旋涂模拟的方法、装置、设备及存储介质与流程

1.本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种旋涂模拟的方法、装置、设备及存储介质。


背景技术：

2.旋涂工艺是半导体结构制备过程中经常采用的一种膜层成型工艺，在实际的半导体结构制程中，采用旋涂工艺形成的膜层有时会存在厚度不均的问题，进而影响后续制程。


技术实现要素：

3.以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
4.本公开提供一种旋涂模拟的方法、装置、设备及存储介质。
5.根据本公开实施例的第一方面，提供一种旋涂模拟的方法，应用于对非平面半导体结构的旋涂膜层的形状进行模拟，所述方法包括：
6.获取旋涂工艺参数信息；
7.基于预设模拟模型和所述旋涂工艺参数信息，确定形成于非平面半导体结构上的旋涂膜层的形状信息。
8.根据本公开的一些实施例，所述旋涂工艺参数信息包括：目标膜层厚度和旋涂材料的特征信息，所述旋涂材料的特征信息用于确定所述旋涂材料的流动性信息。
9.根据本公开的一些实施例，所述基于预设模拟模型和所述旋涂工艺参数信息，确定形成于非平面半导体结构上的旋涂膜层的形状信息，包括：
10.基于所述预设模拟模型和所述旋涂工艺参数信息，确定所述旋涂膜层的表面形状信息；
11.基于所述旋涂膜层的表面形状信息和所述非平面半导体结构的预设表面形状信息，确定所述旋涂膜层的形状信息。
12.根据本公开的一些实施例，所述基于所述预设模拟模型和所述旋涂工艺参数信息，确定所述旋涂膜层的表面形状信息，包括：
13.基于所述预设模拟模型和所述旋涂工艺参数信息，确定模拟曲线，所述模拟曲线用于表征所述旋涂膜层的表面形状信息；
14.所述基于所述旋涂膜层的表面形状信息和所述非平面半导体结构的预设表面形状信息，确定所述旋涂膜层的形状信息，包括：
15.获取预设曲线，所述预设曲线用于表征所述非平面半导体结构的预设表面形状信息；
16.基于所述模拟曲线和所述预设曲线，确定所述旋涂膜层的截面形状作为所述旋涂膜层的形状信息。
17.根据本公开的一些实施例，所述预设曲线关于预设轴对称，所述旋涂工艺参数信
息包括：目标膜层厚度和旋涂材料的特征信息；
18.所述基于所述预设模拟模型和所述旋涂工艺参数信息，确定模拟曲线，包括：
19.基于所述旋涂材料的特征信息，确定流动性系数；
20.将所述目标膜层厚度和所述流动性系数代入第一预测函数y＝f(x)，得到所述第一预测函数对应的第一函数曲线；
21.将所述目标膜层厚度和所述流动性系数代入第二预测函数-y＝f(x)，得到所述第二预测函数对应的第二函数曲线；
22.基于所述第一函数曲线和所述第二函数曲线，确定所述模拟曲线。
23.根据本公开的一些实施例，所述非平面半导体结构的表面包括平面以及由所述平面内凹形成的凹面，所述非平面半导体结构的截面形状关于所述预设轴对称，所述第一预测函数为三次函数的反函数。
24.根据本公开的一些实施例，所述基于所述旋涂材料的特征信息，确定流动性系数，包括：
25.获取第一配置信息，所述第一配置信息用于表征材料型号与流动性系数的对应关系；
26.基于所述旋涂材料的材料型号和所述第一配置信息，确定所述流动性系数。
27.根据本公开的一些实施例，所述基于所述旋涂材料的特征信息，确定流动性系数，包括：
28.获取第二配置信息，所述第二配置信息用于表征流动性特征值与流动性系数的对应关系；
29.基于所述旋涂材料的流动性特征值和所述第二配置信息，确定所述流动性系数。。
30.本公开的第二方面提供一种旋涂模拟装置，应用于对非平面半导体结构的旋涂膜层的形状进行模拟，所述旋涂模拟装置包括：
