永磁体、转子结构、永磁电机及压缩机的制作方法

1.本技术属于电机技术领域，更具体地说，是涉及一种永磁体、转子结构、永磁电机及压缩机。


背景技术：

2.电机开发过程中，永磁体是关键物料，而剩磁br和内禀矫顽力hcj是永磁体的关键参数。为了提高电机效率，采用剩磁br较高的高牌号磁铁是较有效的方案，不过高剩磁常常伴随着内禀矫顽力hcj的降低，从而导致电机抗退磁能力降低，电机会面临不可逆退磁风险。
3.现有技术中，因为永磁体中剩磁和内禀矫顽力是均匀分布的，所以要求综合考虑两者对电机效率和抗退磁能力的影响，只能优先保证剩磁或者内禀矫顽力其中一个参数，另一个参数需要适当牺牲，导致当前永磁体的剩磁和内禀矫顽力不能兼顾。


技术实现要素：

4.本技术实施例的目的在于提供一种永磁体、转子结构、永磁电机及压缩机，以解决现有技术中存在的电机中永磁体的剩磁和内禀矫顽力不能兼顾的问题。
5.为实现上述目的，本技术实施例采用的技术方案是：提供一种永磁体，所述永磁体具有位于其中心轴的相对两侧的两个长侧边，所述永磁体上于所述中心轴的至少一侧设有调整区，所述调整区的内禀矫顽力大于所述永磁体上其他区域的内禀矫顽力，所述调整区由该调整区所对应的所述长侧边朝向所述永磁体宽度的中部方向延伸设置，且所述调整区于所述永磁体长度的中部沿所述永磁体的宽度方向朝向所述永磁体的内部凸出设置。
6.在一个可选实施例中，所述调整区包括多个子分区，多个所述子分区由对应的所述长侧边朝向所述永磁体宽度的中部方向依次设置，多个所述子分区的内禀矫顽力由对应的所述长侧边朝向所述永磁体宽度的中部方向依次降低。
7.在一个可选实施例中，多个所述子分区包括第一子分区、第二子分区和第三子分区，所述第一子分区、所述第二子分区和所述第三子分区由所述永磁体的对应所述长侧边朝向所述永磁体宽度的中部方向依次设置。
8.在一个可选实施例中，所述第一子分区的内禀矫顽力的范围为1890ka/m-2000ka/m；所述第二子分区的内禀矫顽力的范围为1830ka/m-1890ka/m；所述第三子分区的内禀矫顽力的范围为1780ka/m-1830ka/m。
9.在一个可选实施例中，各所述子分区沿所述永磁体厚度方向于所述永磁体一面上的投影呈长方形，所述永磁体的长度为l，所述永磁体的宽度为h；所述第一子分区的长度为l1，所述第一子分区的宽度h1，则l1＝l，0.1h《h1《0.2h；所述第二子分区的长度为l2，所述第二子分区的宽度h2，则0.4l《l2《0.6l，0.1h《h2《0.2h；所述第三子分区的长度为l3，所述第三子分区的宽度h3，则0.15l《l3《0.25l，0.1h《h3《0.2h。
10.在一个可选实施例中，所述调整区上形成有多个分隔线，各所述分隔线的中部沿
所述永磁体的宽度方向朝向所述永磁体的内部凸出设置，各所述分隔线沿所述永磁体长度方向的两端分别与邻近的所述长侧边的两端相连；多个所述分隔线包括第一分隔线、第二分隔线和第三分隔线，所述第一分隔线与邻近的所述长侧边围成的区域形成所述第一子分区，所述第二分隔线与所述第一分隔线围成的区域形成所述第二子分区，所述第三分隔线与所述第二分隔线围成的区域形成所述第三子分区。
11.在一个可选实施例中，各所述分隔线呈圆弧形，且各所述分隔线的圆心位于所述永磁体宽度方向的中心线上。
12.在一个可选实施例中，所述永磁体的长度为l，所述第一分隔线的半径为r1，所述第二分隔线的半径为r2，所述第三分隔线的半径为r3，则r1＞r2＞r3≥l。
13.在一个可选实施例中，r1＝4l，r2＝2l，r3＝1.25l。
14.在一个可选实施例中，各所述分隔线与邻近的所述长侧边形成以该长侧边为底边的等腰三角形。
15.在一个可选实施例中，所述永磁体的宽度为h，所述第一子分区沿所述永磁体长度方向的高度为h1，所述第二子分区沿所述永磁体长度方向的最大宽度为h2，所述第三子分区沿所述永磁体长度方向的最大宽度为h3，则h1＜h2＜h3≤0.5h。
16.在一个可选实施例中，各所述分隔线呈以邻近所述长侧边为长轴的椭圆弧形，且各所述分隔线的短轴位于所述永磁体宽度方向的中心线上。
17.在一个可选实施例中，各所述分隔线与邻近的所述长侧边形成以该长侧边为底边的等腰梯形。
