发光元件以及包括该发光元件的电子装置的制作方法

1.涉及一种发光元件以及包括该发光元件的电子装置。


背景技术：

2.发光元件(light emitting device)作为自发光型元件，相比现有的元件，不仅视角广、对比度优异，而且响应时间短，辉度特性、驱动电压特性以及响应速度特性优异。
3.所述发光元件可以具有如下结构：在基板上部布置有第一电极，在所述第一电极上部依次形成有空穴传输区域(hole transport region)、发光层、电子传输区域(electron transport region)以及第二电极。从所述第一电极注入的空穴经由空穴传输区域移动到发光层，从第二电极注入的电子经由电子传输区域移动到发光层。诸如所述空穴和电子之类的载流子在发光层区域再结合而生成光。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种效率相比现有技术得到提高的元件等。
5.根据一方面，提供一种发光元件，包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极对向；以及中间层，夹设在所述第一电极与所述第二电极之间，并且包括发光层堆叠体，其中，所述发光层堆叠体包括第一发光层和第二发光层，所述第一发光层包括：第一热活性延迟荧光掺杂剂；第二发光层，包括第二热活性延迟荧光掺杂剂，所述第一热活性延迟荧光掺杂剂和第二热活性延迟荧光掺杂剂是不同的化合物，所述第一发光层和第二发光层相接。
6.根据另一方面，提供一种包括上述发光元件的电子装置。
7.根据一实现例的发光元件表现出效率相比现有技术得到提高的结果。
附图说明
8.图1是示意性地分别示出根据一实现例的发光元件的结构的图。
9.图2是根据本发明的一实现例的发光装置的剖面图。
10.图3是根据本发明的另一实现例的发光装置的剖面图。
11.【附图标记说明】
12.10：发光元件
13.110：第一电极
14.130：中间层
15.150：第二电极
具体实施方式
16.在将相同颜色的一个发光层配备在多个堆叠体的结构中，通过增加包括发光层的单位元件的堆叠体数量来实现高发光效率。在此情形下，在空穴传输层与发光层的界面形成发光区域，从而通常显示出如果效率得到改善则寿命减小的倾向。
17.根据一方面的发光元件，包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极对向；以及中间层，夹设在所述第一电极与所述第二电极之间，并且包括发光层堆叠体，其中，所述发光层堆叠体包括第一发光层和第二发光层，所述第一发光层包括第一tadf掺杂剂，所述第二发光层包括第二tadf掺杂剂，所述第一tadf掺杂剂和第二tadf掺杂剂是不同的化合物，所述第一发光层和第二发光层相接。
18.例如，所述发光层堆叠体可以由第一发光层以及第二发光层构成(consistof)。
19.根据一实现例，所述第一电极是可以阳极，所述第二电极可以是阴极，所述发光元件还可以包括：空穴传输区域，布置在所述第一电极与所述发光层堆叠体之间，并且包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层或者其任意组合。
20.根据一实现例，所述第一电极可以是阳极，所述第二电极可以是阴极，所述发光元件还可以包括：电子传输区域，布置在所述第二电极与所述发光层堆叠体之间，并且包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或者其任意组合。
21.针对所述空穴传输区域和电子传输区域将后述。
22.根据一实现例，所述发光层堆叠体可以发出蓝色光。例如，与第一发光层和第二发光层分别发出哪种颜色的光无关地，包括第一发光层和第二发光层的发光层堆叠体可以发出蓝色光。例如，第一发光层可以发出短波长蓝色光，第二发光层可以发出长波长蓝色光，包括所述第一发光层和第二发光层的发光层堆叠体可以发出蓝色光。例如，第一发光层可以发出长波长蓝色光，第二发光层可以发出短波长蓝色光，包括所述第一发光层和第二发光层的发光层堆叠体可以发出蓝色光。
23.根据一实现例，所述第一发光层可以发出短波长蓝色光。
24.根据一实现例，所述第二发光层可以发出长波长蓝色光。
25.例如，第一发光层可以发出蓝色光，第二发光层可以发出蓝色光，包括所述第一发光层和第二发光层的发光层堆叠体可以发出蓝色光。
26.根据一实现例，所述第一tadf掺杂剂的波长可以为440nm以上且460nm以下。
27.根据一实现例，所述第二tadf掺杂剂的波长可以为460nm至480nm。
28.所述波长表示λmax的波长。
29.根据一实现例，所述第一tadf掺杂剂的波长的半宽度可以是30nm以下。例如，所述第一tadf掺杂剂的波长的半宽度可以是10nm至25nm。
30.根据一实现例，所述第二tadf掺杂剂的波长的半宽度可以是30nm以上。例如，所述第二tadf掺杂剂的波长的半宽度可以是30nm至50nm。
31.在所述第一tadf掺杂剂和第二tadf掺杂剂的波长和波长的半宽度在上述范围的情形下，发光元件的效率、寿命等优异。
32.根据一实现例，所述第一发光层可以与空穴传输层相接，所述第二发光层可以与电子传输层相接。
33.根据一实现例，所述第一发光层可以与空穴传输层相接，所述第二发光层可以与空穴阻挡层相接。
34.根据一实现例，所述第一发光层可以包括第一主体，第二发光层可以包括第二主体，所述第一主体和第二主体可以是不同的化合物。
35.根据一实现例，所述第一主体和第二主体可以是相同的化合物。所述第一主体和
第二主体可分别是具有高三重态(t1：triplet energy)能级的化合物。
36.例如，所述第一主体和第二主体的t1能级分别可以是1.7ev以上。在第一主体和第二主体的t1能级低于1.7ev的情形下，发光机制可能无法正常工作。
