谐振器、滤波器及制造方法与流程

1.本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种谐振器、滤波器及制造方法。


背景技术：

2.谐振器被广泛应用于各种电子产品中，例如可以用于产生各种预定频率的时钟信号。现有的一种谐振器如图1所示，其包括形成在基板空腔上的底电极、压电层和上电极。为了使得不同谐振器能够产生不同的预定频率的时钟信号，需要在上电极上形成不同厚度的质量负载层(massloading)。目前常规的方法是在上电极或底电极上利用liftoff工艺形成不同厚度的质量负载层，如图1a和图1b所示，在电极11上形成图案化的光刻胶12，然后再沉积金属层13，最后去除掉光刻胶12和光刻胶12上的金属层13，仅保留沉积在电极11上的金属层13，从而形成了质量负载层。
3.然而，这种方法容易产生以下缺点。其一，在liftoff的过程中容易在电极上出现光刻胶残留，使得质量负载层与上电极或底电极接触不良，从而使得产品出现不良。其二，这种方法在形成较薄的质量负载层时，会影响所形成的质量负载层的质量，更容易使得产品出现不良。此外，这种方法仅能够通过对上电极或底电极进行调整，对于谐振频率的调整不够灵活。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本发明实施例提供了一种谐振器、滤波器及制造方法，以解决现有技术中质量负载层与上电极或底电极接触不良、形成较薄的质量负载层时质量负载层的质量差以及对于谐振频率的调整不够灵活这些问题中的至少一个。
5.根据第一方面，本发明实施例提供了一种谐振器的制造方法，包括：形成底电极；在所述底电极上形成压电层；在所述压电层上形成至少一个凹陷部，所述凹陷部的深度与待形成的质量负载层的厚度相同；在所述压电层上形成上电极，所述上电极填充入所述凹陷部的部分形成所述质量负载层，并使所述上电极的上表面平坦化。
6.可选地，在所述形成底电极之前还包括：在基板表面形成至少一个开口；在所述开口内填充牺牲层；在所述使所述上电极的上表面平坦化之后还包括：去除所述牺牲层，以使得所述底电极与所述基板之间形成空腔。
7.可选地，所述谐振器为多个，所述形成底电极包括：形成多个分离的底电极，每个所述底电极对应一个所述谐振器；或者所述形成底电极包括：形成一体的底电极，多个所述谐振器共用所述一体的底电极；或者所述在所述底电极上形成压电层包括：形成多个分离的压电层，每个所述压电层对应一个所述谐振器；或者所述在所述底电极上形成压电层包括：形成一体的压电层，多个所述谐振器共用所述一体的压电层；或者所述在所述压电层上形成上电极包括：形成多个分离的上电极，每个所述上电极对应一个所述谐振器；或者所述在所述压电层上形成上电极包括：形成一体的上电极，多个所述谐振器共用所述一体的上电极。
8.可选地，所述在所述压电层上形成至少一个凹陷部包括：在所述压电层上形成掩膜层；去除需要形成所述质量负载层的所述谐振器对应的所述压电层上的部分所述掩膜层，以暴露待形成所述凹陷部的所述压电层的部分表面；对所暴露的所述压电层的所述部分表面进行刻蚀以形成所述凹陷部。
9.可选地，所述在所述压电层上形成上电极，包括：在所述压电层上沉积形成所述上电极，所沉积的所述上电极的厚度大于或等于待形成的上电极的厚度与各个所述谐振器的所述凹陷部中深度最深者的深度之和。
10.可选地，所述使所述上电极的上表面平坦化包括：使各个所述谐振器的所述上电极的上表面高度齐平。
11.根据第二方面，本发明实施例提供了一种谐振器的制造方法，包括：在基板表面形成开口，并向所述开口内填充牺牲层；在所述牺牲层上形成至少一个凹陷部，所述凹陷部的深度与待形成的质量负载层的厚度相同；在所述基板和所述牺牲层上形成底电极，所述底电极填充入所述凹陷部的部分形成所述质量负载层；使所述底电极的上表面平坦化；在所述底电极上形成压电层；在所述压电层上形成上电极。
12.可选地，在所述压电层上形成上电极之后还包括：去除所述牺牲层，以使得所述底电极与所述基板之间形成空腔。