31.获取模块，被配置为获取旋涂工艺参数信息；
32.确定模块，被配置为基于预设模拟模型和所述旋涂工艺参数信息，确定形成于非平面半导体结构上的旋涂膜层的形状信息。
33.根据本公开的一些实施例，所述旋涂工艺参数信息包括：目标膜层厚度和旋涂材料的特征信息，所述旋涂材料的特征信息用于确定所述旋涂材料的流动性信息。
34.根据本公开的一些实施例，所述确定模块，被配置为：
35.基于所述预设模拟模型和所述旋涂工艺参数信息，确定所述旋涂膜层的表面形状信息；
36.基于所述旋涂膜层的表面形状信息和所述非平面半导体结构的预设表面形状信息，确定所述旋涂膜层的形状信息。
37.根据本公开的一些实施例，所述确定模块，被配置为：
38.基于所述预设模拟模型和所述旋涂工艺参数信息，确定模拟曲线，所述模拟曲线用于表征所述旋涂膜层的表面形状信息；
39.获取预设曲线，所述预设曲线用于表征所述非平面半导体结构的预设表面形状信息；
40.基于所述模拟曲线和所述预设曲线，确定所述旋涂膜层的截面形状作为所述旋涂
膜层的形状信息。
41.根据本公开的一些实施例，所述预设曲线关于预设轴对称，所述旋涂工艺参数信息包括：目标膜层厚度和旋涂材料的特征信息；
42.所述确定模块，被配置为：
43.基于所述旋涂材料的特征信息，确定流动性系数；
44.将所述目标膜层厚度和所述流动性系数代入第一预测函数y＝f(x)，得到所述第一预测函数对应的第一函数曲线；
45.将所述目标膜层厚度和所述流动性系数代入第二预测函数-y＝f(x)，得到所述第二预测函数对应的第二函数曲线；
46.基于所述第一函数曲线和所述第二函数曲线，确定所述模拟曲线，所述模拟曲线关于所述预设轴对称。
47.根据本公开的一些实施例，所述非平面半导体结构的表面包括平面以及由所述平面内凹形成的凹面，所述非平面半导体结构的截面形状关于所述预设轴对称，所述第一预测函数为三次函数的反函数。
48.根据本公开的一些实施例，所述确定模块，被配置为：
49.获取第一配置信息，所述第一配置信息用于表征材料型号与流动性系数的对应关系；
50.基于所述旋涂材料的材料型号和所述第一配置信息，确定所述流动性系数。
51.根据本公开的一些实施例，所述确定模块，被配置为：
52.获取第二配置信息，所述第二配置信息用于表征流动性特征值与流动性系数的对应关系；
53.基于所述旋涂材料的流动性特征值和所述第二配置信息，确定所述流动性系数。
54.本公开的第三方面提供一种旋涂模拟设备，所述旋涂模拟设备包括：
55.处理器；
56.用于存储处理器可执行指令的存储器；
57.其中，所述处理器被配置为执行：
58.获取旋涂工艺参数信息；
59.基于预设模拟模型和所述旋涂工艺参数信息，确定形成于非平面半导体结构上的旋涂膜层的形状信息。
60.根据本公开实施例的第四方面，提供一种非临时性计算机可读存储介质，当所述存储介质中的指令由旋涂模拟设备的处理器执行时，使得旋涂模拟设备能够执行：
61.获取旋涂工艺参数信息；
62.基于预设模拟模型和所述旋涂工艺参数信息，确定形成于非平面半导体结构上的旋涂膜层的形状信息。
63.本公开实施例所提供的旋涂模拟的方法中，根据预设模拟模型和旋涂工艺参数信息模拟旋涂膜层的形状，从而为旋涂步骤之后的其他工艺步骤提供参考依据，以保证制备出的半导体产品的质量。
64.在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
65.并入到说明书中并且构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与描述一起用于解释本公开实施例的原理。在这些附图中，类似的附图标记用于表示类似的要素。下面描述中的附图是本公开的一些实施例，而不是全部实施例。对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其他的附图。