18.在一个可选实施例中，所述永磁体的充磁方向平行于该永磁体的厚度方向，所述调整区的内禀矫顽力沿所述充磁方向均匀分布。
19.在一个可选实施例中，所述调整区于所述永磁体的两面对称分布。
20.在一个可选实施例中，所述调整区于所述永磁体长度方向的相对两侧对称分布。
21.本技术实施例的另一目的在于提供一种转子结构，包括如上任一实施例所述的永磁体。
22.本技术实施例的又一目的在于提供一种永磁电机，包括如上任一实施例所述的永磁体。
23.本技术实施例的再一目的在于提供一种压缩机，包括如上任一实施例所述的永磁体。
24.本技术实施例提供的永磁体的有益效果在于：与现有技术相比，本技术的永磁体，通过在永磁体的至少一侧设置调整区，并将调整区的内禀矫顽力设置较大，且将调整区的中部朝向永磁体的内部凸出设置，从而可以提升永磁体上调整区的抗退磁能力，进而提升该永磁体的抗退磁能力，并且可以将该永磁体整体的剩磁制作较高，以实现剩磁和内禀矫顽力的兼顾。
25.本技术实施例提供的转子结构的有益效果在于：与现有技术相比，本技术的转子结构，使用了上述任一实施例所述的永磁体，不仅具有上述实施例所述的永磁体的技术效果，而且该转子结构使用时，效率高，寿命长。
26.本技术实施例提供的永磁电机的有益效果在于：与现有技术相比，本技术的永磁电机，使用了上述任一实施例所述的永磁体，不仅具有上述实施例所述的永磁体的技术效
果，而且该永磁电机使用时，效率高，寿命长。
27.本技术实施例提供的压缩机的有益效果在于：与现有技术相比，本技术的压缩机，使用了上述任一实施例所述的永磁体，不仅具有上述实施例所述的永磁体的技术效果，而且该压缩机的运行效率高，寿命长，更为节能。
附图说明
28.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或示范性技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
29.图1为电机中永磁体模拟退磁的侧视结构示意图；
30.图2为图1所示的永磁体模拟退磁的正视结构示意图；
31.图3为电机中永磁体退磁后检测的两面的正视结构示意图；
32.图4为本技术实施例一提供的永磁体的正视结构示意图；
33.图5为沿图4中线a-a的剖视结构示意图；
34.图6为沿图4中线b-b的剖视结构示意图；
35.图7为本技术实施例二提供的永磁体的正视结构示意图；
36.图8为沿图7中线c-c的剖视结构示意图；
37.图9为本技术实施例三提供的永磁体的正视结构示意图；
38.图10为沿图9中线e-e的剖视结构示意图；
39.图11为本技术实施例四提供的永磁体的正视结构示意图；
40.图12为本技术实施例五提供的永磁体的正视结构示意图；
41.图13为本技术实施例六提供的永磁体的正视结构示意图；
42.图14为本技术实施例七提供的永磁体的正视结构示意图；
43.图15为本技术实施例八提供的永磁体的正视结构示意图；
44.图16为本技术实施例九提供的永磁体的正视结构示意图；
45.图17为本技术实施例十提供的永磁体的正视结构示意图。
46.其中，图中各附图主要标记：
47.100-永磁体；
48.11-调整区；110-子分区；111-第一子分区；112-第二子分区；113-第三子分区；114-第四子分区；
49.121-长侧边；122-短侧边；
50.131-中心线；132-中轴线；
51.140-分隔线；141-第一分隔线；142-第二分隔线；143-第三分隔线。
具体实施方式
52.为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
53.需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
54.在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。“若干”的含义是一个或一个以上，除非另有明确具体的限定。术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。术语“中心”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
