘴的基准点从所述基板的中心区域改变到所述基板的边缘区域的同时，将所述第二处理液排放到所述基板上。
14.在示例中，所述控制器可以控制所述驱动器，使得所述主喷嘴的所述基准点从所述基板的所述中心区域改变到所述基板的所述边缘区域的同时，所述主喷嘴的移动速度变化。
15.在示例中，所述控制器可以控制所述驱动器，使得：在所述基板的所有区域当中，在形成于所述基板上的图案的纵横比高的区域中，所述主喷嘴的所述移动速度较低。
16.在示例中，所述控制器可以控制所述支撑单元，使得当所述预处理喷嘴将所述第一处理液排放到所述基板上时所述基板以第一速度旋转，当所述主喷嘴将所述第二处理液排放到所述基板上时所述基板以第二速度旋转，并且所述第一速度高于所述第二速度。
17.在示例中，所述液体供应单元还可以包括：第一处理液供应管线，第一阀安装在其中，并且被配置为将所述第一处理液供应到所述预处理喷嘴；以及第二处理液供应管线，第二阀安装在其中，并且被配置为将所述第二处理液供应到所述主喷嘴，并且所述控制器可以控制所述第一阀和所述第二阀，使得所述预处理喷嘴排放所述第一处理液，并且之后所述主喷嘴排放所述第二处理液。
18.在示例中，所述液体供应单元还可以包括：冲洗液喷嘴，其将冲洗液供应到所述基板上；以及冲洗液供应管线，第三阀安装在其中，并且将所述冲洗液供应到所述冲洗液喷嘴，并且所述控制器可以控制所述支撑单元，使得当所述冲洗液喷嘴将所述冲洗液排放到所述基板上时，所述基板以第三速度旋转，并且所述第二速度低于所述第一速度和所述第三速度。
19.在示例中，所述控制器可以控制所述第三阀，使得所述主喷嘴将所述第二处理液排放到所述基板上，并且之后所述冲洗液喷嘴排放所述冲洗液。
20.在示例中，所述预处理喷嘴可以在竖直向下的方向上排放所述第一处理液，并且所述主喷嘴可以在向下倾斜的方向上排放所述第二处理液。
21.在示例中，所述第一处理液和所述第二处理液可以是相同的液体。
22.在示例中，所述第一处理液和所述第二处理液可以包括显影液。
23.根据另一方面，基板处理设备可以包括：支撑基板的支撑单元；将处理液排放到由所述支撑单元支撑的所述基板上的液体供应单元；以及控制所述液体供应单元和所述支撑单元的控制器，所述液体供应单元可以包括预处理喷嘴，其具有流排放孔并且以流模式排放所述处理液；以及主喷嘴，其具有狭缝排放孔并且以液幕模式排放所述处理液，所述流排放孔具有圆形形状，并且所述狭缝排放孔具有狭缝形状，并且所述控制器可以控制所述支撑单元，使得当所述处理液从所述主喷嘴排放时所述基板的旋转方向和当所述处理液从所
述预处理喷嘴排放时所述基板的旋转方向彼此相反。
24.在示例中，所述液体供应单元还可以包括支撑体，所述预处理喷嘴和所述主喷嘴安装在其上。
25.在示例中，所述狭缝排放孔可以具有面向第一方向的长度方向，并且当从顶部观察时，所述主喷嘴和所述预处理喷嘴可以沿与所述第一方向垂直的第二方向设置。
26.在示例中，所述狭缝排放孔的长度可以小于由所述支撑单元支撑的所述基板的半径。
27.在示例中，所述狭缝排放孔可以在面向所述预处理喷嘴的方向上向下倾斜。
28.在示例中，所述狭缝排放孔的端部可以被定位成高于所述流排放孔的端部。
29.在示例中，所述液体供应单元还可以包括：冲洗液喷嘴，其将冲洗液排放到所述基板上；以及喷嘴体，所述冲洗液喷嘴安装在其上。
30.在示例中，所述控制器可以控制所述液体供应单元，使得在所述预处理喷嘴将所述处理液供应到所述基板上之后，所述主喷嘴将所述处理液供应到所述基板上，并且之后所述冲洗液喷嘴将所述冲洗液供应到所述基板上。
31.此外，本发明构思提供基板处理方法。在示例中，用于通过将液体排放到旋转的基板上来对基板进行液体处理的方法包括：以流模式通过预处理喷嘴将处理液供应到基板上的预处理操作，以及以液幕模式通过主喷嘴将处理液供应到基板上的主处理操作，并且在预处理操作中基板的旋转方向和在主处理操作中基板的旋转方向可以彼此相反。
32.在示例中，在预处理操作中，可以在对应于基板的中心区域的位置处排放处理液。
33.在示例中，在主处理操作中，可以在基准点从基板的中心区域改变到基板的边缘区域的同时排放处理液。
34.在示例中，在主处理操作中，主喷嘴的移动速度可以变化。
35.在示例中，在主处理操作中，在基板的所有区域当中，在形成于基板上的图案的纵横比高的区域中，主喷嘴的移动速度可能较低。
36.在示例中，基板可以在预处理操作中以第一速度旋转，基板可以在主处理操作中以第二速度旋转，并且第一速度可以高于第二速度。
37.在示例中，预处理操作还可以包括以初始预处理的速度旋转基板的初始预处理操作、在初始预处理操作后以后期预处理的速度旋转基板的后期预处理操作，并且后期预处理的速度可以高于初始预处理的速度。
38.在示例中，将基板旋转到中间预处理的速度的中间预处理操作还可以包括在初始预处理操作和后期预处理操作之间，并且中间预处理的速度可以低于初始预处理的速度。
39.在示例中，主处理操作还可以包括以初始主处理的速度旋转基板的初始主处理操作、在初始主处理操作之后将基板旋转到中间主处理的速度的中间主处理操作、以及在中间主处理操作之后以后期主处理的速度旋转基板的后期预处理操作，并且中间主处理的速度可以低于初始主处理和后期主处理的速度。
40.在示例中，初始主处理的速度和后期主处理的速度可以相同。
41.在示例中，初始主处理的速度和后期主处理的速度可以高于中间主处理的速度。
42.在示例中，在执行主处理操作之后还可以包括将冲洗液供应到基板上的冲洗液供应操作，并且在冲洗液供应操作中，基板可以以第三速度旋转并且第二速度可以低于第一
速度和第三速度。
43.在示例中，第三速度可以高于第二速度。
44.在示例中，在冲洗液供应操作中，基板的旋转速度可以变化。
45.在示例中，冲洗液供应操作还可以包括以第一旋转速度旋转基板的第一旋转操作和以低于第一旋转速度的第二旋转速度旋转基板的第二旋转操作，并且可以依序重复第一旋转操作和第二旋转操作。
46.在示例中，在预处理操作中，处理液在竖直向下的方向上排放，并且在主处理操作中，处理液可以在向下倾斜的方向上排放。