66.图1a是相关技术中半导体结构的结构示意图；
67.图1b是图1a经回刻步骤后的结构示意图；
68.图1c是图1b经刻蚀步骤后的结构示意图；
69.图1d是图1c经刻蚀步骤后的结构示意图；
70.图1e是图1d除去掩膜层、保护层、第一牺牲层和第二牺牲层后的结构示意图；
71.图2是根据一示例性实施例示出的一种旋涂模拟方法的流程图；
72.图3是根据一示例性实施例示出的一种旋涂模拟方法的流程图；
73.图4是根据一示例性实施例示出的一种旋涂模拟方法的流程图；
74.图5a是根据一示例性实施例示出的旋涂模拟方法模拟出的旋涂膜层截面形状示意图；
75.图5b是根据一示例性实施例示出的旋涂模拟方法模拟出的旋涂膜层截面形状示意图；
76.图5c是根据一示例性实施例示出的旋涂模拟方法模拟出的旋涂膜层截面形状示意图；
77.图6是根据一示例性实施例示出的不同的流动性系数拟合出的第一函数曲线图；
78.图7a是根据一示例性实施例示出的实际旋涂膜层表面形状；
79.图7b是与图7a对应的模拟出的模拟曲线图；
80.图8是根据一示例性实施例示出的一种旋涂模拟方法的流程图；
81.图9a是根据一示例性实施例示出的旋涂模拟方法中，材料搬迁初始状态的结构示意图；
82.图9b是对图9a进行一次搬迁后的结构示意图；
83.图9c是对图9b进行二次搬迁后的结构示意图；
84.图10是根据一示例性实施例示出的一种旋涂模拟装置的框图；
85.图11是根据一示例性实施例示出的一种旋涂模拟设备的框图。
具体实施方式
86.为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例中的附图，对公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
87.针对相关技术中旋涂工艺形成的膜层有时会存在厚度不均、影响后续制程的问题，本公开的发明人发现，由于旋涂材料的流动性是有限的，在表面不平整的半导体结构上进行旋涂时，受结构以及旋涂材料流动性的影响，形成于不平整半导体结构表面上的旋涂
膜层，其厚度就会存在不均匀的问题，具体为，在结构密度较高的区域，旋涂形成的旋涂膜层的厚度较小，在结构密度较低的区域，旋涂形成的旋涂膜层的厚度较大。
88.例如，如图1a所示，半导体结构包括依次层叠设置的衬底100、目标刻蚀层200、掩膜层300、保护层400、第一牺牲层500和第二牺牲层600。其中，掩膜层300的中间区域设置有多个第一凹槽310，外围区域的表面为平整表面，第一牺牲层500覆盖保护层400以及掩膜层300的第一凹槽310的侧壁和底壁，第二牺牲层600为经旋涂工艺形成的旋涂膜层。掩膜层的中间区域即为结构密度相对较高的区域，外围区域即为结构密度相对较低的区域，采用旋涂工艺形成的旋涂膜层即第二牺牲层600中，覆盖在中间区域的部分厚度较小，覆盖在外围区域的部分厚度较大。
89.旋涂膜层的厚度不均会对后续制程产生影响，进而影响制备得到的半导体产品的质量。继续以图1a为例，在图1a所示的第二牺牲层600上进行回刻后形成如图1b所示的结构，然后在图1b所示的结构上对第一牺牲层500、保护层400和第二牺牲层600进行刻蚀得到图1c所示的多个间隔的第二凹槽510，由于第二牺牲层600在中间区域和外围区域存在高度差，因此，刻蚀过程中，中间区域的第一牺牲层500先露出，外围区域的第一牺牲层500后露出，导致中间区域的第二凹槽510的槽深大于外围区域的第二凹槽510的槽深。在进一步对第一牺牲层500和目标刻蚀层200进行刻蚀形成多个第三凹槽210时，如图1d所示，槽深的深度差异会继续传递至目标刻蚀层210。如图1e所示，去除掩膜层300、保护层400、第一牺牲层500和第二牺牲层600后，外围区域的第三凹槽210会存在欠刻蚀问题。