55.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
56.在本技术说明书中描述的参考“一个实施例”、“一些实施例”或“实施例”意味着在本技术的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。此外，在一个或多个实施例中，可以以任何合适的方式组合特定的特征、结构或特性。
57.电机中采用剩磁br较高的永磁体，往往可以得到较高的电机效率，以使电机更为节能。然而电机在使用过程中，往往会发生退磁。特别是剩磁br较高的永磁体，由于剩磁高，会使得永磁体的内禀矫顽力hcj的降低，而内禀矫顽力hcj是永磁体抗退磁能力的关键，内禀矫顽力高，则永磁体的抗退磁能力也较高，反之，内禀矫顽力低，则永磁体的抗退磁能力也较弱。因而，电机开发时，往往需要在剩磁与内禀矫顽力间进行选择、平衡。当前往往是优选保证剩磁与内禀矫顽力中一个参数，而牺牲另一个参数。为解决此问题，现有技术中提出在永磁体的侧边设置高内禀矫顽力区域。然而当将永磁体整体剩磁设置较高时，高内禀矫顽力区域就需要设置较小，导致永磁体在正常使用时，部分位置仍然会产生退磁，而降低电机的使用寿命。而为了保证永磁体良好的抗退磁能力，往往需要将高内禀矫顽力区域设置较大，即内禀矫顽力区域占用永磁体上较大的区域，以保证永磁体在正常使用时各位置不会发生退磁，而导致永磁体整体的剩磁较弱。
58.请参阅图1和图2，经研究发现，电机中永磁体在使用时，特别是压缩机中电机的永磁体在运行后，永磁体900厚度方向一端的两角易产生退磁，也就是说靠近永磁体900的一面的两角处易产生退磁，如图1的永磁体900中区域91和区域92为易退磁区域。并且永磁体900正面上长度方向的两侧的部分区域，如图2中区域93、区域94、区域95、区域96、区域97和区域98为易退磁区域。
59.请参阅图3，在通过对电机中实际使用的退磁永磁体900的检测发现，其中位于永
磁体900长度方向的一侧的边缘区域，如图3中区域901和区域902发生退磁。
60.基于以上研究以及当前电机中使用永磁体的剩磁与内禀矫顽力只能选取一个，而不能兼顾的问题，本技术提出如下方案的永磁体，以保证永磁体整体良好的抗退磁能力与整体较高的剩磁。
61.请参阅图4至图6，图4为本实施例提供的永磁体的正视结构示意图。图5为沿图4中线a-a的剖视结构示意图。图6为沿图4中线b-b的剖视结构示意图。
62.请参阅图4至图6，现对本技术提供的永磁体100进行说明。所述永磁体100具有长度l、宽度h和厚度d，从而使该永磁体100整体形成长方体或类长方体，这样该永磁体100的一面形成长方形或类长方形的形状。为了方便描述，定义永磁体100的中心线131和中轴线132，其中中心线131为永磁体100宽度方向的中心线131，中轴线132为永磁体100长度方向的中轴线132；其中，中心线131是指永磁体100上平行于该永磁体100宽度方向的中心线131，该中心线131垂直于永磁体100的长度方向，并且该中心线131穿过永磁体100的中心；中轴线132是指永磁体100上平行于该永磁体100长度方向的中轴线132，该中轴线132垂直于永磁体100的宽度方向，并且该中轴线132穿过永磁体100的中心。该永磁体100具有两个长侧边121和两个短侧边122，两个长侧边121位于该永磁体100中轴线132的相对两侧边，两个短侧边122位于该永磁体100中轴线132的相对两端边；也就是说，两个长侧边121位于该永磁体100中心线131的相对两端边，两个短侧边122位于该永磁体100中心线131的相对两侧边。另外，为了方便描述，定义永磁体100的两面，该两面为永磁体100的相对两表面，该相对两表面之间为永磁体100的厚度，也就是说，永磁体100的厚度方向垂直于永磁体100的两面。
63.该永磁体100中轴线132的至少一侧设有调整区11，也就是说，可以在永磁体100长度方向的一侧设置调整区11，也可以在该永磁体100长度方向的相对两侧分别设置调整区11。调整区11的内禀矫顽力大于永磁体100上其他区域的内禀矫顽力，这样可以保证永磁体100上调整区11良好的抗退磁能力。