13.可选地，所述谐振器为多个，所述在所述基板和所述牺牲层上形成底电极包括：形成多个分离的底电极，每个所述底电极对应一个所述谐振器；或者所述在所述基板和所述牺牲层上形成底电极包括：形成一体的底电极，多个所述谐振器共用所述一体的底电极；或者所述在所述底电极上形成压电层包括：形成多个分离的压电层，每个所述压电层对应一个所述谐振器；或者所述在所述底电极上形成压电层包括：形成一体的压电层，多个所述谐振器共用所述一体的压电层；或者所述在所述压电层上形成上电极包括：形成多个分离的上电极，每个所述上电极对应一个所述谐振器；或者所述在所述压电层上形成上电极包括：形成一体的上电极，多个所述谐振器共用所述一体的上电极。
14.可选地，所述在所述基板和所述牺牲层上形成底电极，包括：在所述基板和所述牺牲层上沉积形成所述底电极，所沉积的所述底电极的厚度大于或等于待形成的底电极的厚度与各个所述谐振器的所述凹陷部中深度最深者的深度之和。
15.可选地，所述使所述底电极的上表面平坦化包括：使各个所述谐振器的所述底电极的上表面高度齐平。
16.根据第三方面，本发明实施例提供了一种滤波器的制造方法，包括：根据上述第一方面或第二方面中任一项所述的方法形成至少两个谐振器。
17.根据第四方面，本发明实施例提供了一种滤波器，包括至少两个谐振器，所述至少两个谐振器中的至少一个包括：底电极；压电层，设置在所述底电极上，所述压电层远离所述底电极的一侧形成有至少一个凹陷部；上电极，设置在所述压电层上且填充所述凹陷部；其中，各个所述谐振器的所述上电极的上表面高度齐平。
18.根据第五方面，本发明实施例提供了一种滤波器，包括至少两个谐振器，所述至少两个谐振器中的至少一个包括：底电极，设置在基板上，所述底电极与所述基板之间形成有空腔，所述底电极具有朝向所述空腔凸起的至少一个凸起部，所述凸起部朝向所述空腔凸起的高度小于所述空腔的深度；压电层，设置在所述底电极上；上电极，设置在所述压电层
上；其中，各个所述谐振器的所述底电极的上表面高度齐平。
19.可选地，所述上电极包括金属钼；或者所述底电极包括金属钼；或者所述压电层包括氮化铝。
20.可选地，所述凹陷部或所述凸起部为规则或不规则形状；或者所述凹陷部或所述凸起部为对称或不对称排列。
21.可选地，所述凹陷部或所述凸起部设置在每个谐振器对应的底电极中心区域处，或者所述凹陷部或所述凸起部的中心与每个所述谐振器对应的底电极中心的距离不大于所述谐振器所产生的谐振波的波长的1/4。
22.根据本发明实施例的谐振器、滤波器及制造方法，由于质量负载层形成在凹陷部内，且与上电极一体形成，因此质量负载层与上电极的结合性好，不会产生分层的风险，并且各个谐振器的质量负载层形成在凹陷部内，在增大质量负载层的质量的同时也减小了压电层的厚度，同时对压电层和质量负载层进行了调整，对于谐振频率的调节更加灵活，并且由于压电层的厚度减小，可以不必形成极薄的质量负载层，质量负载层的质量也能够得到保证。
23.根据本发明另一实施例的谐振器、滤波器及制造方法，由于质量负载层与底电极一体形成，因此质量负载层与底电极的结合性好，不会产生分层的风险。
附图说明
24.通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制，在附图中：
25.图1a和图1b示出了现有技术中为谐振器设置质量负载层的方法的示意图；
26.图2示出了根据本发明实施例的滤波器的示意图；
27.图3示出了根据本发明实施例的滤波器的一种可选实施方式的示意图；
28.图4示出了根据本发明另一实施例的滤波器的示意图；
29.图5示出了根据本发明另一实施例的滤波器的一种可选实施方式的示意图；
30.图6a至图6g示出了根据本发明实施例的谐振器的制造方法中各个步骤的示意图；
31.图7a至图7f示出了根据本发明另一实施例的谐振器的制造方法中各个步骤的示意图。
具体实施方式
32.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