90.基于此，本公开提供了一种旋涂模拟的方法。该方法中，根据预设模拟模型和旋涂工艺参数信息模拟旋涂膜层的形状，从而为旋涂步骤之后的其他工艺步骤提供参考依据，以保证制备出的半导体产品的质量。
91.本公开示例性的实施例中提供一种旋涂模拟的方法，应用于对非平面半导体结构的旋涂膜层的形状进行模拟，此处所述的非平面半导体结构指的是半导体结构的表面即用于承载旋涂膜层的承载面为非平面，非平面例如可以是有凸起的面或者有凹槽的面等。如图2所示，图2示出了根据本公开一示例性的实施例提供的旋涂模拟的方法的流程图：
92.s100、获取旋涂工艺参数信息。
93.该步骤中，旋涂工艺参数信息为完成旋涂工艺的基础数据或指标，旋涂工艺参数信息会影响最终形成的旋涂膜层的形状，作为示例，旋涂工艺参数信息包括目标膜层厚度、旋涂材料的特征信息、非平面半导体结构的表面形状信息等等。其中，旋涂材料的特征信息用于确定旋涂材料的流动性信息，例如可以为表征旋涂材料流动性的参数信息，由于不同型号的旋涂材料，其相应的流动性信息是确定的，因此，旋涂材料的特征信息也可以是旋涂材料的型号，根据旋涂材料的型号查表也可得到旋涂材料的流动性信息。
94.在一些实施例中，旋涂工艺参数信息是在旋涂模拟之前由用户输入，示例性地，用户在手机、电脑等终端设备上进行操作，以输入旋涂工艺参数信息。在另一些实施例中，从完整的半导体制程中提取旋涂工艺参数信息。
95.s200、基于预设模拟模型和旋涂工艺参数信息，确定形成于非平面半导体结构上的旋涂膜层的形状信息。
96.该步骤中，将旋涂工艺参数信息输入预设模拟模型中，利用预设模拟模型对旋涂膜层20的形状信息进行模拟，从而确定出形成于非平面半导体结构10上的旋涂膜层20的形
状信息。这样，能够为旋涂步骤之后的其他工艺步骤提供参考依据，以保证制备出的半导体产品的质量，例如，避免出现上述的欠刻蚀或者过刻蚀的问题。
97.旋涂膜层20的形状信息可以通过图案、文字、图案与文字相结合等形式示出，例如，在终端的显示屏上显示出模拟出的旋涂膜层的立体图、截面图等。
98.一实施例中，如图3所示，步骤s200具体包括：
99.s210、基于预设模拟模型和旋涂工艺参数信息，确定旋涂膜层的表面形状信息；
100.s220、基于旋涂膜层的表面形状信息和非平面半导体结构的预设表面形状信息，确定旋涂膜层的形状信息。
101.本实施例中，根据旋涂工艺参数信息确定形成的旋涂膜层20的表面形状信息，例如，根据旋涂工艺参数模拟出旋涂膜层20的表面形状(通常为曲面)。由于旋涂膜层20是形成于非平面半导体结构10的表面，因此，旋涂膜层20的底面与非平面半导体结构10的表面相适配。这样，将旋涂膜层20的表面形状与非平面半导体结构10的表面形状进行合成，即得到旋涂膜层20的整体形状信息。
102.在一些实施例中，非平面半导体结构10的预设表面形状信息为一个，从而模拟出形成于该非平面半导体结构10上的旋涂膜层20的形状。在另一些实施例中，非平面半导体结构10的预设表面形状信息为多个，此时，可预先对非平面半导体结构10的预设表面形状进行选定。例如，用户在进行旋涂模拟之前对非平面半导体结构10的预设表面进行选定，再例如，用户在旋涂模拟之前输入非平面半导体结构10的表面形状参数，根据用户输入的非平面半导体结构10的表面形状参数确定非平面半导体结构10的预设表面形状信息。作为示例，需要进行旋涂模拟的非平面半导体结构10的表面上设置有凹槽，用户可以在旋涂模拟之前输入凹槽的槽深值和槽宽值。