64.调整区11从邻近的长侧边121朝向永磁体100宽度方向的中部延伸设置，也就是说，调整区11由该调整区11所在永磁体100的一侧对应长侧边121，朝向该永磁体100宽度的中部方向延伸设置。并且调整区11的中部朝向永磁体100宽度方向的中部凸出设置。调整区11的中部是指调整区11沿永磁体100长度方向的中部，也就是说，调整区11于永磁体100的长度方向上的中部，沿永磁体100的宽度方向，朝向永磁体100的内部凸出设置。这样可以使调整区11更好的覆盖永磁体100长度方向的对应侧边上易退磁的区域，并且可以使调整区11尽可能小地减小占用永磁体100上的不易退磁的区域，也就是说，在保证调整区11覆盖永磁体100上易退磁的区域的前提下，可以使永磁体100上不易退磁的区域所占面积更大，从而可以将该永磁体100整体的剩磁设置较高，实现剩磁和内禀矫顽力的兼顾，并且还可以减少重稀土用量，降低永磁体100成本。
65.本技术实施例提供的永磁体100，与现有技术相比，本技术实施例的永磁体100，通过在永磁体100的至少一侧设置调整区11，并将调整区11的内禀矫顽力设置较大，且将调整区11的中部朝向永磁体100的内部凸出设置，从而可以提升永磁体100上调整区11的抗退磁能力，进而提升该永磁体100的抗退磁能力，并且可以将该永磁体100整体的剩磁制作较高，以实现剩磁和内禀矫顽力的兼顾。
66.在一个实施例中，请参阅图4至图6，永磁体100的充磁方向平行于该永磁体100的厚度方向，这样可以方便对永磁体100进行充磁。
67.在一个实施例中，调整区11的内禀矫顽力沿充磁方向均匀分布，也就是说，在永磁体100的厚度方向上，调整区11的内禀矫顽力是均匀分布，这样可以方便调整区11的设置与加工制作。可以理解地，请一并参阅图1，因为永磁体100靠近一面的两端处易发生退磁，则可以在永磁体100厚度方向的一端，也就是说靠近永磁体100一面的位置设置调整区，即永磁体100厚度上的部分区域设置上述调整区11。
68.在一个实施例中，永磁体100两面(即长度和宽度所界定的面)的调整区11对称分布，也就是说，调整区11于永磁体100的两面对称分布，这样可以方便加工制作，并且便于永磁体100的安装使用。
69.在一个实施例中，调整区11于永磁体100长度方向的相对两侧对称分布，也就是说，永磁体100长度方向的相对两侧对称分布调整区11，这样可以便于永磁体100的安装使用。可以理解地，请一并参阅图3，由于永磁体100往往是在一侧会产生较明显的退磁，从而也可以在永磁体100的一侧设置调整区11。
70.在一个实施例中，调整区11包括多个子分区110，并且这些子分区110由永磁体100的对应长侧边121朝向永磁体100宽度的中部的方向依次设置，也就是说，这些子分区110由邻近的长侧边121朝向永磁体100宽度方向的中部依次设置。设置多个子分区110，以方便调整区11的设计与制作。
71.在一个实施例中，多个子分区110的内禀矫顽力由永磁体100的对应长侧边121朝向永磁体100宽度的中部的方向依次降低。也就是说，这些子分区110的内禀矫顽力，由邻近的长侧边121朝向永磁体100宽度方向的中部依次降低，即该调整区11的多个子分区110中：靠近邻近的长侧边121的子分区110的内禀矫顽力大于远离邻近的长侧边121的子分区110的内禀矫顽力。由于永磁体100上越靠近长侧边121的位置，越容易产生退磁，因而将靠近长侧边121的子分区110的内禀矫顽力设置更大，可以在保证该永磁体100具有良好地抗退磁能力的前提下，将调整区11的剩磁设置更大，进而提升永磁体100整体的剩磁。
72.在一个实施例中，子分区110为三个，分别为第一子分区111、第二子分区112和第三子分区113，第一子分区111、第二子分区112和第三子分区113由邻近的长侧边121到永磁体100宽度方向的中部依次设置，也就是说，第一子分区111、第二子分区112和第三子分区113由永磁体100的对应长侧边121朝向永磁体100宽度的中部的方向依次设置，即第一子分区111相对第二子分区112更靠近该长侧边121，第二子分区112相对第三子分区113，更靠近该长侧边121。一个调整区11包括三个子分区110，可以方便调整各子分区110的大小，并且便于各子分区110大小与形状设置，方便永磁体100的加工制作，另外还可以将调整区11整体的面积设置较小，进而将永磁体100整体的剩磁设置较高。可以理解地，一个调整区11的子分区110的数量也可以是一个、两个、四个、五个等数量。