47.在示例中，处理液可以是显影液。
附图说明
48.根据参考以下附图的以下描述，上述和其他目的和特征将变得显而易见，其中除非另有说明，否则相同的附图标记在各个图中是指相同的部分，且其中：
49.图1是示意性地示出总体改进形式的实施例的视图；
50.图2是示出根据本发明构思的实施例的基板处理系统的平面视图；
51.图3是沿图2的线a-a截取的图2的系统的剖视图；
52.图4是沿图1的线b-b截取的图2的系统的剖视图；
53.图5是沿图2的线c-c截取的图2的系统的剖视图；
54.图6是示出图2的基板处理设备的剖视图；
55.图7是示出图6的基板处理设备的平面图；
56.图8是示出图6的喷嘴单元的透视图；
57.图9是示出通过使用图7的基板处理设备处理基板的工艺的平面图；
58.图10至图14分别是按顺序示出通过使用图7的基板处理设备处理基板的工艺的视图；
59.图15是在随时间推移的曲线图中示出根据本发明构思的基板处理方法的视图；并且
60.图16至图18分别是在随时间推移的曲线图中示出根据本发明构思的基板处理方法的其他示例的视图。
具体实施方式
61.在下文中，将参考附图更详细地描述本发明构思的实施例。可以各种形式修改本发明的实施例，并且本发明构思的范围不应被解释为限于以下实施例。提供本发明构思的实施例以为本领域技术人员更完整地描述本发明。因此，附图的部件的形状被放大以强调其更清晰的描述。
62.本发明构思的本实施例的系统可以用于在诸如半导体基板或平面显示面板的基板上执行照相工艺。具体地，本实施例的系统可以连接到曝光设备以在基板上执行涂敷工艺和显影工艺。以下，可以描述使用基板作为基板的情况作为示例。
63.图2是根据本发明构思的实施例的基板处理系统的平面图。图3是沿图2的线a-a截取的图2的系统的剖视图。图4是沿图1的线b-b截取的图2的系统的剖视图。图5是沿图2的线
c-c截取的图2的系统的剖视图。
64.参考图2至图5，基板处理系统1包括装载端口100、转位模块200、第一缓冲器模块300、涂敷/显影模块400、第二缓冲器模块500、预/后曝光处理模块600、以及接口模块700。装载端口100、转位模块200、第一缓冲器模块300、涂敷/显影模块400、第二缓冲器模块500、预/后曝光处理模块600、以及接口模块700在一个方向上依序设置成一行。
65.在下文中，装载端口100、转位模块200、第一缓冲器模块300、涂敷/显影模块400、第二缓冲器模块500、预/后曝光处理模块600、以及接口模块700设置的方向将被称为第一方向12，并且当从顶部观察时与第一方向12垂直的方向将被称为第二方向14，并且垂直于第一方向12和第二方向14的方向将被称为第三方向16。
66.基板“w”在被接收在盒20中的同时移动。然后，盒20具有与外部密封的结构。例如，前开式晶圆传送盒(foup)可用作盒20，所述前开式晶圆传送盒在前侧上具有门。
67.在下文中，将详细描述装载端口100、转位模块200、第一缓冲器模块300、涂敷/显影模块400、第二缓冲器模块500、预/后曝光处理模块600、以及接口模块700。
68.装载端口100具有载体120，在其中接收基板“w”的盒20定位在所述载体上。设置多个载体120，并且沿第二方向14设置成一排。在图3中，设置四个载体120。
69.转位模块200在定位在装载端口100的载体120上的盒20和第一缓冲器模块300之间进给基板“w”。转位模块200具有框架210、转位机械手220、以及导轨230。框架210具有包括空白内部的大致长方体形状，并且设置在装载端口100与第一缓冲器模块300之间。转位模块200的框架210的高度可以小于第一缓冲器模块300的框架310的高度，这将在下面描述。转位机械手220和导轨230设置在框架210中。转位机械手220具有四轴驱动结构，使得直接处理基板“w”的手221可在第一方向12、第二方向14和第三方向16上移动和旋转。转位机械手220具有手221、臂222、支撑件223和支柱224。手221固定安装在臂222中。臂222具有柔性且可旋转的结构。支撑件223被配置为使得其长度方向沿着第三方向16设置。臂222联接到支撑件223以可沿支撑件223移动。支撑件223固定地联接到支柱224。导轨230被设置成使得其长度方向沿着第二方向14设置。支柱224联接到导轨230以可沿导轨230线性移动。尽管未示出，但是框架210还设置有打开和关闭盒20的门的开门器。
70.第一缓冲器模块300具有框架310、第一缓冲器320、第二缓冲器330、冷却腔室350、以及第一缓冲器机械手360。框架310具有包括空白内部的长方体形状，并且设置在转位模块200与涂敷/显影模块400之间。第一缓冲器320、第二缓冲器330、冷却腔室350、以及第一缓冲器机械手360位于框架310内。冷却腔室350、第二缓冲器330、以及第一缓冲器320沿着第三方向16从底部依序设置。第一缓冲器320位于与涂敷/显影模块400的涂敷模块401相对应的高度处，这将在下面描述，并且第二缓冲器330和冷却腔室350位于与涂敷/显影模块400的显影模块402相对应的高度处，这将在下面描述。第一缓冲器机械手360在第二方向14上与第二缓冲器330、冷却腔室350和第一缓冲器320隔开预定距离。
71.第一缓冲器320和第二缓冲器330临时保存多个基板“w”。第二缓冲器330具有外壳331和多个支撑件332。支撑件332设置在外壳331内且沿着第三方向16彼此间隔开。一个基板“w”定位在支撑件332中的每一个上。外壳331在其上设置转位机械手220的一侧上、在其上设置第一缓冲器机械手360的一侧上并且在其上设置显影机械手482的一侧上具有开口(未示出)，使得转位机械手220、第一缓冲器机械手360和显影模块402的显影机械手482(将
