一种基于强耦合偶极子的超宽带双极化相控阵天线的制作方法

技术特征：
1.一种基于强耦合偶极子的超宽带双极化相控阵天线，其特征在于：包括水平放置的辐射单元(1)、位于辐射单元(1)上方的介质匹配层(2)、位于辐射单元(1)下方竖直放置的馈电结构(3)以及位于辐射单元(1)下方水平放置的金属接地板(4)，所述辐射单元(1)包括水平放置的水平介质基板(11)，所述水平介质基板(11)为三层，包括上层介质基板(111)、中层介质基板(112)和下层介质基板(113)，所述中层介质基板(112)的顶面和底面上分别印刷有偶极子单元(12)，两个所述偶极子单元(12)异面垂直设置，所述上层介质基板(111)的顶面和下层介质基板(113)的底面均印刷有加强耦合贴片(13)，所述加强耦合贴片(13)包夹偶极子单元(12)垂直交叉部分，所述水平介质基板(11)、偶极子单元(12)和加强耦合贴片(13)通过多个第一金属化过孔(14)连接。2.如权利要求1所述的基于强耦合偶极子的超宽带双极化相控阵天线，其特征在于：所述馈电结构(3)为竖直设置的平衡馈电结构，两个馈电结构(3)分别与两个偶极子单元(12)连接，所述馈电结构(3)包括第一竖直介质基板、第二竖直介质基板和渐变馈线(31)，所述第一竖直介质基板和第二竖直介质基板的内侧面互相连接，外侧面上均设有接地金属双线机构(5)，所述渐变馈线(31)设于第一竖直介质基板与第二竖直介质基板之间。3.如权利要求2所述的基于强耦合偶极子的超宽带双极化相控阵天线，其特征在于：所述渐变馈线(31)位于接地金属接地板(4)下方的部分为渐变结构，渐变结构顶端的宽度小于底端的宽度。4.如权利要求2或3所述的基于强耦合偶极子的超宽带双极化相控阵天线，其特征在于：两层所述金属双线机构(5)通过多个第二金属化过孔(54)连接。5.如权利要求4所述的基于强耦合偶极子的超宽带双极化相控阵天线，其特征在于：所述接地金属双线机构(5)包括第一接地金属线(51)和第二接地金属线(52)，所述第一接地金属线(51)上开设有开槽(53)，所述开槽(53)为矩形，多个所述开槽(53)依次排列，开槽(53)的开口面积由下至上逐渐增加。6.如权利要求1所述的基于强耦合偶极子的超宽带双极化相控阵天线，其特征在于：所述介质匹配层(2)包括两层介电常数不同的第一介质板(21)和第二介质板(22)。7.如权利要求1所述的基于强耦合偶极子的超宽带双极化相控阵天线，其特征在于：所述水平介质基板(11)、偶极子单元(12)、金属接地板(4)上均开设有用于固定两个馈电结构(3)的定位槽。8.如权利要求1所述的基于强耦合偶极子的超宽带双极化相控阵天线，其特征在于：所述上层介质基板(111)、中层介质基板(112)和下层介质基板(113)的厚度为0.106-0.127mm。9.如权利要求2所述的基于强耦合偶极子的超宽带双极化相控阵天线，其特征在于：所述第一竖直介质基板和第二竖直介质基板厚度为0.254mm。

技术总结
本发明提供了一种基于强耦合偶极子的超宽带双极化相控阵天线，包括水平放置的辐射单元、位于辐射单元上方的介质匹配层、位于辐射单元下方竖直放置的馈电结构以及位于辐射单元下方水平放置的金属接地板，辐射单元包括水平放置的水平介质基板，水平介质基板为三层，中层介质基板的顶面和底面上分别印刷有偶极子单元，两个偶极子单元异面垂直设置，上层介质基板的顶面和下层介质基板的底面均印刷有加强耦合贴片，加强耦合贴片包夹偶极子单元垂直交叉部分，介质基板、偶极子单元和加强耦合贴片通过多个第一金属化过孔连接；本发明提供的基于强耦合偶极子的超宽带双极化相控阵天线剖面低，能改善端口之间的隔离度、降低交叉极化。极化。极化。


技术研发人员：叶源 江云 黄昭宇 刘博源 黄敬健 朱畅 王青平 陈曦 崔开博 袁乃昌
受保护的技术使用者：中国人民解放军国防科技大学
技术研发日：2021.11.17
技术公布日：2022/2/18