一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制 一种秧草收获机用电力驱动行走机构

永磁体、转子结构、永磁电机及压缩机的制作方法

2022-02-22 08:51:48 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种永磁体,所述永磁体具有位于其中心轴的相对两侧的两个长侧边,其特征在于:所述永磁体上于所述中心轴的至少一侧设有调整区,所述调整区的内禀矫顽力大于所述永磁体上其他区域的内禀矫顽力,所述调整区由该调整区所对应的所述长侧边朝向所述永磁体宽度的中部方向延伸设置,且所述调整区于所述永磁体长度的中部沿所述永磁体的宽度方向朝向所述永磁体的内部凸出设置。2.如权利要求1所述的永磁体,其特征在于:所述调整区包括多个子分区,多个所述子分区由对应的所述长侧边朝向所述永磁体宽度的中部方向依次设置,多个所述子分区的内禀矫顽力由对应的所述长侧边朝向所述永磁体宽度的中部方向依次降低。3.如权利要求2所述的永磁体,其特征在于:多个所述子分区包括第一子分区、第二子分区和第三子分区,所述第一子分区、所述第二子分区和所述第三子分区由所述永磁体的对应所述长侧边朝向所述永磁体宽度的中部方向依次设置。4.如权利要求3所述的永磁体,其特征在于:所述第一子分区的内禀矫顽力的范围为1890ka/m-2000ka/m;所述第二子分区的内禀矫顽力的范围为1830ka/m-1890ka/m;所述第三子分区的内禀矫顽力的范围为1780ka/m-1830ka/m。5.如权利要求3所述的永磁体,其特征在于:各所述子分区沿所述永磁体厚度方向于所述永磁体一面上的投影呈长方形,所述永磁体的长度为l,所述永磁体的宽度为h;所述第一子分区的长度为l1,所述第一子分区的宽度h1,则l1=l,0.1h<h1<0.2h;所述第二子分区的长度为l2,所述第二子分区的宽度h2,则0.4l<l2<0.6l,0.1h<h2<0.2h;所述第三子分区的长度为l3,所述第三子分区的宽度h3,则0.15l<l3<0.25l,0.1h<h3<0.2h。6.如权利要求3所述的永磁体,其特征在于:所述调整区上形成有多个分隔线,各所述分隔线的中部沿所述永磁体的宽度方向朝向所述永磁体的内部凸出设置,各所述分隔线沿所述永磁体长度方向的两端分别与邻近的所述长侧边的两端相连;多个所述分隔线包括第一分隔线、第二分隔线和第三分隔线,所述第一分隔线与邻近的所述长侧边围成的区域形成所述第一子分区,所述第二分隔线与所述第一分隔线围成的区域形成所述第二子分区,所述第三分隔线与所述第二分隔线围成的区域形成所述第三子分区。7.如权利要求6所述的永磁体,其特征在于:各所述分隔线呈圆弧形,且各所述分隔线的圆心位于所述永磁体宽度方向的中心线上。8.如权利要求7所述的永磁体,其特征在于:所述永磁体的长度为l,所述第一分隔线的半径为r1,所述第二分隔线的半径为r2,所述第三分隔线的半径为r3,则r1>r2>r3≥l。9.如权利要求8所述的永磁体,其特征在于:r1=4l,r2=2l,r3=1.25l。10.如权利要求6所述的永磁体,其特征在于:各所述分隔线与邻近的所述长侧边形成以该长侧边为底边的等腰三角形。11.如权利要求10所述的永磁体,其特征在于:所述永磁体的宽度为h,所述第一子分区沿所述永磁体长度方向的高度为h1,所述第二子分区沿所述永磁体长度方向的最大宽度为h2,所述第三子分区沿所述永磁体长度方向的最大宽度为h3,则h1<h2<h3≤0.5h。12.如权利要求6所述的永磁体,其特征在于:各所述分隔线呈以邻近所述长侧边为长轴的椭圆弧形,且各所述分隔线的短轴位于所述永磁体宽度方向的中心线上。13.如权利要求6所述的永磁体,其特征在于:各所述分隔线与邻近的所述长侧边形成以该长侧边为底边的等腰梯形。
14.如权利要求1-13任一项所述的永磁体,其特征在于:所述永磁体的充磁方向平行于该永磁体的厚度方向,所述调整区的内禀矫顽力沿所述充磁方向均匀分布。15.如权利要求1-13任一项所述的永磁体,其特征在于:所述调整区于所述永磁体的两面对称分布。16.如权利要求1-13任一项所述的永磁体,其特征在于:所述调整区于所述永磁体长度方向的相对两侧对称分布。17.一种转子结构,其特征在于:包括如权利要求1-16任一项所述的永磁体。18.一种永磁电机,其特征在于:包括如权利要求1-16任一项所述的永磁体。19.一种压缩机,其特征在于:包括如权利要求1-16任一项所述的永磁体。

技术总结
本申请提供了一种永磁体、转子结构、永磁电机及压缩机。所述永磁体具有两个长侧边,永磁体上于中心轴的至少一侧设有调整区,调整区的内禀矫顽力大于永磁体上其他区域的内禀矫顽力,调整区由该调整区所对应的长侧边朝向永磁体宽度的中部方向延伸设置,且调整区于永磁体长度的中部沿永磁体的宽度方向朝向永磁体的内部凸出设置。本申请的永磁体,通过在永磁体的至少一侧设置调整区,并将调整区的内禀矫顽力设置较大,且将调整区的中部朝向永磁体的内部凸出设置,从而可以提升永磁体上调整区的抗退磁能力,进而提升该永磁体的抗退磁能力,并且可以将该永磁体整体的剩磁制作较高,以实现剩磁和内禀矫顽力的兼顾。现剩磁和内禀矫顽力的兼顾。现剩磁和内禀矫顽力的兼顾。


技术研发人员:姚俊 盖蕊 吴雅静
受保护的技术使用者:广东美芝精密制造有限公司
技术研发日:2021.11.30
技术公布日:2022/2/6
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

发表评论 共有条评论
用户名: 密码:
验证码: 匿名发表

相关文献