选择元件、存储器单元和存储装置的制作方法

1.本技术涉及选择元件。具体地，本技术涉及响应于施加的电压执行选择控制的选择元件、存储器单元和存储装置。


背景技术：

2.近年来，已经开发出以诸如电阻随机存取存储器(reram)和相变随机存取存储器(pram)之类的电阻变化型存储器为代表的用于数据存储的非易失性存储器。在使用这种非易失性存储器作为存储装置时，关注交叉点存储器型的配置以减小每单位单元的占地面积以实现大容量。在交叉点型存储器中，存储器元件和选择元件设置在相交线的交点(交叉点)处。选择元件的示例包括使用金属氧化物配置的选择元件、电阻值在特定电压下切换并且因此电流迅速增加(snapback)的选择元件、使用硫属化物材料的选择元件(双向阈值开关(ots))等。例如，已经提出了使用两个层叠层作为开关层的选择元件(例如，参见专利文献1)。
3.引用列表
4.专利文献
5.专利文献1wo2016/158429


技术实现要素：

6.技术问题
7.在以上提及的传统技术中，可以通过将选择元件切换到导通状态来执行连接到选择元件的存储器元件的读取或写入。然而，当重复选择操作时，选择元件劣化并且因此最终短路。即使在具有多个开关层的选择元件的情况下，形成的信号路径是公共的，因此当任何开关层劣化并且导致短路时，选择元件也不能起作用。
8.在这种情况下已经设计了本技术，并且本技术的目的是延长可以使用包括多个开关层的选择元件的时段。
9.问题的解决方案
10.已经设计了本技术以解决以上提及的问题，并且本技术的第一方面是选择元件、存储器单元和存储装置，包括：彼此对置的第一和第二电极、设置在第一和第二电极之间的中间电极以及多个开关层，所述多个开关层被配置为在所述对置的方向上夹着所述中间电极。因此，即使当开关层中的任何一个由于劣化而短路时，也可以获得使其余开关层充当选择元件的效果。
11.此外，在第一方面中，当向多个开关层中的每一个施加高于预定阈值电压的电压时，多个开关层中的每一个可以切换到低电阻状态并且在其它情况下可以处于高电阻状态。因此，可以获得响应于施加的电压执行切换操作的效果。
12.此外，在第一方面中，多个开关层中的至少一个可以双向操作。另外，多个开关层中的至少一个可以包括负电阻分量。
13.此外，在第一方面中，多个开关层中的至少一个可以包含氧(o)、硫(s)、硒(se)和碲(te)中的至少一种。
14.此外，在第一方面中，多个开关层中的至少一个可以包括双向二极管、mim二极管、穿通二极管、pn二极管、pin二极管、pip二极管、肖特基二极管、雪崩二极管和齐纳二极管中的至少任何一种。
15.此外，在第一方面中，可以进一步包括设置在第一和第二电极之间的存储层。存储层可以是由过渡金属氧化物形成的电阻变化层、相变型存储器层和磁阻变化型存储器层中的任何一种。此外，存储层可以包括分层的离子源层和电阻变化层。离子源层包含根据电场的施加在电阻变化层中形成导电路径的可移动元素，并且可移动元素可以是例如过渡金属元素、铝(al)、铜(cu)或硫属元素。硫属元素的示例包括碲(te)、硒(se)和硫(s)。过渡金属元素的示例包括元素周期表的第四族至第六族的元素，例如钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)等。离子源层包含以上提及的可移动元素中的一种或两种或更多种。另外，离子源层可以包含氧(o)、氮(n)、以上提及的可移动元素以外的元素(例如，锰(mn)、钴(co)、铁(fe)、镍(ni)和铂(pt))、硅(si)等。
附图说明
16.图1是示出本技术的第一实施例中的交叉点型存储器的三维图像的示例的图。
17.图2是示出本技术的实施例中的选择元件的结构的示例的图。
18.图3是示出开关层的电流电压特性的图。
19.图4是示出开关层的阈值电压的膜厚依赖性的图。
20.图5是示出本技术的第一实施例中的存储器单元的结构的示例的图。
21.图6是示出本技术的第一实施例中的分层的交叉点型存储器的三维图像的示例的图。
22.图7是示出本技术的实施例中的选择元件的结构的修改示例的图。
23.图8是示出本技术的第一实施例中的选择元件的结构的修改示例的图。
24.图9是示出本技术的第二实施例中的交叉点型存储器的三维图像的示例的图。
25.图10是示出本技术的第二实施例中的存储器单元的结构的示例的图。