103.可以理解的是，在非平面半导体结构10的预设表面形状信息为多个的实施例中，步骤s210中，还可以是基于预设模拟模型、旋涂工艺参数信息、以及非平面半导体结构10的预设表面形状信息，确定旋涂膜层20的表面形状信息。由于在确定旋涂膜层20的表面形状信息时结合了非平面半导体结构10的预设表面形状信息，能够进一步提高旋涂膜层20的表面形状信息的精确性。
104.考虑到半导体结构的结构特点，旋涂膜层20的薄厚特征实际通过截面形状即可体现，基于此，可以确定旋涂膜层20的截面形状，并将旋涂膜层20的截面形状确定为旋涂膜层20的形状信息。一实施例中，步骤s210具体为，基于预设模拟模型和旋涂工艺参数信息，确定模拟曲线，模拟曲线用于表征旋涂膜层20的表面形状信息。
105.上述步骤中，确定的模拟曲线例如为旋涂膜层20的截面的一部分边缘，即旋涂膜层20的表面在截面上截得的曲线。得到模拟曲线后，可将该模拟曲线与表征非平面半导体结构10的预设表面形状信息的预设曲线合并，即可得到旋涂膜层20的截面形状。由于采用模拟曲线，能够降低模拟过程的运算量，提高模拟的运算速度。
106.由于非平面半导体结构上10的凹槽或者凸起等结构通常为对称结构，此时在进行模拟曲线的确定时，可以采用两个对称的预测函数，作为示例，如图4所示，步骤s210包括：
107.s211、基于旋涂材料的特征信息，确定流动性系数；
108.s212、将目标膜层厚度和流动性系数代入第一预测函数y＝f(x)，得到第一预测函数对应的第一函数曲线；
109.s213、将目标膜层厚度和流动性系数代入第二预测函数-y＝f(x)，得到第二预测函数对应的第二函数曲线；
110.s214、基于第一函数曲线和第二函数曲线，确定模拟曲线。
111.流动性系数a为与旋涂材料的流动性相关的系数，第一预测函数和第二预测函数中的系数均包括厚度d和流动性系数a。厚度d和流动性系数a与第一函数曲线、第二函数曲线的关系可通过实验标定、经验值等方式确定。一个具体的实施例中，如图5a所示，非平面半导体结构10的表面包括平面11以及由平面11内凹形成的凹面12，非平面半导体结构10的截面形状关于预设轴l对称，第一预测函数为三次函数的反函数，即，第一预测函数为：
[0112][0113]
则第二预测函数为：
[0114][0115]
其中，a为流动性系数，其与旋涂材料的流动性相关，流动性越好，a值越大；
[0116]
d为目标膜层厚度；
[0117]
b和c均为常数，例如可以均为0。
[0118]
不同的流动性系数a拟合出的第一函数曲线如图6所示，由图6可知，流动性系数a越大，拟合出的第一函数曲线的平整性越高。作为示例，当流动性系数a
→
0时，认为旋涂材料不能流动，拟合出的模拟曲线s1如图5a所示，当流动性系数0＜a＜∞时，拟合出的模拟曲线s1如图5b所示，当流动性系数a
∝
∞时，拟合出的模拟曲线s1如图5c所示。
[0119]
图7a为实际的旋涂膜层表面形状，图7b为采用三次函数的反函数模拟出的旋涂膜层的模拟曲线，将图7a和图7b对比可知，采用三次函数的反函数来拟合模拟曲线，能够更准确地表征旋涂膜层的表面形状信息。
[0120]
一实施例中，步骤s211中，基于旋涂材料的特征信息，确定流动性系数的方法可以为：
[0121]
获取第一配置信息，第一配置信息用于表征材料型号与流动性系数的对应关系；
[0122]
基于旋涂材料的材料型号和第一配置信息，确定流动性系数。
[0123]
作为示例，第一配置信息可以为材料型号与流动性系数的第一对应表格，当获取了旋涂材料的材料型号后，根据旋涂材料的材料型号查找第一对应表格，查找到与该旋涂材料的材料型号对应的流动性系数。
[0124]