在下面描述)将基板“w”带入或带出外壳331中的支撑件332。第一缓冲器320的结构基本上类似于第二缓冲器330的结构。同时，第一缓冲器320的外壳321在其上设置第一缓冲器机械手360的一侧上、并且在其上设置位于涂敷模块401中的涂敷机械手432(将在下面描述)的一侧上具有开口。设置用于第一缓冲器320的支撑件322的数量和设置用于第二缓冲器330的支撑件332的数量可以相同或不同。根据实施例，设置用于第二缓冲器330的支撑件332的数量可大于设置用于第一缓冲器320的支撑件332的数量。
72.第一缓冲器机械手360在第一缓冲器320和第二缓冲器330之间进给基板“w”。第一缓冲器机械手360具有手361、臂362和支撑件363。手361固定安装在臂362中。臂362具有柔性结构，并允许手361沿第二方向14移动。臂362联接到支撑件363以可沿着支撑件363在第三方向16上线性移动。支撑件363具有一长度，所述长度从对应于第二缓冲器330的位置延伸到对应于第一缓冲器320的位置。可以设置支撑件363以向上或向下延伸更长。可以设置第一缓冲器机械手360，使得手361沿着第二方向14和第三方向16仅两轴驱动。
73.冷却腔室350冷却基板“w”。冷却腔室350具有外壳351和冷却板352。冷却板352具有冷却单元353，所述冷却单元冷却其上定位有基板“w”的上表面和基板“w”。诸如使用冷却水的冷却型和使用热电元件的冷却型的各种类型可以用作冷却单元353。将基板“w”定位在冷却板352上的提升销组件(未示出)可以设置在冷却腔室350中。外壳351在其上设置转位机械手220的一侧上并且在其上设置显影机械手482的一侧上具有开口(未示出)，使得将在下面描述的设置用于显影机械手402的转位机械手220和显影机械手482将基板“w”带入或带出冷却板352。打开和关闭上述开口的门(未示出)可以设置在冷却腔室350中。
74.涂敷/显影模块400在曝光工艺之前执行将光致抗蚀剂涂敷到基板“w”上的工艺以及在曝光工艺之后对基板“w”进行显影的工艺。涂敷/显影模块400具有大致长方体形状。涂敷/显影模块400具有涂敷模块401和显影模块402。涂敷模块401和显影模块402可以设置为在不同的层中彼此分隔。根据示例，涂敷模块401位于显影模块402上。
75.涂敷模块401执行将诸如光致抗蚀剂的感光液涂敷到基板“w”上的工艺以及例如在抗蚀剂涂敷工艺之前和之后加热和冷却基板“w”的热处理工艺。涂敷模块401具有抗蚀剂涂敷腔室410、烘烤腔室420、以及运送腔室430。抗蚀剂涂敷腔室410、烘烤腔室420和运送腔室430沿第二方向14依序设置。因此，抗蚀剂涂敷腔室410和烘烤腔室420在第二方向14上彼此间隔开，而运送腔室430介于它们之间。可以设置多个抗蚀剂涂敷腔室410，并且可以在第一方向12和第三方向16中的每一个方向上设置多个抗蚀剂涂敷腔室410。在附图中，作为示例示出了六个抗蚀剂涂敷腔室410。可以在第一方向12和第三方向16中的每一个方向上设置多个烘烤腔室420。在附图中，作为示例示出了六个烘烤腔室420。然而，与此不同的是，可以提供更多数量的烘烤腔室420。
76.运送腔室430在第一方向12上与第一缓冲器模块300的第一缓冲320平行定位。涂敷机械手432和导轨433可以位于运送腔室430中。运送腔室430具有大致矩形形状。涂敷机械手432在烘烤腔室420、抗蚀剂涂敷腔室410、第一缓冲器模块300的第一缓冲器320和第二缓冲器模块500的第一冷却腔室530之间进给基板“w”。导轨433设置成使得其纵向方向平行于第一方向12。导轨433设置成使得其纵向方向平行于第一方向12。涂敷机械手432具有手434、臂435、支撑件436和支柱437。手434固定安装在臂435中。臂435具有柔性结构，使得手434可水平移动。支撑件436被设置成使得其长度方向沿着第三方向16设置。臂435联接到支
撑件436以可沿着支撑件436在第三方向16上线性移动。支撑件436固定地联接到支柱437，并且支柱437联接到导轨433以可沿导轨433移动。
77.抗蚀剂涂敷腔室410具有相同结构。然而，在抗蚀剂涂敷腔室410中使用的光致抗蚀剂的类型可以不同。作为示例，光致抗蚀剂可以是化学放大光致抗蚀剂。抗蚀剂涂敷腔室410将光致抗蚀剂施加到基板“w”上。抗蚀剂涂敷腔室410具有外壳411、支撑板412和喷嘴413。外壳411具有开顶型的杯状。支撑板412位于外壳411中，并且支撑基板“w”。支撑板412可以被设置为可旋转的。喷嘴413将光致抗蚀剂供应到定位在支撑板412上的基板“w”上。喷嘴413具有圆管形状，并且可以将光致抗蚀剂供应到基板“w”的中心。任选地，喷嘴413的长度可以对应于基板“w”的直径，并且喷嘴413的排放孔可以是狭缝。此外，另外，还可以在抗蚀剂涂敷腔室410中设置喷嘴414，用于供应诸如去离子水的清洁液以清洁光致抗蚀剂涂敷到其上的基板“w”的表面。
78.烘烤腔室420热处理晶片“w”。例如，烘烤腔室420在涂敷光致抗蚀剂之前通过在预定温度下加热晶片“w”来执行去除晶片“w”的表面上的有机物质和水分的预烘烤工艺或者在将光致抗蚀剂涂敷到晶片“w”上之后执行的软烘烤工艺，并且在加热工艺之后执行冷却晶片“w”的冷却工艺。烘烤腔室420具有冷却板421和加热板422。冷却板421设置有冷却单元423，诸如冷却水或热电元件。加热板422设置有加热单元424，诸如加热丝或热电元件。冷却板421和加热板422可以设置在一个烘烤腔室420中。任选地，一些烘烤腔室420可仅包括冷却板421，并且一些烘烤腔室420可仅包括加热板422。
79.显影模块402包括通过供应显影液消除光致抗蚀剂以获得基板“w”上的图案的工艺，以及在显影工艺之前和之后在基板“w”上执行的诸如加热和冷却的热处理工艺。显影模块402具有显影腔室800、烘烤腔室470、以及运送腔室480。显影腔室800、烘烤腔室470和运送腔室480沿第二方向14依序设置。因此，显影腔室800和烘烤腔室470在第二方向14上彼此间隔开，而运送腔室480介于它们之间。可以设置多个显影腔室800，并且可以在第一方向12和第三方向16中的每一个方向上设置多个显影腔室460。在附图中，作为示例示出了六个显影腔室800。可以在第一方向12和第三方向16中的每一个方向上设置多个烘烤腔室470。在附图中，作为示例示出了六个烘烤腔室470。然而，与此不同的是，可以提供更多数量的烘烤腔室470。