26.图11是示出本技术的第二实施例中的分层的交叉点型存储器的三维图像的示例的图。
27.图12是示出本技术的第二实施例中的选择元件的结构的修改示例的图。
具体实施方式
28.在下文中，将描述用于执行本技术的实施方式(在下文中称为实施例)。将按以下顺序进行描述。
29.1.第一实施例(在开关层之间设有中间电极的示例)
30.2.第二实施例(进一步设有离子源层的示例)
31.《1.第一实施例》
32.[交叉点型存储器]
[0033]
图1是示出本技术的第一实施例中的交叉点型存储器的三维图像的示例的图。
[0034]
该交叉点型存储器是非易失性存储器，其中存储器单元设置在以预定方向延伸的多条位线(bl)211和与位线211在不同方向上延伸的多条字线(wl)212的交点处。假设多条位线211和多条字线212的一侧在垂直方向上延伸，并且另一侧在水平方向上延伸以以直角彼此相交。
[0035]
多条位线211是输出来自位线解码器的信号的信号线，并且在预定的定时通过多条位线211将电压施加到存储器单元。多条字线212是输出来自字线解码器的信号的信号线，并且在预定的定时通过多条字线212将电压施加到存储器单元。因此，选择已经施加电压的存储器单元，并且在多条位线211和多条字线212的交点处执行读取或写入操作。
[0036]
多条位线211和多条字线212的交点处的存储器单元中的每一个包括开关层121和122、中间电极131和139以及电阻变化层141。
[0037]
开关层121和122响应于施加的电压执行切换操作并且具有导通状态或断开状态。也就是说，当向开关层121和122施加高于预定阈值电压的电压时，开关层121和122切换到低电阻状态并且接通，并且在其它情况下对应于高电阻状态而关断。
[0038]
开关层121和122中的任何一个可以包括例如氧(o)、硫(s)、硒(se)和碲(te)中的至少一种。假设开关层121和122中的任何一个是双向阈值开关(ots)。更具体地，希望形成包括bte、cte、bcte、csite、bsite、bcsite、bten、cten、bcten、csiten、bsiten和bcsiten的任何组成的开关层121和122中的任何一个。
[0039]
中间电极131是将开关层121和122彼此分开的电极。也就是说，开关层121和122被配置为夹着中间电极131。开关层121和122之间夹着中间电极131的方向是位线211与字线212对置的方向。另外，中间电极139是夹在开关层121和电阻变化层141之间的电极。
[0040]
这些中间电极131和139可以用于使分开的开关层121和122导通或关断。因此，中间电极131的材料可以是诸如钨(w)、氮化钨(wn)、钛(ti)、氮化钛(tin)、碳(c)、铜(cu)、铝(al)、钼(mo)、钽(ta)、氮化钽(tan)、钌(ru)或其硅化物之类的常规材料。
[0041]
电阻变化层141是存储器元件，其具有其电阻状态改变并且表示低电阻状态(lrs)和高电阻状态(hrs)中的任何一个的性质。当将预定读取电压施加到电阻变化层141时，累积位数的分布(distribution of cumulative bit numbers)基于预定阈值被区分为低电阻状态和高电阻状态中的任何一个。另外，当向电阻变化层141施加预定的设定电压或重置电压时，电阻变化层141切换到低电阻状态和高电阻状态中的任何一个。因此，电阻变化层141充当表示“0”或“1”的存储器元件。同时，电阻变化层141是权利要求中描述的存储层的示例。
[0042]
电阻变化层141可以使用reram、相变存储器(pcm)、自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器(stt-mram)、铁电随机存取存储器(feram)等作为电阻变化型存储器元件。
[0043]
[选择元件的特性]
[0044]
图2是示出本技术的实施例中的选择元件的结构的示例的图。
[0045]
如上所述，开关层121和122由中间电极131分开并且配置为其间夹着中间电极131。这里，表示选择元件的结构。在该示例中，上电极111示出在开关层121上方，并且下电极112示出在开关层122下方。同时，上电极111和下电极112是权利要求中描述的第一和第二电极的示例。
[0046]
在下文中，将考虑相对于该结构的选择元件的特性。