37.所述第一tadf掺杂剂和第二tadf掺杂剂的s1能级与t1能级的差值可以分别为0.5ev以下。s1(singlet energy)能级高于t1能级。
38.例如，第一tadf掺杂剂和第二tadf掺杂剂的s1能级与t1能级的差值可以分别为0.3ev以下。
39.在s1能级与t1能级的差值大于0.5ev的情形下，几乎不发生热活性延迟荧光机制。
40.根据一实现例，从所述第一电极注入的空穴和从所述第二电极注入的电子可以在所述第一发光层和所述第二发光层的界面再结合。因此，与在空穴传输层和发光层的界面形成发光区域的现有技术不同地，不会发生空穴传输层以及发光层界面的劣化，因此寿命不缩短，效率增加。
41.根据一实现例，所述发光层堆叠体可以为多个。例如，所述发光层堆叠体可以为2个、3个或者4个。在此情形下，在多个所述发光层堆叠体之间可以布置有电荷生成层。例如，所述电荷生成层可以与电子传输层和空穴传输层连接。
42.根据一实现例，所述发光层堆叠体包括的主体可以是下述化合物中的任意一种：
43.[0044][0045]
根据一实现例，所述第一tadf掺杂剂可以是以下化合物中的任意一种：
[0046][0047]
根据一实现例，所述第二tadf掺杂剂可以是以下化合物中的任意一种：
[0048][0049][0050]
根据另一方面的电子装置包括所述发光元件。
[0051]
根据一实现例，所述电子装置还可以包括薄膜晶体管，
[0052]
所述薄膜晶体管可以包括源电极和漏电极，
[0053]
所述发光元件的第一电极可以与所述薄膜晶体管的源电极和漏电极中的至少一个电连接。
[0054]
根据一实现例，所述电子装置还可以包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏光层或者其任何组合。
[0055]
在本说明书中，“中间层”是指在所述发光元件中布置在第一电极与第二电极之间的单一层和/或多个层中的所有层的术语。
[0056]
[关于图1的说明]
[0057]
图1示意性地示出了根据本发明的一实现例的发光元件10的剖面图。所述发光元件10包括第一电极110、中间层130以及第二电极150。
[0058]
以下，参照图1说明根据本发明的一实现例的发光元件10的结构和制造方法则如下。
[0059]
[第一电极110]
[0060]
在图1的第一电极110的下部或者第二电极150的上部可以额外布置有基板。可以使用玻璃基板或者塑料基板作为所述基板。或者，所述基板可以是柔性基板，例如，可以包括诸如聚酰亚胺(polyimide)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet：polyethylene terephthalate)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphtalate)、聚芳酯(par：polyarylate)、聚醚酰亚胺(polyetherimide)或者其任意组合等具有优异的耐热性和耐久性的塑料。
[0061]
所述第一电极110例如可以通过在所述基板上部利用沉积法或者溅射法等提供第一电极用物质而形成。在所述第一电极110为阳极的情形下，可以利用易于注入空穴的高功函数的物质作为第一电极用物质。
[0062]
所述第一电极110可以是反射型电极、半透射型电极或者透射型电极。为了形成作为透射型电极的第一电极110，可以利用氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或者其任意组合作为第一电极用物质。或者，为了形成作为半透射型电极或者反射型电极的第一电极110，可以利用镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)或者其任意组合作为第一电极用物质。
[0063]
所述第一电极110可以具有由单一层构成(consist of)的单层结构或者具有包括多个层的多层结构。例如，所述第一电极110可以具有ito/ag/ito的三层结构。
[0064]
[中间层130]
[0065]
在所述第一电极110上部布置有中间层130。所述中间层130包括发光层堆叠体。
[0066]
所述中间层130还可以包括：空穴传输区域(hole transport region)，布置在所述第一电极110与所述发光层堆叠体之间；以及电子传输区域(electron transport region)，布置在所述发光层堆叠体与所述第二电极150之间。
[0067]
除了各种有机物以外，所述中间层130还可以包括诸如有机金属化合物等的含金属化合物、诸如量子点等的无机物等。
[0068]
此外，所述中间层130可以包括：i)依次层叠在所述第一电极110与所述第二电极150之间的两个以上的发光层堆叠体；以及ii)布置在所述两个发光层堆叠体之间的电荷生
成层(charge generation layer)。在所述中间层130包括如上所述的发光层堆叠体以及电荷生成层的情形下，所述发光元件10可以是串式(tandem)发光元件。
[0069]
[中间层130中的空穴传输区域]
[0070]
所述空穴传输区域可以具有：i)单层结构，由利用单一物质构成(consist of)的单一层构成(consist of)；ii)单层结构，由包括多个彼此不同的物质的单一层构成(consist of)；或者iii)多层结构，包括包含多个彼此不同的物质的多个层。
[0071]
所述空穴传输区域可以包括空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、发光辅助层、电子阻挡层(ebl)或者其任意组合。