80.运送腔室480在第一方向12上与第一缓冲器模块300的第二缓冲330平行定位。显影机械手482和导轨483可以位于运送腔室480中。运送腔室480具有大致矩形形状。显影机械手482在烘烤腔室470、显影腔室800、第一缓冲器模块300的第二缓冲器330和冷却腔室350以及第二缓冲器模块500的第二冷却腔室540之间进给基板“w”。导轨483设置成使得其纵向方向平行于第一方向12。导轨483引导显影机械手482，使得显影机械手482在第一方向12上线性移动。显影机械手482具有手484、臂485、支撑件486和支柱487。手484固定安装在臂485中。臂485具有柔性结构，使得手484可水平移动。支撑件486被设置成使得其长度方向沿着第三方向16设置。臂485联接到支撑件486以可沿着支撑件486在第三方向16上线性移动。支撑件486固定地联接到支柱487。支柱487联接到导轨483以可沿导轨483线性移动。
81.显影腔室800具有相同结构。然而，在显影腔室800中使用的显影液的类型可以不同。显影腔室800被设置为用于显影基板的设备。显影腔室800消除光照射到基板“w”上的光致抗蚀剂的区域。然后，保护膜的被光照射的区域被一起消除。任选地，根据所使用的光致
抗蚀剂的类型，可以仅消除光致抗蚀剂和保护膜的未被光照射的区域。在实施例中，显影腔室800被设置为用于对基板“w”进行液体处理的基板处理设备800。
82.图6是示出图2的基板处理设备的剖视图。图7是示出图6的基板处理设备的平面图。参考图6和图7，基板处理设备800包括支撑单元810、处理容器820、升降单元840、液体供应单元850和控制器890。
83.支撑单元810支撑基板“w”且使基板“w”旋转。支撑单元810包括支撑板813、旋转轴814和驱动构件815。支撑基板“w”的销构件811和812联接到支撑板813的上表面。销构件中的一些811支撑基板“w”的底表面，并且销构件中的其他812支撑基板“w”的侧表面。旋转轴814被设置成使得旋转轴814的长度方向具有面向向上/向下方向的圆柱形状。旋转轴814联接到支撑板813的底表面。驱动构件815向旋转轴814提供旋转力。旋转轴814可以通过驱动构件815围绕其中心轴线旋转。支撑板813可以与旋转轴814一起旋转。旋转轴814的旋转速度由驱动器815调整，使得可以调整基板“w”的旋转速度。例如，驱动器815可为电动机。
84.处理容器820在其内部具有处理空间，在所述处理空间中执行显影工艺。处理容器820回收在显影工艺中使用的处理液。处理容器820包括内部回收容器822和回收管线830。回收容器822包括竖直壁824、底壁826和倾斜壁828。竖直壁824被设置为具有围绕支撑单元810的圆环形状。竖直壁824可具有与支撑单元810间隔开的直径。竖直壁824可以定位成使得其中心轴线与支撑单元810重合。底壁826从竖直壁824的下端延伸。底壁826面向水平方向，所述水平方向面向支撑单元810的中心轴线。倾斜壁828从竖直壁824的上端延伸。倾斜壁828随着它变得更接近支撑单元810的中心轴线而面向向上倾斜的方向。选择性地，倾斜壁828可以面向水平方向。
85.回收管线830将回收到处理空间中的处理液排放到外部。回收管线830连接到底壁826。排放的处理液可以通过回收管线830提供给外部再生系统。
86.升降单元840调节容器820和支撑单元810之间的相对高度。升降单元840向上和向下移动容器820。升降单元840包括支架842、可移动轴844和驱动器846。支架842连接处理容器820和可移动轴844。支架842固定地安装在处理容器820的竖直壁824中。可移动轴844被设置为使得可移动轴844的长度方向面向竖直方向。可移动轴844的上端固定地联接到支架842。可移动轴844可通过驱动器846竖直移动，并且处理空间820可与可移动轴844一起升降。例如，驱动器846可为电动机。
87.第一喷嘴单元870排放各种液体。图8是示出图6的喷嘴单元的透视图。参考图8，第一喷嘴单元870包括支撑体872、润湿喷嘴874、预处理喷嘴876和主喷嘴878。支撑体872支撑润湿喷嘴874、预处理喷嘴876和主喷嘴878。支撑体872固定地联接到支撑臂864的一端的底表面。润湿喷嘴874、预处理喷嘴876和主喷嘴878固定地联接到支撑体872的底表面。
88.预处理喷嘴876以流模式排放处理液。预处理喷嘴876连接到第一处理液供应管线876b。第一阀876a安装在第一处理液供应管线876b中以调节是否将处理液供应到预处理喷嘴876或者调节待供应的处理液的量。预处理喷嘴876从第一处理液供应管线876b接收处理液并排放处理液。预处理喷嘴876具有圆形流排放孔。流排放孔面向竖直向下的方向。在示例中，预处理喷嘴876可以是流喷嘴。例如，处理液可以是显影液。
89.主喷嘴878以液幕模式排放处理液。主喷嘴878位于预处理喷嘴876的一侧上。主喷嘴878定位成面向预处理喷嘴876。主喷嘴878连接到第二处理液供应管线878b。第二阀878a
调节是否将处理液供应到主喷嘴878或者调节待供应的处理液的量。在示例中，第二处理液供应管线878b可以被设置为从第一处理液供应管线876b分支的管线。主喷嘴878从第二处理液供应管线878b接收处理液并排放处理液。主喷嘴878具有狭缝形状的狭缝排放孔。狭缝排放孔具有平行于导轨862的长度方向。狭缝排放孔可具有面向第一方向12的方向。狭缝排放孔在从主喷嘴878面向预处理喷嘴876的方向上向下倾斜。狭缝排放孔被设置成具有小于基板“w”的半径的长度。狭缝排放孔的端部被定位成高于流排放孔的端部。根据实施例，主喷嘴878和预处理喷嘴876可沿第二方向14设置。主喷嘴878可以具有向下倾斜的狭缝排放孔，使得处理液被排放到预处理喷嘴876的相同点。在示例中，主喷嘴878可以被提供为狭缝喷嘴。