另一实施例中，基于旋涂材料的特征信息，确定流动性系数的方法还可以为：
[0125]
获取第二配置信息，第二配置信息用于表征流动性特征值与流动性系数的对应关系；
[0126]
基于旋涂材料的流动性特征值和第二配置信息，确定流动性系数。
[0127]
作为示例，第二配置信息可以为流动性特征值与流动性系数的第二对应表格，当获取了流动性特征值后，根据流动性特征值查找第二对应表格，查找到与该旋涂材料的材料型号对应的流动性系数。其中，流动性特征值的取值范围为0-1，0为完全流动，1为完全不流动，流动性越大，流动性特征值越大，用户可预估旋涂材料的流动性特征值并输入预设模拟模型。
[0128]
第一函数曲线用于表征旋涂膜层20的一部分表面形状信息，第二函数曲线用于表征旋涂膜层20的另一部分表面形状信息，第一函数曲线和第二函数曲线合并即可得到用于表征旋涂膜层20的完整表面信息的模拟曲线。
[0129]
本实施例中，如图8所示，步骤s220包括：
[0130]
s221、获取预设曲线，预设曲线用于表征非平面半导体结构的预设表面形状信息；
[0131]
s222、基于模拟曲线和预设曲线，确定旋涂膜层的截面形状作为旋涂膜层的形状信息。
[0132]
本实施例中，将表征旋涂膜层20表面形状信息的模拟曲线s1，与表征非平面半导体结构10表面信息的预设曲线s2合并，即得到旋涂膜层20的截面形状，运算过程简单，运算速度快。
[0133]
在一些实施例中，预设曲线s2为一个，从而模拟出与该预设曲线s2对应的旋涂膜层20的截面形状。在另一些实施例中，预设曲线s2为多个，此时，可预先对预设曲线s2进行选定。例如，用户在进行旋涂模拟之前对预设曲线s2进行选定，再例如，用户在旋涂模拟之前输入非平面半导体结构10的表面形状参数，根据用户输入的非平面半导体结构10的表面形状参数确定预设曲线s2。作为示例，需要进行旋涂模拟的非平面半导体结构10的表面上设置有凹槽，用户可以在旋涂模拟之前输入凹槽的槽深值和槽宽值。
[0134]
可以理解的是，步骤s222中，在将模拟曲线s1与预设曲线s2围合形成旋涂膜层20的截面形状时，遵循质量守恒定律，即保证旋涂材料的总量不会发生变化，一实施例中，将第一函数曲线和第二函数曲线的交接位置通过平滑曲线过渡，从而进一步提高旋涂膜层20的形状的模拟精度。在另外的实施例中，也可以只生成第一函数曲线，并根据第一函数曲线和预设曲线s2得到旋涂膜层20的一半截面形状，然后将这一半截面形状对称得到完整的旋涂膜层20的截面形状。
[0135]
在另一实施例中，预设模拟模型通过材料搬迁的方式模拟旋涂材料的流动，并根据旋涂材料不同的流动性设定不同的搬迁终止条件，来实现对旋涂膜层20的形状信息的模拟。下面以非平面半导体结构10的表面包括平面11以及由平面11内凹形成的凹面12为例，对材料搬迁过程做具体说明。
[0136]
如图9a所示，材料搬迁的初始条件为，设定平面11区域全部沉积与控挡片上相同厚度的旋涂材料，凹面12上没有旋涂材料。之后，对凹面12两侧的平面11区域上的旋涂材料进行搬迁，以最小搬迁单元为单位，将最小搬迁单元依次搬迁至凹面12处，在搬迁过程中，遵循质量守恒定律，即，在平面11区域上搬离多少面积，则在凹面12上即增加多少面积。最小搬迁单元例如可以为如图9b所示的三角形，也可以为四边形等其他形状。
[0137]
在搬迁过程中，根据曲率半径进行搬迁，优先搬迁平面区域上曲率半径最小的位置，然后放置在凹面上曲率半径最小的位置，并依次按上述的搬迁原则进行旋涂材料的搬