33.图2示出了根据本发明实施例的滤波器，该谐振器可以包括至少两个谐振器，在图2的示例中设置有3个谐振器，即谐振器20a、20b和20c，本领域技术人员应当理解，设置更多或更少的谐振器也是可行的。每个谐振器均包括底电极23、压电层24和上电极26，其中底电极23设置在基板21上，压电层24设置在底电极23上，上电极26设置在压电层24上，为了提升谐振器的谐振效果，各个谐振器的底电极23与基板21之间形成有空腔22。在图2的示例中采
用在基板上刻蚀形成空腔来实现声反射结构，本领域技术人员应当理解，也可采用布拉格反射层来实现声反射，并且声反射结构可以设置于基板内，也可以设置于基板表面。
34.在图2的示例中，谐振器20a未设置质量负载层，谐振器20b和20c则设置有质量负载层，谐振器20b和20c的压电层24远离底电极23的一侧形成有凹陷部25，上电极26填充凹陷部25，上电极26填充入凹陷部25的部分成为谐振器的质量负载层，并且各个谐振器的上电极26的上表面高度齐平。作为一种可选实施方式，基板可以是硅基板，底电极23可以包括金属钼，压电层24可以包括氮化铝，上电极26可以包括金属钼。
35.需要注意的是，在图2的示例中，各个谐振器的底电极23是分离的，而压电层24和上电极26是一体的，然而，本发明并不限于此，各个谐振器的压电层24或上电极26也可以是分离的，或者也可以是各个谐振器的底电极23是一体的，而上电极26是分离的。
36.由于各个谐振器具有不同的质量负载层，因此各个谐振器具有不同的谐振频率。一般而言，质量负载层的质量越大，谐振器的谐振频率越低，压电层越厚，谐振器的谐振频率越低。在图2的示例中，谐振器20b和20c所具有的凹陷部的深度不同，使得谐振器20b和20c的质量负载层的质量不同，压电层的厚度也不同，因此谐振器20b和20c具有不同的谐振频率，且与谐振器20a的谐振频率也不同。作为一种可选实施方式，各个谐振器所具有的凹陷部的宽度不同，同样使得各个谐振器的质量负载层的质量不同，进而使得各个谐振器具有不同的谐振频率。
37.作为一种可选实施方式，如图3所示，每个谐振器可以具有多个凹陷部25，各个谐振器所具有的凹陷部的数量可以相同，也可以不同。同样地，各个凹陷部的深度和/或宽度可以相同，也可以不同。由此，同样可以使得各个谐振器的质量负载层的质量不同，进而使得各个谐振器具有不同的谐振频率。
38.进一步地，上述实施方式中的凹陷部25可以是规则的形状，例如矩形或者圆形，或者凹陷部25还可以是不规则的形状，例如不规则五边形等等。进一步地，每个谐振器的凹陷部25具有多个时，还可以进一步为对称或不对称的排列。进一步地，凹陷部25可以设置在每个谐振器对应的分离的电极中心区域处，或者凹陷部25的中心与分离的电极的中心的距离不大于该谐振器所产生的谐振波的波长的1/4。
39.在本发明实施例的滤波器中，与现有的滤波器制备方法相比，由于质量负载层形成在凹陷部内，且与上电极一体形成，因此质量负载层与上电极的结合性好，不会产生分层的风险，并且各个谐振器的质量负载层形成在凹陷部内，在增大质量负载层的质量的同时也减小了压电层的厚度，同时对压电层和质量负载层进行了调整，对于谐振频率的调节更加灵活。此外，现有技术中单独在上电极上形成质量负载层时，若质量负载层较薄，加工工艺会存在一定缺陷，且较薄的质量负载层的质量也难以得到保证，而本发明实施例的滤波器中，由于减小了压电层的厚度，当谐振器的谐振频率调整到与现有技术单独形成质量负载层的方案同一谐振频率时，所需形成的质量负载层的厚度会大于现有技术中单独形成质量负载层的厚度，因此，本发明实施例的滤波器可以不必形成极薄的质量负载层，提高了工艺实现度，且所形成的质量负载层的质量能够得到保证。
40.图4示出了根据本发明另一实施例的滤波器，该滤波器可以包括至少两个谐振器，在图4的示例中设置有3个谐振器，即谐振器30a、30b和30c，本领域技术人员可以选择设置更多或更少的谐振器。与图2所示的实施例相同，每个谐振器均包括底电极33、压电层35和
上电极36，其中底电极33设置在基板31上，压电层35设置在底电极33上，上电极36设置在压电层35上，为了提升谐振器的谐振效果，各个谐振器的底电极33与基板31之间形成有空腔32。同样地，在图4的示例中采用在基板上刻蚀形成空腔来实现声反射结构，本领域技术人员应当理解，也可采用布拉格反射层来实现声反射，并且声反射结构可以设置于基板内，也可以设置于基板表面。