90.润湿喷嘴874以流模式排放润湿液。润湿喷嘴874被定位成相邻预处理喷嘴876和主喷嘴878。润湿喷嘴874相对于预处理喷嘴876沿第一方向12设置。在其中安装有润湿液阀874a的润湿液供应管线874b连接到润湿喷嘴874。润湿喷嘴874从润湿液供应管线874b接收润湿喷嘴并排放润湿液。润湿喷嘴874具有圆形排放孔。润湿喷嘴874的排放孔面向竖直向下的方向。作为示例，润湿液可以是纯水。
91.第二喷嘴单元880包括冲洗液喷嘴875、旋转轴861和冲洗臂863。第二喷嘴单元880将冲洗液供应到基板“w”上。在示例中，冲洗液喷嘴875以滴液模式供应冲洗液。冲洗液可以以循环流的形式供应。旋转轴861和冲洗臂863被提供到移动冲洗液喷嘴875的喷嘴驱动器。在示例中，旋转轴位于处理容器820的相对侧上。旋转轴被定位成不与第一喷嘴单元870在其中移动的路径重叠。旋转轴861可以通过驱动器(未示出)围绕其中心轴线旋转。冲洗臂863具有从旋转轴861的上端在垂直于旋转轴861的方向上较长地延伸的棒状。冲洗液喷嘴875安装在冲洗臂863的端部处。冲洗液喷嘴875通过冲洗臂863和旋转轴861移动到处理位置和待机位置。这里，处理位置是冲洗液喷嘴875面向由支撑单元810支撑的基板“w”的位置，并且待机位置是偏离冲洗液喷嘴875对应于支撑单元810的位置的位置。冲洗液喷嘴875从冲洗液供应管线875b接收冲洗液并排放冲洗液。第三阀875a安装在冲洗液供应管线875b中以调节是否将冲洗液供应到冲洗液喷嘴875或者调节待供应的冲洗液的量。冲洗液可以是可以冲洗显影液的液体。作为示例，冲洗液可以是纯水。
92.控制器890控制驱动构件815、润湿液阀876a、第一阀878a、第二阀874a和第三阀875a。控制器890独立地控制阀，使得润湿液、处理液和冲洗液依序供应到基板“w”上。此外，控制器890控制驱动构件814使得基板“w”的旋转速度根据供应到基板“w”上的液体的种类而变化。
93.接下来，将描述通过使用上述基板处理设备800对基板进行液体处理的方法。图9是示出通过使用本发明构思的基板处理设备处理基板的工艺的流程图。图10至图14是依序示出本发明构思的基板处理方法的视图。
94.参考图9，用于对基板进行液体处理的方法包括预润湿操作s10、预处理操作s20、主处理操作s30、搅拌操作s40和冲洗液供应操作s50。预润湿操作s10、预处理操作s20、主处理操作s30、搅拌操作s40和冲洗液供应操作s50依序进行。
95.参考图10，当基板“w”装载在支撑单元810上时，第一喷嘴单元870从待机位置移动到处理位置。这里，待机位置是与由支撑单元810支撑的基板“w”不对应的位置，并且处理位置是与由支撑单元810支撑的基板“w”对应的位置。当执行预润湿操作s10时，润湿喷嘴874
将润湿液排放到旋转的基板“w”的上表面。在示例中，润湿喷嘴874将润湿液排放到基板“w”的中心区域。排放的润湿液在基板“w”的上表面的中心区域处形成润湿液膜。尽管在本实施例中已经描述了润湿液膜形成在基板“w”的中心区域处，但是其可以形成在基板“w”的整个区域中。因此，基板“w”被润湿液转变为润湿状态。当预润湿操作s10完成时，执行预处理操作s20。
96.润湿液供应操作可以执行一段时间tl，预处理操作s20可以执行一段时间t2，主处理操作s30可以执行一段时间t3，搅拌操作s40可以执行一段时间t4，并且冲洗液供应操作s50可以执行一段时间t5。在示例中，t5可以是比t1到t4长的时间段。在示例中，t3可以是比t2长的时间段。例如，t1可以是2秒到6秒，t2可以是10秒到25秒，t3可以是20秒到40秒，t4可以是0秒到6秒，并且t5可以是25秒到50秒。
97.参考图11，当执行预处理操作s20时，预处理喷嘴876将处理液排放到基板“w”的中心区域，润湿液膜形成在所述中心区域上。在示例中，预处理喷嘴876以流模式排放处理液。预处理喷嘴876在竖直向下的方向上排放处理液。排放的处理液与润湿液膜混合并扩散到基板“w”的整个区域。具有第一厚度的处理液的液膜形成在基板“w”的上表面的整个区域中。在实施例中，当执行预处理操作s20时，基板“w”以第一速度v1旋转。在示例中，在预处理操作s20中，以每单位时间q1的流量供应处理液。在实施例中，q1可以是每秒100cc到300cc。
98.此后，预处理操作s20完成，执行主处理操作s30。参考图12，预处理喷嘴876停止排放处理液。在实施例中，在预处理操作s20中，基板“w”以第二速度旋转。主喷嘴878向基板“w”的上表面的中心区域供应处理液。在示例中，主喷嘴878以液幕模式排放处理液。在示例中，主喷嘴878在向下倾斜的方向上排放第二处理液。具有大于第一厚度的第二厚度的处理液的液膜形成在基板“w”的上表面的整个区域中。
99.当主喷嘴878排放处理液时，基板“w”的旋转方向与预处理喷嘴876排放处理液时基板“w”的旋转方向相反。在示例中，当执行主处理操作s30时，基板“w”以第二速度v1旋转。参考图15，第二速度v2低于第一速度v1。
100.在示例中，在主处理操作s30中，以每单位时间q2的流量供应处理液。在示例中，在主处理操作s30中，主喷嘴878在将基准点改变到基板“w”的中心区域和基板“w”的边缘区域的同时排放处理液。例如，q2大于q1。在实施例中，q2可以是每秒200cc到500cc。在示例中，与处理液的粘度高的情况相比，当处理液的粘度低时，q1和q2可以更小。
101.在示例中，在主处理操作s30中，主喷嘴878的移动速度可以改变。例如，在基板“w”的所有区域当中，在形成于基板“w”上的图案的纵横比高的区域中，主喷嘴878的移动速度可能较低。
102.当主处理操作s30完成时，执行搅拌操作s40。参考图13，在搅拌操作s40中，基板“w”以速度v0旋转。在示例中，v0可以是0或接近于0的速度。当执行搅拌操作s40时，基板“w”上的感光膜和处理液可以充分地彼此反应。此外，当基板“w”的中心区域和中间区域中的处理液膜的厚度小于其边缘区域中的处理液膜的厚度时，与其边缘区域相比，搅拌操作s40防止对基板“w”的中心区域和中间区域的显影处理不足。