[0047]
图3是示出开关层的电流电压特性的图。图3示出了根据选择元件和晶体管的串联连接的电流限制的特性。
[0048]
在图3中，a示出了传统结构中的开关层由于重复操作劣化和短路之前和之后的电流电压特性。假设在劣化之前的开关层的阈值电压是vb。在劣化之前，开关层可以基于阈值电压vb响应于电压切换电流，因此作为开关层起作用。然而，可以看出在劣化之后，开关层短路并且因此相对于电压变化不能作为开关层起作用。因此，当开关层由于重复操作劣化和短路时，大电流流过与短路的选择元件组合的存储器元件，不能选择同一线上的其它存储器元件，因此这种存储器元件的信息丢失。
[0049]
在图3中，b示出了在本技术的实施例中由中间电极131分开的开关层121和122中的一个劣化和短路之前和之后的电流电压特性。此时，当开关层121和122的阈值电压被假设为vb1和vb2时，在劣化和短路之前，由开关层121和122的组合组成的选择元件的阈值电压vb是vb＝vb1 vb2，并且在短路之后变为vb2。也就是说，在这种情况下，即使只有一个开关层短路，开关层121和122也充当根据另一开关层具有vb2的阈值电压的选择元件。如果施加到该选择元件的电压是阈值电压vb2或更小，则也可以选择同一线上的其它存储器元件。可以避免信息丢失，因为可以在开关层121和122中的任何一个短路的时间读取同一线上的其它存储器元件的信息并将信息转移到不同线上的存储器元件。
[0050]
另外，当开关层121和122中的任何一个由于重复操作已经短路时，它充当具有vb1或vb2的的阈值电压的选择元件。当vb1和vb2的电平不同时，难以确定用于每个选择开关的开关层121和122中的哪一个已经劣化和短路，因此，需要处理开关层121和122作为具有vb1和vb2之间的较低的阈值电压的选择元件。此外，具有较高阈值电压的选择元件通常希望为交叉点型存储器的选择元件。因此，在vb1和vb2具有相同的电平的情况下，当开关层121和122中的任何一个已经劣化和短路时选择元件的阈值电压被最大化。此时，用于充当选择元件的阈值电压不改变，不论其中哪一个首先短路，并且当开关层121和122中的任何一个已经劣化和短路时阈值电压首先变为任何一个劣化和短路之间的阈值电压的一半。因此，当开关层121和122中的一个已经劣化和短路时，希望vb1和vb2具有相同的电平，以使开关层121和122充当具有较高阈值电压的选择元件。因此，希望开关层121和122由相同类型的材料形成，以使得vb1和vb2具有相同的电平。
[0051]
在图3中，c示出了在三个开关层电连接以充当单个选择元件的情况下的电流电压特性。当三个开关层的阈值电压是vb1、vb2和vb3时，单个选择元件的阈值电压是vb＝vb1 vb2 vb3。即使在三个开关层当中例如具有vb1的阈值的开关层由于重复操作而劣化和短路的情况下，开关层可以充当具有阈值电压vb＝vb2 vb3的选择元件。例如，在vb1 vb2 vb3具有相同电平的情况下，当开关层中的任何一个劣化和短路时，选择元件的阈值电压是劣化之前的阈值电压的三分之二。与存在两个开关层的情况相比，可以增加充当选择元件的阈值电压。以这种方式，构成单个选择元件的开关层的数量不限于两个并且可以是三个或更多个。
[0052]
图4是示出开关层的阈值电压的膜厚依赖性的图。
[0053]
在图4中，包含作为硫属元素的碲(te)的bcten被假设为开关层。另外，假设一个电极是氮化钛(tin)，并且假设另一个电极是钨(w)。同时，图4示出了当不包括中间电极时的值。
[0054]
从该图可以看出，需要45nm或更大的膜厚，以获得如在传统技术中那样不包括中间电极的开关层的例如4v的阈值电压。另一方面，当如本实施例中那样使用开关层121和122时，当它们具有20nm的膜厚时，开关层121和122具有2v的阈值电压。也就是说，总共40nm的膜厚足以根据开关层121和122获得总共4v的阈值电压。这是因为，当假设中间电极131的电阻分量为大约数kω时，阈值电压不受中间电极131的影响，因此串联连接的开关层121和122被认为充当具有4v的阈值电压的单个选择元件。
[0055]