41.在图4的示例中，谐振器30a未设置质量负载层，谐振器30b和30c则设置有质量负载层，谐振器30b和30c的底电极33具有朝向空腔32凸起的凸起部34，凸起部34朝向空腔32凸起的高度小于空腔32的深度，底电极33的凸起部34成为谐振器的质量负载层，并且各个谐振器的底电极33的上表面高度齐平。同样地，作为一种可选实施方式，基板可以是硅基板，底电极33可以包括金属钼，压电层35可以包括氮化铝，上电极36可以包括金属钼。
42.同样地，在图4的示例中，各个谐振器的底电极33是分离的，而压电层35和上电极36是一体的，然而，本发明并不限于此，各个谐振器的压电层35或上电极36也可以是分离的，或者也可以是各个谐振器的底电极33是一体的，而上电极36是分离的。
43.在图4的示例中，谐振器30b和30c所具有的凸起部的高度不同，使得谐振器30b和30c的质量负载层的质量不同，因此谐振器30b和30c具有不同的谐振频率，且与谐振器30a的谐振频率也不同。作为一种可选实施方式，各个谐振器所具有的凸起部的宽度不同，同样使得各个谐振器的质量负载层的质量不同，进而使得各个谐振器具有不同的谐振频率。
44.作为一种可选实施方式，如图5所示，每个谐振器可以具有多个凸起部34，各个谐振器所具有的凸起部的数量可以相同，也可以不同。同样地，各个凸起部的高度和/或宽度可以相同，也可以不同。由此，同样可以使得各个谐振器的质量负载层的质量不同，进而使得各个谐振器具有不同的谐振频率。
45.进一步地，上述实施方式中的凸起部34可以是规则的形状，例如矩形或者圆形，或者凸起部34还可以是不规则的形状，例如不规则五边形等等。进一步地，每个谐振器的凸起部34具有多个时，还可以进一步为对称或不对称的排列。进一步地，凸起部34的中心与空腔32中心的距离不大于该谐振器所产生的谐振波的波长的1/4。
46.在本实施例的滤波器中，与现有的滤波器制备方法相比，由于质量负载层与底电极一体形成，因此质量负载层与底电极的结合性好，不会产生分层的风险。
47.在下文中，将结合附图详细描述本发明实施例的谐振器的制造方法，该方法可以包括如下步骤：
48.s11.如图6a所示，在基板21表面形成若干开口，并向开口内填充牺牲层27，其中基板21例如可以是硅基板，牺牲层27例如可以是磷硅酸玻璃(psg)。
49.在图6a的示例中，示出了3个开口，以分别再其上形成谐振器20a、20b和20c，本领域技术人员应当理解，也可以形成更多或更少的谐振器。
50.此外，如上文所述，在本实施方式中采用在基板上刻蚀形成空腔来实现声反射结构为例来说明本发明实施例，本领域技术人员应当理解，也可采用布拉格反射层来实现声反射，并且声反射结构可以设置于基板内，也可以设置于基板表面。
51.s12.如图6b所示，在基板21和牺牲层27上形成底电极23。
52.在图6b的示例中，各个谐振器的底电极23是分离的，本领域技术人员应当理解，各个谐振器的底电极23也可以是一体的，各个谐振器共用该一体的底电极。在一种可选实施
方式中，底电极23可以包括金属钼。
53.s13.如图6b所示，在底电极23上形成压电层24。
54.在图6b的示例中，各个谐振器的压电层24是一体的，各个谐振器共用该一体的压电层，本领域技术人员应当理解，压电层24也可以是分离的。在一种可选实施方式中，压电层24可以包括氮化铝。
55.s14.仍如图6b所示，在压电层24上形成掩模层28，去除部分掩膜层28，以暴露待形成凹陷部的压电层24的部分表面。掩模层28例如可以由氧化硅制成。
56.在图6b的示例中，需要在谐振器20b中形成质量负载层，从而暴露谐振器20b的压电层24的部分表面。
57.s15.如图6c所示，对所暴露的压电层24的部分表面进行刻蚀以形成凹陷部25，然后去除掩模层28。例如可以采用trim工艺来形成所需深度的凹陷部25，凹陷部的深度与待形成的质量负载层的厚度相同。例如可以采用氢氟酸来去除掩模层28，氢氟酸对于氧化硅材料有强腐蚀性，而不会腐蚀压电层24。