迁。例如，在图9a所示的实施例中，首先搬迁平面11区域上靠近凹面12一侧的尖角位置(实线圆圈出的位置)的旋涂材料，并放置于凹面12的角部区域(虚线圆圈出的位置)，从而形成如图9b所示的结构，如图9b所示，第一次搬迁后，在平面11区域上靠近凹面12一侧形成两个尖角位置(实线圆圈出的位置)，在凹面12的角部区域形成两个钝角位置(虚线圆圈出的位置)，在对平面11区域上靠近凹面12一侧形成两个尖角位置进行搬迁，分别搬迁至凹面12的两个钝角位置，从而形成如图9c所示的结构，该结构中，在平面11区域上靠近凹面12一侧形成三个尖角位置(实线圆圈出的位置)，在凹面12的角部区域形成三个钝角位置(虚线圆圈出的位置)，再继续进行搬迁，直至满足搬迁终止条件。
[0138]
旋涂材料的流动性不同，其搬迁终止条件也不相同，按流动性越好，搬迁量越大为原则确定搬迁终止条件。例如，以凹面12上形成的旋涂材料厚度与平面11上的旋涂材料的平均厚度的比值确定搬迁终止条件，即，当凹面12上形成的旋涂材料厚度与平面11上的旋涂材料的平均厚度的比值达到终止预设值时，终止搬迁。旋涂材料的流动性越好，其旋涂时的材料搬迁量越大，终止预设值也越大，反之，旋涂材料的流动性越差，其旋涂时的材料搬迁量越小，终止预设值也越小。用户可在旋涂模拟之前根据旋涂材料的流动性选定终止预设值，也可以是执行如下步骤：
[0139]
获取第三配置信息，第三配置信息用于表征材料型号与终止预设值的对应关系；
[0140]
基于旋涂材料的材料型号和第三配置信息，终止预设值。
[0141]
作为示例，第三配置信息可以为材料型号与终止预设值的第三对应表格，当获取了旋涂材料的材料型号后，根据旋涂材料的材料型号查找第三对应表格，查找到与该旋涂材料的材料型号对应的终止预设值。
[0142]
图10根据一示例性实施例示出的一种旋涂模拟装置的框图。如图10所示，该装置至少包括获取模块301和确定模板302。
[0143]
获取模块301，被配置为获取旋涂工艺参数信息；
[0144]
确定模板302，基于预设模拟模型和所述旋涂工艺参数信息，确定形成于非平面半导体结构上的旋涂膜层的形状信息。
[0145]
在一个示例性实施例中，旋涂工艺参数信息包括：目标膜层厚度和旋涂材料的特征信息，旋涂材料的特征信息用于确定旋涂材料的流动性信息。
[0146]
在一个示例性实施例中，确定模块，被配置为：
[0147]
基于预设模拟模型和旋涂工艺参数信息，确定旋涂膜层的表面形状信息；
[0148]
基于旋涂膜层的表面形状信息和非平面半导体结构的预设表面形状信息，确定旋涂膜层的形状信息。
[0149]
在一个示例性实施例中，确定模块，被配置为：
[0150]
基于预设模拟模型和旋涂工艺参数信息，确定模拟曲线，模拟曲线用于表征旋涂膜层的表面形状信息；
[0151]
获取预设曲线，预设曲线用于表征非平面半导体结构的预设表面形状信息；
[0152]
基于模拟曲线和所述预设曲线，确定旋涂膜层的截面形状作为旋涂膜层的形状信息。
[0153]
在一个示例性实施例中，预设曲线关于预设轴对称，旋涂工艺参数信息包括：目标膜层厚度和旋涂材料的特征信息；
[0154]
确定模块，被配置为：
[0155]
基于旋涂材料的特征信息，确定流动性系数；
[0156]
将目标膜层厚度和流动性系数代入第一预测函数y＝f(x)，得到第一预测函数对应的第一函数曲线；
[0157]
将目标膜层厚度和流动性系数代入第二预测函数-y＝f(x)，得到第二预测函数对应的第二函数曲线；
[0158]
基于第一函数曲线和第二函数曲线，确定模拟曲线，模拟曲线关于预设轴对称。
[0159]
在一个示例性实施例中，非平面半导体结构的表面包括平面以及由平面内凹形成的凹面，非平面半导体结构的截面形状关于预设轴对称，第一预测函数为三次函数的反函数。
[0160]
在一个示例性实施例中，确定模块，被配置为：
[0161]