103.当搅动操作s40完成时，执行冲洗液供应操作s50。参考图14，当执行冲洗液供应操作s50时，冲洗液喷嘴将冲洗液排放到旋转的基板“w”的上表面。在示例中，冲洗液喷嘴将冲洗液供应到基板“w”的中心区域。参考图15，在冲洗液供应操作s50中，基板“w”以第三速度
v3旋转。在示例中，第三速度v3低于第一速度v1，并且高于第二速度v2。在示例中，第三速度v3是冲洗液不会溅到基板“w”上的速度。
104.参考图15，在示例中，在搅拌操作s40和冲洗液供应操作s50中，基板“w”的旋转方向与主处理操作s30中的相同。
105.在上述示例中，已经描述了基板“w”在预处理操作s20中以速度v1旋转，在主处理操作s30中以速度v2旋转，并且在冲洗液供应操作s50中以速度v3旋转。然而，与此不同，如图16所示，可以在预处理操作s20、主处理操作s30和冲洗液供应操作s50中改变基板“w”的旋转速度。
106.在示例中，预处理操作s20可以包括初始预处理操作、中间预处理操作和后期预处理操作。在初始预处理操作中，基板“w”以初始预处理的速度v11旋转。在中间预处理操作中，基板“w”以中间预处理的速度v13旋转。在后期预处理操作中，基板“w”以后期预处理的速度v12旋转。在示例中，后期预处理的速度v12高于初始预处理的速度v11，并且中间预处理的速度v13低于初始预处理的速度v11。
107.在示例中，主处理操作s30可以包括初始主处理操作、中间主处理操作和后期主处理操作。在初始主处理操作中，基板“w”以初始主处理的速度v21旋转。在中间主处理操作中，基板“w”以中间主处理的速度v23旋转。在后期主处理操作中，基板“w”以后期主处理的速度v22旋转。在示例中，中间主处理的速度v23低于初始主处理的速度v21和后期主处理的速度v22。在示例中，初始主处理的速度v21和后期主处理的速度v22相同。在示例中，初始主处理的速度v21和后期主处理的速度v22可以低于中间主处理的速度v23。因此，主处理操作s30中基板“w”的旋转速度不超过预处理操作s20中基板“w”的旋转速度。
108.在示例中，冲洗液供应操作s50包括第一旋转操作和第二旋转操作。在示例中，第一旋转操作和第二旋转操作依序重复执行。在第一旋转操作中，基板“w”以第一旋转速度v31旋转。在第二旋转操作中，基板“w”以低于第一旋转速度v31的第二旋转速度v32旋转。在实施例中，第一旋转速度v31低于中间预处理的速度v13，并且第二旋转速度v32高于初始主处理的速度v21。因此，冲洗液供应操作s50中的基板“w”的旋转速度低于预处理操作s20中的基板“w”的旋转速度，并且高于主处理操作s30中的基板“w”的旋转速度。
109.在上述示例中，已经描述了在预处理操作s20、主处理操作s30和冲洗液供应操作s50中改变基板“w”的旋转速度。然而，与此不同，可以在预处理操作s20、主处理操作s30和冲洗液供应操作s50中的任一个或多个中改变基板“w”的旋转速度。
110.在上述示例中，已经描述了在主处理操作s30中，主喷嘴878在将基准点改变到基板“w”的中心区域和基板“w”的边缘区域的同时排放处理液。然而，与此不同，如图17所示，主喷嘴878可以在多次将基准点改变到基板“w”的中心区域和基板“w”的边缘区域的同时排放处理液。
111.在上述示例中，已经描述了执行搅拌操作s40。然而，与此不同，如图18所示，冲洗液供应操作s50可以在主处理操作s30之后立即执行。具体地，当处理液的粘度低时，可以省略搅拌操作s40。
112.在上述示例中，已经描述了在搅拌操作s40和冲洗液供应操作s50中，基板“w”的旋转方向与主处理操作s30中的相同。然而，与此不同，在主处理操作s30、搅拌操作s40和冲洗液供应操作s50中，基板“w”的旋转方向可以彼此相反。
113.在上述示例中，已经描述了预处理喷嘴876和主喷嘴878由同一臂支撑。因此，在喷嘴的移动期间处理液变干的现象。然而，与此不同，预处理喷嘴876和主喷嘴878可由单独的臂支撑。然后，为了防止在喷嘴的移动期间处理液变干的现象，主喷嘴878在处理完全被预处理喷嘴876排放后立即开始排放处理液，而没有任何延迟。
114.根据本发明构思的实施例，在执行主处理操作s30之前执行预处理操作s20。在预处理操作s20中，以流模式将处理液供应到基板“w”上，并形成处理液膜。因此，在主处理操作s30中，在以液幕模式供应处理液的同时可以使污点的产生最少化。
115.此外，根据本发明构思的实施例，在以预处理喷嘴876的流模式对基板“w”进行液体处理之后，以主喷嘴878的液幕模式对基板“w”进行液体处理。因此，在利用预处理喷嘴876和主喷嘴878执行液体处理时出现的缺点可以相互弥补。
116.此外，根据本发明构思的实施例，以其上形成有液膜的基板“w”上的液幕模式对基板“w”进行液体处理。因此，比预处理操作s20中更多量的处理液被提供到基板“w”上，因此可以缩短在基板“w”的液体处理操作中所花的时间段。
117.根据本发明构思的实施例，在预处理操作s20中，基板“w”以初始预处理的速度旋转，基板“w”的旋转速度降低到后期预处理的速度，并且然后基板“w”再次以中间预处理的高速旋转，并且因此处理液膜均匀地形成在基板“w”上。
118.根据本发明构思的实施例，在主处理操作s30中，基板“w”的旋转方向与预处理操作s20中的旋转方向相反。因此，感光膜在没有取向的情况下被剥离，并且因此基板“w”上的图案中没有倾斜度差异。
119.根据本发明构思的实施例，在主处理操作s30中，在主处理操作s30中的基板“w”的旋转方向低于在预处理操作s20中的旋转方向。因此，处理液均匀地铺展在基板“w”上，并且感光膜在没有取向的情况下被剥离，并且因此基板“w”上的图案中没有倾斜度差异。
120.根据本发明构思的实施例，在主处理操作s30中改变主喷嘴878的基准点，并且可以调整主喷嘴878的移动速度。因此，通过在图案密集的区域或图案的纵横比高的区域中提供低速，给予显影液和图案反应时间。因此，可以均匀地显影基板“w”的整个区域。