73.在一个实施例中，第一子分区111的内禀矫顽力的范围为1890ka/m-2000ka/m；第二子分区112的内禀矫顽力的范围为1830ka/m-1890ka/m；第三子分区113的内禀矫顽力的范围为1780ka/m-1830ka/m，这样使得第一子分区111的内禀矫顽力最高，第二子分区112的内禀矫顽力次之，第三子分区113的内禀矫顽力再次之，以使第一子分区111具有更高的抗退磁能力，第二子分区112的抗退磁能力次之，第三子分区113的抗退磁能力再次之，进而可
以将第三子分区113的剩磁设置较高，第二子分区112的剩磁设置次之，第一子分区111的剩磁设置再次之，从而提升永磁体100整体的剩磁。
74.在一个实施例中，请参阅图4至图6，永磁体100的调整区11上形成有多个分隔线140，各分隔线140的中部沿永磁体100的宽度方向朝向永磁体100的内部凸出设置，也就是说，各分隔线140沿永磁体100长度方向的中部朝向永磁体100宽度的中部方向凸出设置。各分隔线140沿永磁体100长度方向的两端分别与邻近的长侧边121的两端相连，也就是说，各分隔线140沿永磁体100长度方向的长度与永磁体100的长度相等。各子分区110的边缘形成上述分隔线140，也就是说，相邻两分隔线140之间形成一个子分区110，而分隔线140所在一侧的侧长边与邻近的分隔线140之间形成一个子分区110。该结构可以方便各子分区110的设计制作，另外，将各分隔线140长度方向的中部朝向永磁体100宽度的中部方向凸出设置，可以使各子分区110长度方向的中部朝向永磁体100宽度的中部方向凸出设置，以更好的覆盖永磁体100上易退磁区，并将子分区110面积设置较小，以将永磁体100整体的剩磁设置较大。
75.在一个实施例中，当永磁体100沿充磁方向(即厚度方向)内禀矫顽力均匀分布时，各子分区110形成立体的结构，分隔线140沿永磁体100厚度方向延伸形成分隔面，也就是说，各子分区110的边缘为一个分隔面。
76.在一个实施例中，多个分隔线140包括第一分隔线141、第二分隔线142和第三分隔线143，第一分隔线141与邻近的长侧边121之间形成第一子分区111，第二分隔线142与第一分隔线141之间形成第二子分区112，第三分隔线143与第二分隔线142之间形成第三子分区113，也就是说，第一分隔线141与邻近的长侧边121围成的区域形成第一子分区111，第二分隔线142与第一分隔线141围成的区域形成第二子分区112，第三分隔线143与第二分隔线142围成的区域形成第三子分区113。该结构方便第一子分区111、第二子分区112和第三子分区113的设置。
77.在一个实施例中，各分隔线140呈圆弧形，且各分隔线140的圆心位于永磁体100宽度方向的中心线131上。这样各分隔线140与邻近的长侧边121围成圆弧面，以方便各分隔线140的设计，并且也便于各子分区110的设计与制作。各分隔线140设置呈圆弧形，则第一分隔线141、第二分隔线142和第三分隔线143均呈圆弧形，以方便第一分隔线141、第二分隔线142和第三分隔线143，进而方便第一子分区111、第二子分区112和第三子分区113的设计与制作。
78.在一个实施例中，永磁体100的长度为l，第一分隔线141的半径为r1，第二分隔线142的半径为r2，第三分隔线143的半径为r3，则r1＞r2＞r3≥l，这样可以使第二分隔线142包围在第一分隔线141靠近永磁体100宽度方向中部的一侧，第三分隔线143包围在第二分隔线142靠近永磁体100宽度方向中部的一侧。
79.在一个实施例中，r1＝4l，也就是说，第一分隔线141的半径为r1为永磁体100长度l的4倍，这样可以将第一分隔线141与邻近长侧边121之间形成的第一子分区111设置较小，并保证覆盖永磁体100上对应的易退磁区。
80.在一个实施例中，r2＝2l，也就是说，第二分隔线142的半径为r2为永磁体100长度l的2倍，这样可以将第二分隔线142与第一分隔线141围成的区域形成的第二子分区112设置较小，并保证覆盖永磁体100上对应的易退磁区。