[0072]
例如，所述空穴传输区域可以具有从第一电极110依次层叠的空穴注入层/空穴传输层、空穴注入层/空穴传输层/发光辅助层、空穴注入层/发光辅助层、空穴传输层/发光辅助层或者空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层的多层结构。
[0073]
所述空穴传输区域可以包括由下述化学式201表示的化合物、由下述化学式202表示的化合物或者其任意组合(any combination thereof)：
[0074]
《化学式201》
[0075][0076]
《化学式202》
[0077][0078]
在所述化学式201以及202中，
[0079]
l
201
至l
204
可以彼此独立地为被至少一个r
10a
取代或未被取代的c
3-c
60
碳环基团或者被至少一个r
10a
取代或未被取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0080]
l
205
为*-o-*’、*-s-*’、*-n(q
201
)-*’、被至少一个r
10a
取代或未被取代的c
1-c
20
亚烷基、被至少一个r
10a
取代或未被取代的c
2-c
20
亚烯基、被至少一个r
10a
取代或未被取代的c
3-c
60
碳环基团或者被至少一个r
10a
取代或未被取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0081]
xa1至xa4彼此独立地为0至5的整数中的一个，
[0082]
xa5是1至10的整数中的一个，
[0083]r201
至r
204
以及q
201
彼此独立地为被至少一个r
10a
取代或未被取代的c
3-c
60
碳环基团或者被至少一个r
10a
取代或未被取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0084]r201
和r
202
可以选择性地(optionally)通过单键、被至少一个r
10a
取代或未被取代的c
1-c5亚烷基或者被至少一个r
10a
取代或未被取代的c
2-c5亚烯基而彼此连接，从而形成被至少一个r
10a
取代或未被取代的c
8-c
60
多环基团(例如，咔唑基团等)(例如，参照下述化合物ht16等)，
[0085]r203
和r
204
可以选择性地(optionally)通过单键、被至少一个r
10a
取代或未被取代的c
1-c5亚烷基或者被至少一个r
10a
取代或未被取代的c
2-c5亚烯基彼此连接，从而形成被至少一个r
10a
取代或未被取代的c
8-c
60
多环基团，na1可以是1至4的整数中的一个。
[0086]
例如，所述化学式201和所述化学式202中的每一个可以包括由下述化学式cy201至cy217表示的组中的至少一个：
[0087][0088]
在所述化学式cy201至cy217中，关于r
10b
以及r
10c
的说明分别参照本说明书中关于r
10a
的说明，环cy
201
至环cy
204
彼此独立地为c
3-c
20
碳环基团或者c
1-c
20
杂环基团，所述化学式cy201至cy217中的至少一个氢可以被如本说明书中记载的r
10a
取代或未被取代。
[0089]
根据一实现例，所述化学式cy201至cy217中的环cy
201
至环cy
204
可以彼此独立地为苯基团、萘基团、菲基团或者蒽基团。
[0090]
根据另一实现例，所述化学式201和所述化学式202中的每一个可以包括由所述化学式cy201至cy203表示的基团中的至少一个。
[0091]
根据又一实现例，所述化学式201可以分别包括由所述化学式cy201至cy203表示的基团中的至少一个以及由所述化学式cy204至cy217表示的基团中的至少一个。
[0092]
根据又一实现例，所述化学式201中的xa1可以是1，r
201
可以是由所述化学式cy201至cy203中的一个表示的基团，xa2可以是0，r
202
可以是由所述化学式cy204至cy207中的一个表示的基团。
[0093]
根据又一实现例，所述化学式201和所述化学式202中的每一个可以不包括由所述化学式cy201至cy203表示的基团。
[0094]
根据又一实现例，所述化学式201和所述化学式202中的每一个可以不包括由所述化学式cy201至cy203表示的基团，并且可以包括由所述化学式cy204至cy217表示的基团中的至少一个。
[0095]
作为又一例，所述化学式201和所述化学式202中的每一个可以不包括由所述化学式cy201至cy217表示的基团。
[0096]
例如，所述空穴传输区域可以包括下述化合物ht1至ht44中的一个、m-mtdata、tdata、2-tnata、npb(npd)、β-npb、tpd、螺-tpd(spiro-tpd)、螺-npb(spiro-npb)、被甲基化的npb、tapc、hmtpd、4,4',4"-三(n-咔唑基)三苯胺(tcta：4,4',4"-tris(n-carbazolyl)triphenylamine)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa：polyaniline/dodecylbenzenesulfonic acid)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss：poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(4-styrenesulfonate))、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa：polyaniline/camphor sulfonic acid)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pani/pss：polyaniline/poly(4-styrenesulfonate))或者其任意组合：