121.根据本发明构思的实施例，在冲洗液供应操作s50中，改变基板“w”的旋转速度。因此，离心力因旋转速度的加速和减速而变得不同。因此，可以解决在常规的冲洗液供应操作s50中当旋转速度相同时由于在基板“w”的液膜中产生惯性力而导致冲洗不均匀的问题。
122.再次参考图1至图4，显影模块402的烘烤腔室470加热基板“w”。例如，烘烤腔室470可以在显影工艺之前执行加热基板“w”的后烘烤工艺、在显影工艺之后执行加热基板“w”的硬烘烤工艺以及在烘烤工艺之后执行冷却被加热的基板“w”的冷却工艺。烘烤腔室470具有冷却板471和加热板472。冷却板471设置有冷却单元473，诸如冷却水或热电元件。加热板472设置有加热单元474，诸如加热丝或热电元件。冷却板471和加热板472可以设置在一个烘烤腔室470中。任选地，一些烘烤腔室470可仅包括冷却板471，并且一些烘烤腔室472可仅包括加热板472。
123.如上所述，提供涂敷/显影模块400使得涂敷模块401和显影模块402分离。从顶部观察时，涂敷模块401和显影模块402可以具有相同的腔室布置。
124.第二缓冲器模块500被提供作为在涂敷/显影模块400和预/后曝光模块600之间通过其运送基板“w”的通道。第二缓冲器模块500在基板“w”上执行诸如冷却工艺或边缘曝光
工艺的工艺。第二缓冲器模块500具有框架510、缓冲器520、第一冷却腔室530、第二冷却腔室540、边缘曝光室550和第二缓冲器机械手560。框架510具有长方体形状。缓冲器520、第一冷却腔室530、第二冷却腔室540、边缘曝光室550和第二缓冲器机械手560位于框架510中。缓冲器520、第一冷却腔室530和边缘曝光室550设置在对应于涂敷模块401的高度处。第二冷却腔室540设置在对应于显影模块402的高度处。缓冲器520、第一冷却腔室530和第二冷却腔室540沿第三方向16设置成一行。当从顶部观察时，缓冲器520在第一方向12上沿着涂敷模块401的运送腔室430设置。边缘曝光室550在第二方向14上与缓冲器520或第一冷却腔室530间隔开预定距离。
125.第二缓冲器机械手560在缓冲器520、第一冷却腔室530和边缘曝光室550之间运送基板“w”。第二缓冲器机械手560位于边缘曝光室550和缓冲器520之间。第二缓冲器机械手560可以具有类似于第一缓冲器机械手360的结构。第一冷却腔室530和边缘曝光室550对涂敷模块401已经在其上执行工艺的基板“w”执行后续工艺。第一冷却腔室530冷却涂敷模块401已经在其上执行工艺的基板“w”。第一冷却腔室530具有类似于第一缓冲器模块300的冷却腔室350的结构。边缘曝光室550曝光第一冷却腔室530已经在其上执行冷却工艺的基板“w”的外围。缓冲器520在边缘曝光室550已经在其上执行工艺的基板“w”被运送到将在下面描述的预处理模块601之前临时保存基板“w”。第二冷却腔室540在将在下面描述的后处理模块602已经在其上执行工艺的基板“w”被运送到显影模块402之前冷却基板“w”。第二缓冲器模块500还可以在对应于显影模块402的高度处具有缓冲器。在这种情况下，后处理模块602已经在其上执行工艺的基板“w”可以在被临时保存在添加的缓冲器中之后被运送到显影模块402。
126.当曝光设备900执行浸没/曝光工艺时，预/后曝光模块600可以执行涂敷保护膜的工艺，所述保护膜在浸没/曝光工艺期间保护涂敷到基板“w”的光刻胶膜。预/后曝光模块600可以在曝光工艺之后执行清洁基板“w”的工艺。此外，当通过使用化学放大抗蚀剂执行涂敷工艺时，预/后曝光模块600可以在曝光工艺之后执行烘烤工艺。
127.预/后曝光模块600具有预处理模块601和后处理模块602。预处理模块601在曝光工艺之前执行处理基板“w”的工艺，并且后处理模块602在曝光工艺之后执行处理基板“w”的工艺。预处理模块601和后处理模块602可以设置为在不同的层中彼此分隔。根据示例，预处理模块601位于后处理模块602上。预处理模块601的高度与涂敷模块401的高度相同。后处理模块602的高度与显影模块402的高度相同。预处理模块601具有保护膜涂敷腔室610、烘烤腔室620和运送腔室630。保护膜涂敷腔室610、运送腔室630和烘烤腔室620沿第二方向14依序设置。因此，保护膜涂敷腔室610和烘烤腔室620在第二方向14上彼此间隔开，其中运送腔室630介于其间。设置多个保护膜涂敷腔室610，并且多个保护膜涂敷腔室610沿第三方向16设置以形成不同的层。任选地，可以在第一方向12和第三方向16中的每一个上设置多个保护膜涂敷腔室610。设置多个烘烤腔室620，并且多个烘烤腔室610沿第三方向16设置以形成不同的层。任选地，可以在第一方向12和第三方向16中的每一个方向上设置多个烘烤腔室620。
128.运送腔室630在第一方向12上与第二缓冲器模块500的第一冷却腔室530平行定位。预处理机械手632位于运送腔室630中。运送腔室630具有大致正方形或矩形形状。预处理机械手632在保护膜涂敷腔室610、烘烤腔室620、第二缓冲器模块500的缓冲器520、以及
接口模块700的第一缓冲器720之间进给基板“w”，这将在下面描述。预处理机械手632具有手633、臂634、以及支撑杆635。手633固定安装在臂634中。臂634具有柔性且可旋转的结构。臂634联接到支撑件635以可沿着支撑件635在第三方向16上线性移动。
129.保护膜涂敷腔室610将保护膜涂敷到基板“w”上，所述保护膜在浸没/曝光工艺期间保护抗蚀膜。保护膜涂敷腔室610具有外壳611、支撑板612和喷嘴613。外壳611具有开顶型的杯状。支撑板612位于外壳611中，并且支撑基板“w”。支撑板612可以被设置为可旋转的。喷嘴613将用于形成保护膜的保护液供应到定位在支撑板612上的基板“w”上。喷嘴613具有圆管形状，并且可以将保护液供应到基板“w”的中心。任选地，喷嘴613的长度可以对应于基板“w”的直径，并且喷嘴613的排放孔可以是狭缝。在这种情况下，支撑板612可以以固定状态设置。保护液包括可膨胀材料。保护液可以是对光致抗蚀剂和水具有低亲和力的材料。例如，保护液可以包括氟基溶剂。保护膜涂敷腔室610在旋转定位在支撑板612上的基板“w”的同时将保护液供应到基板“w”的中心区域。