81.在一个实施例中，r3＝1.25l，也就是说，第三分隔线143的半径为r3为永磁体100长度l的1.25倍，这样可以将第三分隔线143与第二分隔线142围成的区域形成的第三子分区113设置较小，并保证覆盖永磁体100上对应的易退磁区。
82.在一个实施例中，r1＝4l，r2＝2l，r3＝1.25l，从而可以将第一子分区111、第二子分区112和第三子分区113设置较小，并且可以覆盖永磁体100上易退磁区，以将调整区11面积设置较小，以提升永磁体100整体的剩磁。
83.请参阅图7和图8，图7为本实施例提供的永磁体100的正视结构示意图。图8为沿图7中线c-c的剖视结构示意图。本实施例的永磁体100的结构是在图4的基础上的改动。本实施例中，各子分区110沿永磁体100厚度方向于永磁体100一面上的投影呈长方形，即各子分区110在永磁体100相对两面上的投影均呈长方形，以方便各子分区110的设计与制作，方便该永磁体100的加工制作。
84.在一个实施例中，永磁体100的长度为l，永磁体100的宽度为h。第一子分区111的长度为l1，第一子分区111的宽度h1，也就是说，第一子分区111覆盖永磁体100一面的长方形的的长为l1，宽为h1。
85.在一个实施例中，l1＝l，也就是说，第一子分区111的长度l1与永磁体100的长度l相等，这样可以保证永磁体100上靠近第一子分区111的一侧均具有较大的内禀矫顽力，以具有良好的抗退磁性能。
86.在一个实施例中，0.1h《h1《0.2h，也就是说，第一子分区111的宽度h1是永磁体100宽度h的0.1至0.2，这样可以使第一子分区111占用永磁体100上宽度较小，而将第一子分区111设置小窄，减小第一子分区111的面积，并保证第一子分区111良好覆盖永磁体100上靠近相邻长侧边121上的易退磁区域。而当第一子分区111的宽度h1小于0.1h时，第一子分区111过窄，而无法覆盖永磁体100上靠近相邻长侧边121上的易退磁区域；而当第一子分区111的宽度h1大于0.2h时，第一子分区111过宽，会使第一子分区111占用较大的面积，而减小永磁体100整体剩磁。
87.在一个实施例中，第二子分区112的长度为l2，第二子分区112的宽度h2，也就是说，第二子分区112覆盖永磁体100一面的长方形的的长为l2，宽为h2。
88.在一个实施例中，0.4l《l2《0.6l，也就是说，第二子分区112的长度l2为永磁体100的长度l的0.4至0.6，这样可以保证永磁体100靠近其宽度中部的位置被第二子分区112覆盖，使第二子分区112从第一子分区111长度方向中部向永磁体100宽度方向的中部凸出，以在长度上保证覆盖永磁体100上退磁区域。而当当第二子分区112的长度l2小于0.4l时，第二子分区112长度过短，而无法覆盖永磁体100上对应的易退磁区域；而当第二子分区112的长度l2大于0.6l时，第二子分区112过长，会使第二子分区112占用较大的面积，而减小永磁体100整体剩磁。
89.在一个实施例中，0.1h《h2《0.2h，也就是说，第二子分区112的宽度h2是永磁体100宽度h的0.1至0.2，这样可以使第二子分区112占用永磁体100上宽度较小，而将第二子分区112设置小窄，减小第二子分区112的面积，并保证第二子分区112良好覆盖永磁体100上对应的易退磁区域。而当第二子分区112的宽度h2小于0.1h时，第二子分区112过窄，而无法覆盖永磁体100上对应的易退磁区域；而当第二子分区112的宽度h2大于0.2h时，第二子分区112过宽，会使第二子分区112占用较大的面积，而减小永磁体100整体剩磁。
90.在一个实施例中，第三子分区113的长度为l3，第三子分区113的宽度h3，也就是说，第三子分区113覆盖永磁体100一面的长方形的的长为l3，宽为h3。
91.在一个实施例中，0.15l《l3《0.25l，也就是说，第三子分区113的长度l3为永磁体100的长度l的0.15至0.25，这样可以保证永磁体100靠近其宽度中部的位置被第三子分区113覆盖，使第三子分区113从第二子分区112长度方向中部向永磁体100宽度方向的中部凸出，以在长度上保证覆盖永磁体100上退磁区域。而当当第三子分区113的长度l3小于0.15l时，第三子分区113长度过短，而无法覆盖永磁体100上对应的易退磁区域；而当第三子分区113的长度l3大于0.25l时，第三子分区113过长，会使第三子分区113占用较大的面积，而减小永磁体100整体剩磁。