[0097]
[0098]
[0099]
[0100]
[0101][0102]
所述空穴传输区域的厚度可以是大约至大约例如，可以为大约至大约如果所述空穴传输区域包括空穴注入层和空穴传输层或者其任意组合，则所述空穴注入层的厚度可以为大约至大约例如，为大约至大约所述空穴传输层的厚度可以为大约至大约例如，大约至大约在所述空穴传输区域、空穴注入层以及空穴传输层的厚度满足如前所述的范围的情形下，可以在不使驱动电压实质性地上升的情况下得到令人满意的程度的空穴传输特性。
[0103]
所述发光辅助层是起到补偿根据从发光层发出的光的波长的光学共振距离而增加光发出效率的作用的层，所述电子阻挡层是起到防止来自电子传输区域的电子注入的作用的层。所述发光辅助层和电子阻挡层可以包括如上所述的物质。
[0104]
[p-掺杂剂]
[0105]
所述空穴传输区域除了如上所述的物质外，为了提高导电性可以包括电荷生成物质。所述电荷生成物质可以均匀或者不均匀地分散(例如，由电荷生成物质构成(consist of)的单一层形态)在所述空穴传输区域内。
[0106]
所述电荷生成物质例如可以是p-掺杂剂。
[0107]
例如，所述p-掺杂剂的lumo能级可以是-3.5ev以下。
[0108]
根据一实现例，所述p-掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基化合物、含元素el1和元素el2的化合物或者其任意组合。
[0109]
所述醌衍生物的示例可以包括tcnq、f4-tcnq等。
[0110]
所述含氰基化合物的示例可以包括hat-cn、由下述化学式221表示的化合物等。
[0111][0112]
《化学式221》
[0113]
在所述化学式221中，
[0114]r221
至r
223
彼此独立地为被至少一个r
10a
取代或未被取代的c
3-c
60
碳环基团或者被至少一个r
10a
取代或未被取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0115]
所述r
221
至r
223
中的至少一个可以彼此独立地为氰基；-f；-cl；-br；-i；被氰基、-f、-cl、-br、-i或者其任意组合取代的c
1-c
20
烷基；或者被上述物质的任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团或者c
1-c
60
杂环基团。
[0116]
在所述含元素el1和元素el2的化合物中，元素el1可以是金属、准金属或者其组合，元素el2可以是非金属、准金属或者其组合。
[0117]
所述金属的示例可以包括碱金属(例如，锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)、铯(cs)等)；碱土金属(例如，铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)、钡(ba)等)；过渡金属(例如，钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、锰(mn)、锝(tc)、铼(re)、铁(fe)、钌(ru)、锇(os)、钴(co)、铑(rh)、铱(ir)、镍(ni)、钯(pd)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)、金(au)等)；后过渡金属(例如，锌(zn)、铟(in)、锡(sn)等)；镧系金属(例如，镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、铕(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho
)
、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、镥(lu)等)等。
[0118]
所述准金属的示例可以包括硅(si)、锑(sb)、碲(te)等。
[0119]
所述非金属的示例可以包括氧(o)、卤素(例如，f、cl、br、i等)等。
[0120]
例如，所述含元素el1和元素el2的化合物可以包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物、金属碘化物等)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物、准金属碘化物等)、金属碲化物或者其任意组合。
[0121]
所述金属氧化物的示例可以包括钨氧化物(例如，wo、w2o3、wo2、wo3、w2o5等)、钒氧化物(例如，vo、v2o3、vo2、v2o5等)、钼氧化物(moo、mo2o3、moo2、moo3、mo2o5等)、铼氧化物(例如，reo3等)等。
[0122]
所述金属卤化物的示例可以包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物、镧系金属卤化物等。
[0123]
所述碱金属卤化物的示例可以包括lif、naf、kf、rbf、csf、licl、nacl、kcl、rbcl、cscl、libr、nabr、kbr、rbbr、csbr、lii、nai、ki、rbi、csi等。
[0124]