因此，开关层121和122由中间电极131分开，因此可以减小膜厚。由于中间电极131被假设为具有大约1至2nm的厚度，因此中间电极131本身的厚度的影响是无关紧要的。即使开关层121和122以这种方式由中间电极131分开，电串联连接的开关层也充当单个选择元件并且因此可以具有与在传统技术中相同的阈值电压。此时，可以减小开关层121和122的总膜厚，因此蚀刻处理期间的纵横比减小，这对于小型化是有利的。另外，当开关层121和122由不同的材料形成时，用于蚀刻处理的条件改变并且精细处理的生产率可能劣化，因此希望形成相同类型的材料的开关层121和122。
[0056]
以这种方式，原理上通过串联连接由中间电极131分开的多个开关层121和122来获得交叉点型存储器的选择元件的效果。因此，当选择元件与诸如reram之类的双向操作的存储器元件组合时，开关层121和122中的任何一个可以是双向二极管，也就是说，双向操作的开关层，诸如金属-绝缘体-金属(mim)二极管和穿通二极管，无论其类型如何。
[0057]
另外，开关层121和122中的任何一个可以具有负电阻分量作为电压电流特性。此时，开关层121和122切换到导通状态，从而减小与开关层121和122相关的分压，并且施加到串联连接的存储器元件的分压增加相同的电平。与其中开关层121和122都没有负电阻分量的情况相比，可以减少驱动串联连接的选择元件和存储器元件所需的净电压，因为施加到存储器元件的分压增加。因此，希望具有负电阻分量，诸如包含硫属元素的材料、即所谓的ots材料并且可以双向操作的开关层。
[0058]
另外，在与电阻变化型存储器组合的选择元件中，诸如pcm之类的该电阻变化型存储器单向操作，构成选择元件的多个开关层121和122可以单向操作。如上所述，如果多个开关层串联连接，则开关层121和122中的任何一个可以是pn二极管、p-本征-n(pin)二极管、p-本征-p(pip)二极管、肖特基二极管、齐纳二极管和雪崩二极管，无论其类型如何。
[0059]
另外，当开关层121和122具有负电阻分量时，获得以下优点。通常，在断开状态和导通状态之间的状态转变时，当包括硫属元素时，通常出现电流电压特性的差分电阻变为负(负差分电阻)的现象。当开关层切换到导通状态时，开关层的分压减小。连接到选择元件和存储器元件的两端的导线具有寄生电容，并且发生在与这种电压变化相关联的寄生电容中累积的电荷量改变并且因此瞬态电流流动的现象。根据该瞬态电流，选择元件和存储器元件的性能劣化。例如，在使用热作为操作原理来操作存储器的情况下，诸如pcm，存储器元件的电阻值根据由于瞬态电流导致的焦耳热而改变，因此可能发生存储器的故障。关于此，在该实施例中，可以通过包括中间电极131来预期抑制由于中间电极131的电阻分量导致的瞬态电流。也就是说，如果开关层121和122处于导通状态，则它们具有数kω至数十kω的量级的电阻，但是中间电极131的电阻分量也是数kω至数十kω，因此可以抑制瞬态电流。同时，当开关层121和122处于断开状态时，它们具有数mω或更大的高电阻，因此中间电极131的电阻分量足够低，并且中间电极131不影响以上提及的阈值电压。
[0060]
此外，开关层121和122可以是选择元件，其中电阻值在特定电压下切换并且电流突然增加(snapback)，或者可以是不会急速返回的非线性电阻层。
[0061]
[电阻变化层的设置]
[0062]
图5是示出本技术的第一实施例中的存储器单元的结构的示例的图。
[0063]
在图5中，a示出了与上述交叉点型存储器相同的结构的示例。在该示例中，电阻变化层141直接设置在上电极111下方。然而，该电阻变化层141可以设置在上电极111和下电极112之间的任何位置。
[0064]
因此，如图5的b中所示，电阻变化层141可以设置在开关层121和122之间。另外，如图5的c中所示，电阻变化层141可以直接设置在下电极112上。
[0065]
[分层的交叉点型存储器]
[0066]
图6是示出本技术的第一实施例中的分层的交叉点型存储器的三维图像的示例的图。
[0067]
在上述示例中，描述了设有成对的位线211和字线212并在其交点处设有存储器单元的交叉点型存储器的示例。这里，表示了进一步设有位线213并在位线213和字线212的交点处进一步设有存储器单元的分层的交叉点型存储器的示例。
[0068]
在该分层的交叉点型存储器中，如上述单层交叉点型存储器中那样，在每个存储器单元中，开关层121和开关层122由中间电极131分开。因此，可以获得与上述单层交叉点型存储器的效果相同的效果。