92.在一个实施例中，0.1h《h3《0.2h，也就是说，第三子分区113的宽度h3是永磁体100宽度h的0.1至0.2，这样可以使第三子分区113占用永磁体100上宽度较小，而将第三子分区113设置小窄，减小第三子分区113的面积，并保证第三子分区113良好覆盖永磁体100上对应的易退磁区域。而当第三子分区113的宽度h3小于0.1h时，第三子分区113过窄，而无法覆盖永磁体100上对应的易退磁区域；而当第三子分区113的宽度h3大于0.2h时，第三子分区113过宽，会使第三子分区113占用较大的面积，而减小永磁体100整体剩磁。
93.在一个实施例中，可以将第一子分区111的宽度h1、第二子分区112的宽度h2和第三子分区113的宽度h3设置相等，即h1＝h2＝h3，以方便第一子分区111、第二子分区112和第三子分区113的设计与制作。可以理解地，第一子分区111的宽度h1与第二子分区112的宽度h2也可以设置不相等。第二子分区112的宽度h2与第三子分区113的宽度h3也可以设置不相等。第一子分区111的宽度h1与第三子分区113的宽度h3也可以设置不相等。当然，也可以将第一子分区111的宽度h1与第二子分区112的宽度h2也可以设置相等，第二子分区112的宽度h2与第三子分区113的宽度h3也可以设置不相等。或者，将第一子分区111的宽度h1与第二子分区112的宽度h2也可以设置不相等，第二子分区112的宽度h2与第三子分区113的宽度h3也可以设置相等。或者，第一子分区111的宽度h1与第二子分区112的宽度h2也可以设置不相等，第一子分区111的宽度h1与第三子分区113的宽度h3也可以设置相等。
94.请参阅图9和图10，图9为本实施例提供的永磁体100的正视结构示意图。图10为沿图9中线e-e的剖视结构示意图。本实施例的永磁体100的结构是在图4的基础上的改动。本实施例中，各分隔线140与邻近的长侧边121形成等腰三角形，并且该等腰三角形以该长侧边121为底边，该结构方便各分隔线140的设计，进而方便各子分区110的设计与制作。另外，该结构各等腰三角形的高位于永磁体100宽度方向的中心线131。
95.在一个实施例中，永磁体100的宽度为h，第一子分区111沿永磁体100长度方向的高度为h1，也就是说，第一分隔线141到邻近侧长边的最大距离为h1。第二子分区112沿永磁体100长度方向的最大宽度为h2，也就是说，第一分隔线141与第二分隔线142沿永磁体100宽度方向的最大距离为h2。第三子分区113沿永磁体100长度方向的最大宽度为h3，也就是说，第二分隔线142与第三分隔线143沿永磁体100宽度方向的最大距离为h3。并且，h1＜h2＜h3≤0.5h，该结构可以在保证调整区11覆盖永磁体100上易退磁区域的同时，将第一子分区111、第二子分区112和第三子分区113设置较小，并且可以方便设计第一子分区111、第二子分区112和第三子分区113的大小与形状。
96.请参阅图11，图11为本实施例提供的永磁体100的正视结构示意图。本实施例的永
磁体100的结构是在图4的基础上的改动。本实施例中，永磁体100的调整区11包括两个子分区110，如两个子分区110包括第一子分区111和第二子分区112，从而可以将调整区11设计较小。
97.请参阅图12，图12为本实施例提供的永磁体100的正视结构示意图。本实施例的永磁体100的结构是在图4的基础上的改动。本实施例中，永磁体100的调整区11包括一个子分区110，如调整区11仅包括第一子分区111。
98.请参阅图13，图13为本实施例提供的永磁体100的正视结构示意图。本实施例的永磁体100的结构是在图12的基础上的改动。本实施例中，永磁体100仅长度方向的一侧设有调整区11，并且该调整区11包括一个子分区110，如调整区11仅包括第一子分区111。