所述碱土金属卤化物的示例可以包括bef2、mgf2、caf2、srf2、baf2、becl2、mgcl2、cacl2、srcl2、bacl2、bebr2、mgbr2、cabr2、srbr2、babr2、bei2、mgi2、cai2、sri2、bai2等。
[0125]
所述过渡金属卤化物的示例可以包括钛卤化物(例如，tif4、ticl4、tibr4、tii4等)、锆卤化物(例如，zrf4、zrcl4、zrbr4、zri4等)、铪卤化物(例如，hff4、hfcl4、hfbr4、hfi4等)、钒卤化物(例如，vf3、vcl3、vbr3、vi3等)、铌卤化物(例如，nbf3、nbcl3、nbbr3、nbi3等)、钽卤化物(例如，taf3、tacl3、tabr3、tai3等)、铬卤化物(例如，crf3、crcl3、crbr3、cri3等)、钼卤化物(例如，mof3、mocl3、mobr3、moi3等)、钨卤化物(例如，wf3、wcl3、wbr3、wi3等)、锰卤化物(例如，mnf2、mncl2、mnbr2、mni2等)、锝卤化物(例如，tcf2、tccl2、tcbr2、tci2等)、铼卤化物(例如，ref2、recl2、rebr2、rei2等)、铁卤化物(例如，fef2、fecl2、febr2、fei2等)、钌卤化物(例如，ruf2、rucl2、rubr2、rui2等)、锇卤化物(例如，osf2、oscl2、osbr2、osi2等)、钴卤化物(例如，cof2、cocl2、cobr2、coi2等)、铑卤化物(例如，rhf2、rhcl2、rhbr2、rhi2等)、铱卤化物(例如，irf2、ircl2、irbr2、iri2等)、镍卤化物(例如，nif2、nicl2、nibr2、nii2等)、钯卤化物(例如，pdf2、pdcl2、pdbr2、pdi2等)、铂卤化物(例如，ptf2、ptcl2、ptbr2、pti2等)、铜卤化物(例如，cuf、cucl、cubr、cui等)、银卤化物(例如，agf、agcl、agbr、agi等)、金卤化物(例如，auf、aucl、aubr、aui等)等。
[0126]
所述后过渡金属卤化物的示例可以包括锌卤化物(例如，znf2、zncl2、znbr2、zni2等)、铟卤化物(例如，ini3等)、锡卤化物(例如，sni2等)等。
[0127]
所述镧系金属卤化物的示例可以包括ybf、ybf2、ybf3、smf3、ybcl、ybcl2、ybcl3、smcl3、ybbr、ybbr2、ybbr3、smbr3、ybi、ybi2、ybi3、smi3等。
[0128]
所述准金属卤化物的示例可以包括锑卤化物(例如，sbcl5等)等。
[0129]
所述金属碲化物的示例可以包括碱金属碲化物(例如，li2te、na2te、k2te、rb2te、cs2te等)、碱土金属碲化物(例如，bete、mgte、cate、srte、bate等)、过渡金属碲化物(例如，tite2、zrte2、hfte2、v2te3、nb2te3、ta2te3、cr2te3、mo2te3、w2te3、mnte、tcte、rete、fete、rute、oste、cote、rhte、irte、nite、pdte、ptte、cu2te、cute、ag2te、agte、au2te等)、后过渡金属碲化物(例如，znte等)、镧系金属碲化物(例如，late、cete、prte、ndte、pmte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute等)等。
[0130]
[中间层130中的发光层堆叠体]
[0131]
如上所述，所述发光层堆叠体可以包括第一发光层和第二发光层，所述第一发光层和第二发光层可以相互连接。所述发光层堆叠体可以发出蓝色光。
[0132]
所述发光层堆叠体的第一发光层和第二发光层分别可以包括主体和掺杂剂。所述掺杂剂可以包括热活性延迟荧光(tadf)掺杂剂。
[0133]
相对于100重量份的主体，所述发光层中的掺杂剂的含量可以是大约0.01至大约15重量份。
[0134]
所述发光层的厚度可以是大约至大约例如，可以为大约至大约在所述发光层的厚度满足如前所述的范围的情形下，可以在不使驱动电压实质性地上升的情况下表现出优秀的发光特性。
[0135]
[发光层中的主体]
[0136]
第一发光层和第二发光层分别包括的第一主体和第二主体如上所述。
[0137]
所述第一主体和第二主体的具体示例如上所述。
[0138]
所述第一主体和第二主体的附加性的具体示例可以包括下述化合物h1至h124中的一个、9,10-二(2-萘基)蒽(adn：9,10-di(2-naphthyl)anthracene)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn：2-methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene)、9,10-二-(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(tbadn：9,10-di-(2-naphthyl)-2-t-butyl-anthracene)、4,4
′‑
双(n-咔唑基)-1,1
′‑
联苯(cbp：4,4
′‑
bis(n-carbazolyl)-1,1
′‑
biphenyl)、1,3-二-9-咔唑基苯(mcp：1,3-di-9-carbazolylbenzene)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tcp：1,3,5-tri(carbazol-9-yl)benzene)或者其任意组合：
[0139]
[0140]
[0141]
[0142]
[0143]
[0144]