[0069]
[修改示例]
[0070]
图7是示出本技术的实施例中的选择元件的结构的修改示例的图。
[0071]
在上述示例中，已经描述了根据中间电极131分开两个开关层121和122的示例。这里，表示了进一步设有中间电极132以分开三个开关层121至123的示例。也就是说，由于本实施例中的效果从多个开关层的串联连接获得，因此开关层的数量不限于两个并且可以是该示例中所示的三个或更多个。
[0072]
图8是示出本技术的第一实施例中的选择元件的结构的修改示例的图。
[0073]
这里，表示了如上所述分开三个开关层121至123的情况的示例。在这种情况下，电阻变化层141也可以设置在上电极111和下电极112之间的任何位置。
[0074]
在图8的a中，电阻变化层141直接设置在上电极111下方。在图8的b中，电阻变化层141设置在开关层121和122之间。在图8的c中，电阻变化层141设置在开关层122和123之间。另外，在图8的d中，电阻变化层141直接设置在下电极112上方。
[0075]
同时，在该修改示例中，可以根据需要省略一些中间电极。因此，可以省略在蚀刻时改变蚀刻室的处理，因此可以简化制造处理。
[0076]
以这种方式，根据本技术的第一实施例，多个开关层由中间电极分开，因此，即使当任何开关层由于劣化而短路时，其余的开关层也可以充当选择元件。因此，可以减小开关层的膜厚。此外，当开关层具有负电阻分量时，可以抑制由在转变到导通状态时生成的焦耳热所引起的瞬态电流。
[0077]
《2.第二实施例》
[0078]
[交叉点型存储器]
[0079]
图9是示出本技术的第二实施例中的交叉点型存储器的三维图像的示例的图。
[0080]
第二实施例中的交叉点型存储器与上述第一实施例中的交叉点型存储器的相同之处在于存储器单元设置在多条位线211和多条字线212的交点处。虽然存储器元件在第一实施例中由电阻变化层141组成，但是第二实施例的存储器元件由电阻变化层141和离子源层142的分层结构组成。
[0081]
离子源层142包含根据电场的施加在电阻变化层141中形成导电路径的可移动元素。该可移动元素可以是例如过渡金属元素、铝(al)、铜(cu)或硫属元素。硫属元素的示例包括碲(te)、硒(se)和硫(s)。过渡金属元素的示例包括元素周期表的第四族至第六族的元素，例如钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)等。离子源层142包含以上提及的可移动元素中的一种或两种或更多种。另外，离子源层142可以包含氧(o)、氮(n)、以上提及的可移动元素以外的元素(例如，锰(mn)、钴(co)、铁(fe)、镍(ni)和铂(pt))、硅(si)等。同时，离子源层142是权利要求中描述的存储层的示例。
[0082]
[电阻变化层的设置]
[0083]
图10是示出本技术的第二实施例中的存储器单元的结构的示例的图。
[0084]
在图10中，a示出了与第二实施例中的以上提及的交叉点型存储器相同的结构的示例。在该示例中，电阻变化层141和离子源层142直接设置在上电极111下方。然而，电阻变化层141和离子源层142可以设置在上电极111和下电极112之间的任何位置。
[0085]
因此，如图10的b中所示，电阻变化层141可以设置在开关层121和122之间。另外，如图10的c中所示，电阻变化层141可以直接设置在下电极112上。
[0086]
[分层的交叉点型存储器]
[0087]
图11是示出本技术的第二实施例中的分层的交叉点型存储器的三维图像的示例的图。
[0088]
在上述示例中，描述了设有成对的位线211和字线212并在其交点处设有存储器单元的交叉点型存储器的示例。这里，表示了如在上述第一实施例的情况下那样进一步设有位线213并在位线213和字线212的交点处进一步设有存储器单元的分层的交叉点型存储器的示例。
[0089]
在该分层的交叉点型存储器中，如上述单层交叉点型存储器中那样，在每个存储器单元中，开关层121和开关层122由中间电极131分开。因此，可以获得与上述单层交叉点型存储器的效果相同的效果。
[0090]
[修改示例]
[0091]
图12是示出本技术的第二实施例中的选择元件的结构的修改示例的图。
[0092]