99.请参阅图14，图14为本实施例提供的永磁体100的正视结构示意图。本实施例的永磁体100的结构是在图12的基础上的改动。本实施例中，永磁体100仅长度方向的一侧设有调整区11，并且该调整区11包括三个子分区110，如三个子分区110分别为第一子分区111、第二子分区112和第三子分区113。
100.请参阅图15，图15为本实施例提供的永磁体100的正视结构示意图。本实施例的永磁体100的结构是在图4的基础上的改动。本实施例中，永磁体100的调整区11包括四个子分区110，如四个子分区110分别为第一子分区111、第二子分区112、第三子分区113和第四子分区114。可以理解地，调整区11也可以包括五个子分区110、六个子分区110等等。
101.请参阅图16，图16为本实施例提供的永磁体100的正视结构示意图。本实施例的永磁体100的结构是在图4的基础上的改动。本实施例中，各分隔线140与邻近的长侧边121形成等腰梯形，该等腰梯形以该长侧边121为底边，该结构方便各分隔线140的设计，进而方便各子分区110的设计与制作。
102.在一个实施例中，调整区11上形成有三个分隔线140，三个分隔线140分别为第一分隔线141、第二分隔线142和第三分隔线143，第一分隔线141与邻近的长侧边121围成的区域形成第一子分区111，第二分隔线142与第一分隔线141围成的区域形成第二子分区112，第三分隔线143与第二分隔线142围成的区域形成第三子分区113。该结构方便第一子分区111、第二子分区112和第三子分区113的设置。
103.请参阅图17，图17为本实施例提供的永磁体100的正视结构示意图。本实施例的永磁体100的结构是在图4的基础上的改动。本实施例中，各分隔线140呈椭圆弧形，并且各分隔线140对应的椭圆以邻近长侧边121为长轴，各分隔线140对应的椭圆的短轴位于永磁体100宽度方向的中心线131上，该结构方便各分隔线140的设计，进而方便各子分区110的设计与制作。
104.在一个实施例中，调整区11上形成有三个分隔线140，三个分隔线140分别为第一分隔线141、第二分隔线142和第三分隔线143，第一分隔线141与邻近的长侧边121围成的区域形成第一子分区111，第二分隔线142与第一分隔线141围成的区域形成第二子分区112，第三分隔线143与第二分隔线142围成的区域形成第三子分区113。该结构方便第一子分区111、第二子分区112和第三子分区113的设置。
105.本技术实施例还提供一种转子结构，请一并参阅图1，所述转子结构包括如上任一实施例所述的永磁体100。该转子结构，使用了上述任一实施例所述的永磁体100，其具有上述实施例所述的永磁体100的技术效果，而且该转子结构使用时，效率高，寿命长。
106.本技术实施例还提供一种永磁电机，请一并参阅图1，所述永磁电机包括如上任一实施例所述的永磁体100。该永磁电机，使用了上述任一实施例所述的永磁体100，其具有上述实施例所述的永磁体100的技术效果，而且该永磁电机使用时，效率高，寿命长。
107.本技术实施例还提供一种永磁电机，请一并参阅图1，所述永磁电机包括上述实施例所述的转子结构。该永磁电机，使用了上述实施例所述的转子结构，其具有上述实施例所述的转子结构的技术效果，而且该永磁电机使用时，效率高，寿命长。
108.本技术实施例还提供一种压缩机，请一并参阅图1，所述压缩机构包括如上任一实施例所述的永磁体100。该压缩机，使用了上述任一实施例所述的永磁体100，其具有上述实施例所述的永磁体100的技术效果，而且该压缩机的运行效率高，寿命长，更为节能。
109.本技术实施例还提供一种压缩机，请一并参阅图1，所述压缩机构包括上述实施例所述的转子结构。该压缩机，使用了上述任一实施例所述的转子结构，其具有上述实施例所述的转子结构的技术效果，而且该压缩机的运行效率高，寿命长，更为节能。
110.本技术实施例还提供一种压缩机，请一并参阅图1，所述压缩机构包括上述实施例所述的永磁电机。该压缩机，使用了上述任一实施例所述的永磁电机，其具有上述实施例所述的永磁电机的技术效果，而且该压缩机的运行效率高，寿命长，更为节能。
111.以上所述仅为本技术的可选实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。