130.烘烤腔室620热处理保护膜涂敷到其上的基板“w”。烘烤腔室620具有冷却板621和加热板622。冷却板621设置有冷却单元623，诸如冷却水或热电元件。加热板622设置有加热单元624，诸如加热丝或热电元件。加热板622和冷却板621可以设置在一个烘烤腔室620中。任选地，一些烘烤腔室620可仅包括加热板622，并且一些烘烤腔室620可仅包括冷却板621。
131.后处理模块602具有清洁室660、后曝光烘烤腔室670和运送腔室680。清洁室660、运送腔室680和后曝光腔室670沿第二方向14依序设置。因此，清洁室660和后曝光烘烤腔室670在第二方向14上彼此间隔开，而运送腔室680介于它们之间。设置多个清洁室660，并且多个清洁室610沿第三方向16设置以形成不同的层。任选地，可以在第一方向12和第三方向16中的每一个方向上设置多个清洁室660。设置多个后曝光烘烤腔室670，并且多个后曝光烘烤腔室670沿第三方向16设置以形成不同的层。任选地，可以在第一方向12和第三方向16中的每一个方向上设置多个后曝光烘烤腔室670。
132.当从顶部观察时，运送腔室680在第一方向12上与第二缓冲器模块500的第二冷却腔室540平行定位。运送腔室680具有大致正方形或矩形形状。后处理机械手682位于运送腔室680中。后处理机械手682在清洗室660、后曝光烘烤腔室670、第二缓冲器模块500的第二冷却腔室540、以及接口模块700的第二缓冲器730之间运送基板“w”，这将在下面描述。设置在后处理模块602中的后处理机械手682可以具有与设置在预处理模块601中的预处理机械手632的结构相同的结构。
133.清洁室660在曝光工艺之后清洁基板“w”。清洁室660具有外壳661、支撑板662和喷嘴663。外壳661具有开顶型的杯状。支撑板662位于外壳661中，并且支撑基板“w”。支撑板662可以被设置为可旋转的。喷嘴663将清洁液供应到定位在支撑板662上的基板“w”上。清洁液可以是水，诸如去离子水。清洁室660在旋转定位在支撑板662上的基板“w”的同时将清洁液供应到基板“w”的中心区域。任选地，在基板“w”旋转的同时，喷嘴663可以从基板“w”的中心区域线性移动或旋转到外围区域。
134.在曝光工艺之后，烘烤腔室670通过使用远红外线加热已经在其上执行曝光工艺的基板“w”。在曝光工艺之后，在烘烤工艺中，基板“w”被加热以通过增强通过曝光工艺在光致抗蚀剂中产生的酸来完成光致抗蚀剂的性能变化。在曝光工艺之后，烘烤腔室670具有加热板672。加热板672设置有加热单元674，诸如加热丝或热电元件。在曝光工艺之后，烘烤腔
室670可以在其内部中进一步设置有冷却板671。冷却板671设置有冷却单元673，诸如冷却水或热电元件。任选地，可以进一步设置仅具有冷却板671的烘烤腔室。
135.如上所述，设置预/后曝光模块600使得预处理模块601和后处理模块602彼此完全分离。预处理模块601的运送腔室630和后处理模块602的运送腔室680可以具有相同的尺寸，并且当从顶部观察时可以彼此完全重叠。保护膜涂敷腔室610和清洁室660可以具有相同的尺寸，并且当从顶部观察时可以彼此完全重叠。烘烤腔室620和后曝光腔室670可以具有相同的尺寸，并且当从顶部观察时可以彼此完全重叠。
136.接口模块700在预/后曝光模块600和曝光设备900之间进给基板“w”。接口模块700具有框架710、第一缓冲器720、第二缓冲器730和接口机械手740。第一缓冲器720、第二缓冲器730和接口机械手740位于框架710内。第一缓冲器720和第二缓冲器730彼此间隔开预定距离，并且可以堆叠。第一缓冲器720设置在高于第二缓冲器730的位置处。第一缓冲器720位于对应于预处理模块601的高度处，并且第二缓冲器730设置在对应于后处理模块602的高度处。当从顶部观察时，第一缓冲器720沿第一方向12设置，同时与预处理模块601的运送腔室630形成一行，并且第二缓冲器730沿第一方向12设置，与后处理模块602的运送腔室630形成一行。
137.接口机械手740在第二方向14上与第一缓冲器720和第二缓冲器730间隔开定位。接口机械手740在第一缓冲器720、第二缓冲器730和曝光设备900之间运送基板“w”。接口机械手740的结构基本上类似于第二缓冲器机械手560的结构。
138.第一缓冲器720在预处理模块601已经在其上执行工艺的基板“w”移动到曝光设备900之前临时保存基板“w”。第二缓冲器730在曝光设备900已经在其上完全执行工艺的基板“w”移动到后处理模块602之前临时保存基板“w”。第一缓冲器720具有外壳721和多个支撑件722。支撑件722设置在外壳721内且沿着第三方向16彼此间隔开。一个基板“w”定位在支撑件722中的每一个上。外壳721在其上设置接口机械手740的一侧上并且在其上设置预处理机械手721的一侧上具有开口(未示出)，使得接口机械手740和预处理机械手632将基板“w”带入或带出冷却板722。第二缓冲器730的结构基本上类似于第一缓冲器720的结构。同时，第二缓冲器730的外壳731在其上设置接口机械手740的一侧上并且在其上设置后处理机械手682的一侧上具有开口。接口模块可以仅设置有如上所述的缓冲器和机械手，而没有设置对基板“w”执行特定工艺的腔室。
139.根据本发明构思的实施例，可以提高基板的液体处理工艺的效率。
140.根据本发明构思的实施例，可以弥补当分别通过使用流喷嘴和狭缝喷嘴对基板进行液体处理时出现的缺点。
141.根据本发明构思的实施例，可以防止当对基板进行液体处理时图案的斜率变得不同的现象。
142.本发明构思的效果不限于上述效果，并且本发明构思所属领域的技术人员可以从说明书和附图清楚地理解未提及的效果。