半导体装置和光检测装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置，包括：传感器基板，所述传感器基板包括光电二极管、晶体管和第一配线层；和电路基板，所述电路基板包括信号处理电路和第二配线层，所述传感器基板层叠在所述电路基板上，其中，所述第一配线层包括第一连接焊垫和第一绝缘膜，其中，所述第二配线层包括第二连接焊垫和第二绝缘膜，其中，所述第一连接焊垫和所述第二连接焊垫布置在包括所述光电二极管的像素区域之外的周边区域中，其中，所述第一连接焊垫在所述第一连接焊垫的距离所述第二绝缘膜最远的一侧上由第一阻挡金属覆盖，其中，所述第二连接焊垫在所述第二连接焊垫的距离所述第一绝缘膜最远的一侧上由第二阻挡金属覆盖，其中，所述第一阻挡金属的第一部分与所述第二连接焊垫的第一部分接触，其中，所述第一连接焊垫的第一部分与所述第二连接焊垫的第二部分接触，其中，所述第一连接焊垫的第二部分与阻挡膜的第一部分接触，其中，所述第一阻挡金属的第二部分与所述阻挡膜的第二部分接触，且其中，所述第一阻挡金属的所述第一部分和所述第一阻挡金属的所述第二部分在所述第一连接焊垫的相对侧上。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在纵剖视图中，所述阻挡膜的第三部分布置在所述第一绝缘膜的第一部分和所述第二绝缘膜的第一部分之间，并与所述第一绝缘膜的所述第一部分和所述第二绝缘膜的所述第一部分接触。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述阻挡膜包括绝缘体。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述周边区域包围所述像素区域。5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一连接焊垫和所述第二连接焊垫在所述纵剖视图中是矩形。6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述阻挡膜的厚度在0.1nm～10nm的范围中。7.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一阻挡金属在所述纵剖视图中覆盖所述第一连接焊垫的三个侧面。8.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第二阻挡金属在所述纵剖视图中覆盖所述第二连接焊垫的三个侧面。9.一种光检测装置，其包括：传感器基板，所述传感器基板包括光电二极管、晶体管和第一配线层；和电路基板，所述电路基板包括信号处理电路和第二配线层，其中，所述传感器基板层叠在所述电路基板上，其中，所述第一配线层包括第一连接焊垫和第一绝缘膜，其中，所述第二配线层包括第二连接焊垫和第二绝缘膜，其中，所述第一连接焊垫和所述第二连接焊垫布置在包括所述光电二极管的像素区域之外的周边区域中，
其中，所述第一连接焊垫在所述第一连接焊垫的距离所述第二绝缘膜最远的一侧上由第一阻挡金属覆盖，其中，所述第二连接焊垫在所述第二连接焊垫的距离所述第一绝缘膜最远的一侧上由第二阻挡金属覆盖，其中，所述第一阻挡金属的第一部分与所述第二连接焊垫的第一部分接触，其中，所述第一连接焊垫的第一部分与所述第二连接焊垫的第二部分接触，其中，所述第一连接焊垫的第二部分与阻挡膜的第一部分接触，其中，所述第一阻挡金属的第二部分与所述阻挡膜的第二部分接触，且其中，所述第一阻挡金属的所述第一部分和所述第一阻挡金属的所述第二部分在所述第一连接焊垫的相对侧上。

技术总结
本公开涉及一种进一步提高了可靠性的半导体装置、制造方法、固态成像元件和电子设备。在分别设置于传感器基板的配线层中和信号处理基板的配线层中的层间膜内形成有用于使所述传感器基板和所述信号处理基板彼此电气连接的连接焊盘，所述传感器基板上形成有具有像素的传感器表面，所述信号处理基板对所述传感器基板进行信号处理。然后，在所述传感器基板的层间膜和所述信号处理基板的层间膜之间、在所述传感器基板侧形成的连接焊盘和所述信号处理基板侧的层间膜之间以及在所述信号处理基板侧形成的连接焊盘和在所述传感器基板侧的层间膜之间形成有金属氧化膜。本技术可以适用于例如层叠型CMOS图像传感器。用于例如层叠型CMOS图像传感器。用于例如层叠型CMOS图像传感器。


技术研发人员：羽根田雅希
受保护的技术使用者：索尼公司
技术研发日：2016.05.06
技术公布日：2022/1/28