如以上在第一实施例中所述那样，开关层的数量不限于两个并且可以是三个或更多个。这里，表示如上所述分开三个开关层121至123的情况的示例。在这种情况下，电阻变化层141和离子源层142也可以设置在上电极111和下电极112之间的任何位置。
[0093]
在图12的a中，电阻变化层141和离子源层142可以直接设置在上电极111下方。在图12的b中，电阻变化层141和离子源层142可以设置在开关层121和122之间。在图12的c中，电阻变化层141和离子源层142可以设置在开关层122和123之间。另外，在图12的d中，电阻变化层141和离子源层142可以直接设置在下电极112上。
[0094]
以这种方式，根据本公开的第二实施例，即使在电阻变化层141和离子源层142用作存储器元件的情况下，也可以获得根据由中间电极分开多个开关层的上述效果。
[0095]
上述实施例是用于执行本技术的具体实施方式，并且实施例中的因素具有与权利要求中本发明的特定因素的相应对应关系。类似地，权利要求中本发明的特定因素具有与本技术的实施例中具有相同名称的因素的相应对应关系。这里，本技术不限于实施例，并且可以在不脱离本技术的主旨的情况下在本技术的范围内进行实施例的各种修改。
[0096]
本技术可以如下配置。
[0097]
(1)一种选择元件，包括：彼此对置的第一电极和第二电极；
[0098]
设置在第一电极和第二电极之间的中间电极；和
[0099]
多个开关层，所述多个开关层被配置为在所述对置的方向上夹着所述中间电极。
[0100]
(2)根据(1)所述的选择元件，其中，所述多个开关层中的每一个当被施加高于预定阈值电压的电压时切换到低电阻状态，并且在其它情况下处于高电阻状态。
[0101]
(3)根据(1)或(2)所述的选择元件，其中所述多个开关层中的至少一个能够双向操作。
[0102]
(4)根据(1)至(3)中的任一项所述的选择元件，其中所述多个开关层中的至少一个包括负电阻分量。
[0103]
(5)根据(1)至(4)中的任一项所述的选择元件，其中所述多个开关层中的至少一个包含氧(o)、硫(s)、硒(se)和碲(te)中的至少一种。
[0104]
(6)根据(1)至(5)中的任一项所述的选择元件，其中所述多个开关层中的至少一个包括双向二极管。
[0105]
(7)根据(1)至(5)中的任一项所述的选择元件，其中所述多个开关层中的至少一个包括mim二极管和穿通二极管中的至少任何一个。
[0106]
(8)根据(1)至(5)中的任一项所述的选择元件，其中所述多个开关层中的至少一个包括pn二极管、pin二极管、pip二极管、肖特基二极管、雪崩二极管和齐纳二极管中的至少任何一个。
[0107]
(9)根据(1)所述的选择元件，其中，所有所述多个开关层由相同类型的材料形成。
[0108]
(10)一种存储器单元，包括：彼此对置的第一电极和第二电极；
[0109]
设置在第一电极和第二电极之间的存储层；
[0110]
设置在第一电极和第二电极之间的中间电极；和
[0111]
多个开关层，所述多个开关层被配置为在所述对置的方向上夹着所述中间电极。
[0112]
(11)根据(9)所述的存储器单元，其中，所述存储层是由过渡金属氧化物形成的电阻变化层、相变型存储器层和磁阻变化型存储器层中的任何一种。
[0113]
(12)根据(9)所述的存储器单元，其中所述存储层包括包含碲(te)、铝(al)、铜(cu)、锆(zr)、氮(n)和氧(o)中的至少一种的离子源层以及由氧化物材料形成的电阻变化层。
[0114]
(13)根据(9)至(11)中的任一项所述的存储器单元，其中所述多个开关层中的至少一个包含氧(o)、硫(s)、硒(se)和碲(te)中的至少一种。
[0115]
(14)一种存储装置，包括：多个存储器单元，所述多个存储器单元分别包括：彼此对置的第一电极和第二电极；设置在第一电极和第二电极之间的存储层；设置在第一电极和第二电极之间的中间电极；和多个开关层，所述多个开关层被配置为在所述对置的方向上夹着所述中间电极。
[0116]
[附图标记]
[0117]
111上电极
[0118]
112下电极
[0119]
121、122、123开关层
[0120]
131、132、133、139中间电极
[0121]
141电阻变化层
[0122]
142离子源层
[0123]
211、213位线
[0124]
212字线