58.在图6c的示例中，在谐振器20b的压电层24的部分表面形成了凹陷部25。
59.s16.如图6d所示，可以采用同样的方式来形成另一深度的凹陷部25。
60.在图6d的示例中，在谐振器20c的压电层24的部分表面形成了凹陷部25。本领域技术人员应当理解，该步骤为可选步骤，若仅一个谐振器需要形成凹陷部，或者需要形成凹陷部的各个谐振器的谐振频率均相同的情况下，则不需要执行该步骤。例如，若需要形成凹陷部的谐振器20b和20c的谐振频率相同，则可以同时暴露谐振器20b和20c的压电层24的部分表面，并对所暴露的压电层24的表面进行刻蚀，以形成相同深度的凹陷部。
61.作为一种可选实施方式，在需要形成凹陷部的各个谐振器的谐振频率均不同的情况下，也可以采取同时形成凹陷部的方式。若需要形成凹陷部的谐振器20b和20c的谐振频率不同，则可以使暴露谐振器20b和20c的压电层24的部分表面的面积不同，例如使得宽度不同，从而使得所形成的凹陷部虽然深度相同，但是凹陷部的底面积是不同的，进而填充入各个凹陷部的上电极部分的质量不同，同样可以使得各个谐振器具有不同的谐振频率。
62.作为一种可选实施方式，参考图3所示的实施方式，可以在各个谐振器所对应的压电层表面形成至少一个凹陷部。
63.s17.如图6e所示，在压电层24上形成上电极26，例如可以采用沉积的方式来形成上电极26，上电极26填充入凹陷部25的部分形成质量负载层。由于上电极26有部分填充入凹陷部25，因此所形成的上电极26的上表面凹凸不平。在图6e的示例中，由于谐振器20b和谐振器20c中形成了凹陷部，因此，谐振器20b和谐振器20c的上电极26的上表面凹凸不平。
64.在图6e的示例中，各个谐振器的上电极26是一体的，各个谐振器共用该一体的上电极，本领域技术人员应当理解，上电极26也可以是分离的。在一种可选实施方式中，上电极26可以包括金属钼。
65.s18.如图6f所示，使各个上电极26的上表面平坦化。
66.作为一种可选实施方式，为了最终能够得到预定厚度的上电极，需要使所沉积的上电极26的厚度大于或等于待形成的上电极的厚度与各个凹陷部中深度最深者的深度之和。
67.例如，当待形成的上电极的预定厚度为h，谐振器20b的凹陷部的深度为h1，谐振器
20c的凹陷部的深度为h2，且h2》h1时，可以预见图6e中谐振器20b的上电极的上表面具有深度为h1的凹陷，谐振器20c的上电极的上表面具有深度为h2的凹陷。为了使得上电极的上表面平坦化，至少需要将上电极去除h2的高度，因此，在图6e的示例中，所沉积的上电极26的厚度应当大于或等于h h2。
68.s19.如图6g所示，去除牺牲层，以使得底电极23与基板21之间形成空腔22，从而能够提升各个谐振器的谐振效果。
69.在本发明实施例的谐振器的制造方法中，与现有的谐振器制备方法相比，由于质量负载层形成在凹陷部内，且与上电极一体形成，因此质量负载层与上电极的结合性好，不会产生分层的风险，并且谐振器的质量负载层形成在凹陷部内，在增大质量负载层的质量的同时也减小了压电层的厚度，同时对压电层和质量负载层进行了调整，对于谐振频率的调节更加灵活。此外，现有技术中单独在上电极上形成质量负载层时，若质量负载层较薄，加工工艺会存在一定缺陷，且较薄的质量负载层的质量也难以得到保证，而本发明实施例的谐振器的制造方法中，由于减小了压电层的厚度，当谐振器的谐振频率调整到与现有技术单独形成质量负载层的方案同一谐振频率时，所需形成的质量负载层的厚度会大于现有技术中单独形成质量负载层的厚度，因此，本发明实施例的谐振器的制造方法可以不必形成极薄的质量负载层，提高了工艺实现度，且所形成的质量负载层的质量能够得到保证。
70.图7a至图7f示出了本发明另一实施例的谐振器的制造方法，该方法可以包括如下步骤：
71.s21.如图7a所示，在基板31表面形成若干开口，并向开口内填充牺牲层37，其中基板31例如可以是硅基板，牺牲层37例如可以是磷硅酸玻璃(psg)。