chemical vapor deposition)或者分子束外延(mbe，molecular beam epitaxy)等气相沉积法更加容易，并且可以通过低成本的工艺控制量子点颗粒的生长。
[0157]
所述量子点可以包括ii-vi族半导体化合物、iii-v族半导体化合物、iii-vi族半导体化合物、i-iii-vi族半导体化合物、iv-vi族半导体化合物、iv族元素或化合物、或者其任意组合。
[0158]
所述ii-vi族半导体化合物的示例可以包括以下化合物或者其任意组合：二元化合物，诸如cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、mgs等；三元化合物，诸如cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns等；四元化合物，诸如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste等。
[0159]
所述iii-v族半导体化合物的示例可以包括以下化合物或者其任意组合：二元化合物，诸如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb等；三元化合物，诸如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas、inpsb等；四元化合物，诸如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb等。另外，所述iii-v族半导体化合物可以进一步包括ii族元素。进一步包括ii族元素的iii-v族半导体化合物的示例可以包括inznp、ingaznp、inalznp等。
[0160]
所述iii-vi族半导体化合物的示例可以包括以下化合物或者其任意组合：二元化合物，诸如gas、gase、ga2se3、gate、ins、in2s3、inse、in2se3、inte等；三元化合物，诸如ingas3、ingase3等。
[0161]
所述i-iii-vi族半导体化合物的示例可以包括以下化合物或者其任意组合：三元化合物，诸如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2、agalo2等。
[0162]
所述iv-vi族半导体化合物的示例可以包括以下化合物或者其任意组合：二元化合物，诸如sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte等；三元化合物，诸如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte等；四元化合物，诸如snpbsse、snpbsete、snpbste等。
[0163]
所述iv族元素或者化合物可以包括以下化合物或者其任意组合：诸如si、ge等单一元素；诸如sic、sige等二元化合物。
[0164]
包括于诸如所述二元化合物、三元化合物以及四元化合物等的多元化合物的各个元素可以以均一的浓度或者不均一的浓度存在于颗粒内。
[0165]
此外，所述量子点可以具有包括于该量子点的各个元素的浓度均一的单一结构或者核-壳的双重结构。例如，所述核包括的物质和所述壳包括的物质可以彼此不同。
[0166]
所述量子点的壳可以起到防止所述核的化学变性而用于维持半导体特性的保护层作用和/或用于对量子点赋予电泳特性的充电层(charging layer)的作用。所述壳可以为单层或者多层。核和壳的界面可以具有存在于壳的元素的浓度越靠近中心越低的浓度梯度(gradient)。
[0167]
所述量子点的壳的示例可以有金属或者非金属的氧化物、半导体化合物或者其组合等。所述金属或者非金属的氧化物的示例可以包括以下化合物或者其任意组合：二元化合物，诸如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4、nio等；
三元化合物，诸如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4、comn2o4等。所述半导体化合物的示例可以包括如本说明书中记载的ii-vi族半导体化合物、iii-v族半导体化合物、iii-vi族半导体化合物、i-iii-vi族半导体化合物、iv-vi族半导体化合物或者其任意组合。例如，所述半导体化合物可以包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb或者其任意组合。
[0168]
量子点可以具有大约45nm以下，具体为大约40nm以下，更加具体为大约30nm以下的发光波长光谱的半宽度(fwhm：full width of half maximum)，在此范围内可以提高颜色纯度或者颜色再现性。并且，通过这样的量子点发出的光向全方位发射，因此可以提高光学视角。
[0169]
并且，具体地，量子点的形态可以是球型、金字塔型、多分支型(multi-arm)或者立方体(cubic)的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米板状颗粒等的形态。
[0170]
由于可以通过调节所述量子点的尺寸而调节能带间隙，因此可以从量子点发光层获得多种波段的光。据此，可以通过使用彼此不同的尺寸的量子点而实现发出多种波长的光的发光元件。具体地，所述量子点的尺寸可以以发出红色光、绿色光和/或蓝色光的方式进行选择。并且，所述量子点的尺寸可以以使多种颜色的光结合而发出白色光的方式构成。
[0171]
[中间层130中的电子传输区域]
[0172]