获取第一配置信息，第一配置信息用于表征材料型号与流动性系数的对应关系；
[0162]
基于旋涂材料的材料型号和第一配置信息，确定流动性系数。
[0163]
在一个示例性实施例中，确定模块，被配置为：
[0164]
获取第二配置信息，第二配置信息用于表征流动性特征值与流动性系数的对应关系；
[0165]
基于旋涂材料的流动性特征值和第二配置信息，确定流动性系数。
[0166]
图11是根据一示例性实施例示出的一种旋涂模拟设备，即计算机设备900的框图。例如，计算机设备900可以被提供为终端设备。参照图11，计算机设备900包括处理器901，处理器的个数可以根据需要设置为一个或者多个。计算机设备900还包括存储器902，用于存储可由处理器901的执行的指令，例如应用程序。存储器的个数可以根据需要设置一个或者多个。其存储的应用程序可以为一个或者多个。处理器901被配置为执行指令，以执行上述方法。
[0167]
本领域技术人员应明白，本公开的实施例可提供为方法、装置(设备)、或计算机程序产品。因此，本公开可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本公开可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质上实施的计算机程序产品的形式。计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质,包括但不限于ram、rom、eeprom、闪存或其他存储器技术、cd-rom、数字多功能盘(dvd)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质等。此外，本领域技术人员公知的是，通信介质通常包含计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。
[0168]
在示例性实施例中，提供了一种包括指令的非临时性计算机可读存储介质，例如包括指令的存储器902，上述指令可由装置900的处理器901执行以完成上述方法。例如，所述非临时性计算机可读存储介质可以是rom、随机存取存储器(ram)、cd-rom、磁带、软盘和光数据存储设备等。
[0169]
一种非临时性计算机可读存储介质，当所述存储介质中的指令由旋涂模拟设备的处理器执行时，使得旋涂模拟设备能够执行：
[0170]
获取旋涂工艺参数信息；
[0171]
基于预设模拟模型和旋涂工艺参数信息，确定形成于非平面半导体结构上的旋涂膜层的形状信息。
[0172]
本公开是参照根据本公开实施例的方法、装置(设备)和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
[0173]
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
[0174]
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
[0175]
在本公开中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。
[0176]
尽管已描述了本公开的优选实施例，但本领域技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本公开范围的所有变更和修改。
[0177]
显然，本领域技术人员可以对本公开进行各种改动和变型而不脱离本公开的精神和范围。这样，倘若本公开的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开的意图也包含这些改动和变型在内。