72.在图7a的示例中，示出了3个开口，以分别再其上形成谐振器30a、30b和30c，本领域技术人员应当理解，也可以形成更多或更少的谐振器。
73.同样地，在本实施方式中采用在基板上刻蚀形成空腔来实现声反射结构为例来说明本发明实施例，本领域技术人员应当理解，也可采用布拉格反射层来实现声反射，并且声反射结构可以设置于基板内，也可以设置于基板表面。
74.s22.如图7b所示，在牺牲层37上形成凹陷部34，凹陷部34的深度与待形成的质量负载层的厚度相同。
75.与图6a至图6g所对应的实施例相似，可以在基板31和牺牲层37上形成图案化的掩模层，以暴露待形成凹陷部34的牺牲层37的表面，从而可以利用刻蚀的方式形成所需深度的凹陷部34，然后采用氢氟酸等去除掩模层。若需要形成不同深度的凹陷部34，则需要重复执行上述步骤，若所需形成的凹陷部34的深度相同，则可以同时形成深度相同的凹陷部。
76.作为一种可选实施方式，参考图5所示的实施方式，可以在各个谐振器所对应的牺牲层表面形成至少一个凹陷部。
77.s23.如图7c所示，在基板31和牺牲层37上形成底电极33，例如可以采用沉积的方式来形成底电极33，底电极33填充入凹陷部34的部分形成质量负载层。由于底电极33有部分填充入凹陷部34，因此所形成的底电极33的上表面凹凸不平。在图7c的示例中，由于谐振器30b和谐振器30c中形成了凹陷部，因此，谐振器30b和谐振器30c的底电极33的上表面凹凸不平。
78.在图7c的示例中，各个谐振器的底电极33是分离的，本领域技术人员应当理解，各
个谐振器的底电极33也可以是一体的，各个谐振器共用该一体的底电极。在一种可选实施方式中，底电极33可以包括金属钼。
79.s24.如图7d所示，使各个底电极34的上表面平坦化。
80.作为一种可选实施方式，为了最终能够得到预定厚度的底电极，需要使所沉积的底电极的厚度大于或等于待形成的底电极的厚度与各个凹陷部中深度最深者的深度之和。
81.例如，当待形成的底电极的预定厚度为h，谐振器30b的凹陷部的深度为h1，谐振器30c的凹陷部的深度为h2，且h2》h1时，可以预见图7c中谐振器30b的底电极的上表面具有深度为h1的凹陷，谐振器30c的底电极的上表面具有深度为h2的凹陷。为了使得底电极的上表面平坦化，至少需要将底电极去除h2的高度，因此，在图7c的示例中，所沉积的底电极的厚度应当大于或等于h h2。
82.s25.如图7e所示，在底电极33上形成压电层35。
83.在图7e的示例中，各个谐振器的压电层35是一体的，各个谐振器共用该一体的压电层，本领域技术人员应当理解，压电层35也可以是分离的。在一种可选实施方式中，压电层35可以包括氮化铝。
84.s26.如图7e所示，在压电层35上形成上电极36。
85.在图7e的示例中，各个谐振器的上电极36是一体的，各个谐振器共用该一体的上电极，本领域技术人员应当理解，上电极36也可以是分离的。在一种可选实施方式中，上电极36可以包括金属钼。
86.s27.如图7f所示，去除牺牲层，以使得底电极33与基板31之间形成空腔32，从而能够提升各个谐振器的谐振效果。
87.在本实施例的谐振器的制造方法中，与现有的谐振器制备方法相比，由于质量负载层与底电极一体形成，因此质量负载层与底电极的结合性好，不会产生分层的风险。
88.进一步地，本发明实施例还提供了一种滤波器的制造方法，其可以采用上述图6a至图6g所示的实施例，或是上述图7a至图7f所示的实施例的制造方法来形成至少两个谐振器，本发明实施例的滤波器的制造方法的具体细节可以对应参阅图6a至图6g或是图7a至图7f所示的实施例中对应的相关描述和效果进行理解，此处不再赘述。可选地，本发明实施例所提供的滤波器的制造方法所形成的至少两个谐振器的质量负载层均互不相同，从而各个谐振器的谐振频率也互不相同。
89.虽然结合附图描述了本发明的实施例，但是本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下作出各种修改和变型，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。