所述电子传输区域可以具有：i)单层结构，由利用单一物质构成(consist of)的单一层构成(consist of)；ii)单层结构，由包括多个彼此不同的物质的单一层构成(consist of)；或者iii)多层结构，包括包含多个彼此不同的物质的多个层。
[0173]
所述电子传输区域可以包括空穴阻挡层、电子传输层(etl)、电子注入层或者其任意组合。
[0174]
例如，所述电子传输区域可以具有从发光层依次层叠的电子传输层/电子注入层或者空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层等的结构。
[0175]
所述电子传输区域(例如，所述电子传输区域中的空穴阻挡层或者电子传输层)可以包含包括至少一个贫π电子的含氮c
1-c
60
环基团(πelectron-deficient nitrogen-containing c
1-c
60 cyclic group)的非含金属(metal-free)化合物。
[0176]
例如，所述电子传输区域可以包括由下述化学式601表示的化合物。
[0177]
《化学式601》
[0178]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
[0179]
在所述化学式601中，
[0180]
ar
601
以及l
601
彼此独立地为被至少一个r
10a
取代或未被取代的c
3-c
60
碳环基团或者被至少一个r
10a
取代或未被取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0181]
xe11为1、2或者3，
[0182]
xe1为0、1、2、3、4或者5，
[0183]r601
为被至少一个r
10a
取代或未被取代的c
3-c
60
碳环基团、被至少一个r
10a
取代或未被取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(＝o)(q
601
)、-s(＝o)2(q
601
)或者-p(＝o)(q
601
)(q
602
)，
[0184]
关于所述q
601
至q
603
的说明分别参照本说明书中关于q
11
的说明，
[0185]
xe21为1、2、3、4或者5，
[0186]
所述ar
601
、l
601
以及r
601
中的至少一个可以彼此独立地为被至少一个r
10a
取代或未被取代的贫π电子的含氮c
1-c
60
环基团。
[0187]
例如，所述化学式601中，在xe11为2以上的情形下，两个以上的ar
601
可以通过单键而彼此连接。
[0188]
作为另一例，所述化学式601中，ar
601
可以是被取代或未被取代的蒽基团。
[0189]
作为又一例，所述电子传输区域可以包括由下述化学式601-1表示的化合物：
[0190]
《化学式601-1》
[0191][0192]
在所述化学式601-1中，
[0193]
x
614
为n或c(r
614
)，x
615
为n或c(r
615
)，x
616
为n或c(r
616
)，并且x
614
至x
616
中的至少一个是n，
[0194]
关于l
611
至l
613
的说明分别参照关于所述l
601
的说明，
[0195]
关于xe611至xe613的说明分别参照关于所述xe1的说明，
[0196]
关于r
611
至r
613
的说明分别参照关于所述r
601
的说明，
[0197]r614
至r
616
可以彼此独立地为氢、重氢、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、被至少一个r
10a
取代或未被取代的c
3-c
60
碳环基团或者被至少一个r
10a
取代或未被取代的c
1-c
60
杂环基团。
[0198]
例如，在所述化学式601和化学式601-1中，xe1和xe611至xe613可以彼此独立地为0、1或者2。
[0199]
所述电子传输区域可以包括下述化合物et1至et45中的一个、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp：2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen：4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)、alq3、balq、taz、ntaz或者其的任意组合：
[0200]
[0201]
[0202][0203]
所述电子传输区域的厚度可以为大约至大约例如，可以为大约至大约在所述电子传输区域包括空穴阻挡层、电子传输层或者其任意组合的情形下，空穴阻挡层或电子传输层的厚度可以彼此独立地为大约至大约例如，可以为大约至大约所述电子传输层的厚度可以为大约至大约例如，可以为大约至大约在所述空穴阻挡层和/或电子传输层的厚度满足如上所述的范围的情形下，可以在不使驱动电压实质性地上升的情况下获得令人满意的电子传输特性。
[0204]
所述电子传输区域(例如，所述电子传输区域中的电子传输层)除了如上所述的物质之外还可以包括含金属物质。
[0205]
所述含金属物质可以包括碱金属配合物、碱土金属配合物或者其任意组合。所述碱金属配合物的金属离子可以是li离子、na离子、k离子、rb离子或者cs离子，所述碱土金属配合物的金属离子可以是be离子、mg离子、ca离子、sr离子或者ba离子。与所述碱金属配合物和碱土金属配合物的金属离子配位的配体可以彼此独立地包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或者其任意组合。
[0206]
例如，所述含金属物质可以包括li配合物。所述li配合物例如可以包括下述化合物et-d1(liq)或et-d2：
[0207][0208]
所述电子传输区域可以包括使来自第二电极150的电子注入变得容易的电子注入层。所述电子注入层可以与所述第二电极150直接(directly)接触。
[0209]
所述电子注入层可以具有：i)单层结构，由利用单一物质构成(consist of)的单一层构成(consist of)；ii)单层结构，由包括多个彼此不同的物质的单一层构成(consist of)；或者iii)多层结构，包括包含多个彼此不同的物质的多个层。
[0210]
所述电子注入层可以包括碱金属、碱土金属、稀土类金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土类金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土类金属配合物或者其任意组合。
[0211]
所述碱金属可以包括li、na、k、rb、cs或者其任意组合。所述碱土金属可以包括mg、ca、sr、ba或者其任意组合。所述稀土类金属可以包括sc、y、ce、tb、yb、gd或者其任意组合。
[0212]
所述含碱金属化合物、含碱土金属化合物以及所述含稀土类金属化合物可以包括所述碱金属、所述碱土金属以及稀土类金属中的每一个的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物等)、碲化物或者其任意组合。
[0213]
所述含碱金属化合物可以包括以下化合物或者其任意组合：碱金属氧化物，诸如li2o、cs2o、k2o等；碱金属卤化物，诸如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi、ki等。所述含碱土金属化合物可以包括诸如bao、sro、cao、ba
x
sr
1-x
o(x是满足0《x《1的实数)、ba
x
ca
1-x
o(x是满足0《x《1的实数)等碱土金属化合物。所述含稀土类金属化合物可以包括ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3、tbf3、ybi3、sci3、tbi3或者其任意组合。或者，所述含稀土类金属化合物可以包括镧系金属碲化物。所述镧系金属碲化物的示例可以包括late、cete、prte、ndte、pmte、smte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute、la2te3、ce2te3、pr2te3、nd2te3、pm2te3、sm2te3、eu2te3、gd2te3、tb2te3、dy2te3、ho2te3、er2te3、tm2te3、yb2te3、lu2te3等。
[0214]
所述碱金属配合物、碱土金属配合物以及稀土类金属配合物可以包括：i)如上所述的碱金属、碱土金属和稀土类金属的离子中的一个；以及ii)与所述金属离子结合的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或者其任意组合。
[0215]
所述电子注入层可以仅由如上所述的碱金属、碱土金属、稀土类金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土类金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土类金属配合物或者其任意组合构成，或者还可以包括有机物(例如，由所述化学式601表示的化合物)。
[0216]
根据一实现例，所述电子注入层可以i)由含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)构成(consist of)，或者ii)由a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；以及b)碱金属、碱
土金属、稀土类金属或者其任意组合构成。例如，所述电子注入层可以是ki:yb共沉积层、rbi:yb共沉积层等。
[0217]
在所述电子注入层还包括有机物的情形下，所述碱金属、碱土金属、稀土类金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土类金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土类金属配合物或者其任意组合可以均匀地或非均匀地分散在包括所述有机物的基质。
[0218]
所述电子注入层的厚度可以为大约至大约例如，可以为大约至大约在所述电子注入层的厚度满足前述范围的情形下，可以在不使驱动电压实质性地上升的情况下获得令人满意的电子注入特性。
[0219]
[第二电极150]
[0220]
在如上所述的中间层130上部布置有第二电极150。所述第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极(cathode)，此时，可以使用具有低的功函数的金属、合金、导电性化合物或者其任意组合作为所述第二电极150用物质。
[0221]
所述第二电极150可以包括锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito、izo或者其任意组合。所述第二电极150可以为透射型电极、半透射型电极或者反射型电极。
[0222]
所述第二电极150可以具有作为单一层的单层结构或者具有多个层的多层结构。
[0223]
[封盖层]
[0224]
在第一电极110的外侧可以布置有第一封盖层，且/或者在第二电极150外层可以布置有第二封盖层。具体地，所述发光元件10可以具有：第一封盖层、第一电极110、中间层130以及第二电极150依次层叠的结构；第一电极110、中间层130、第二电极150以及第二封盖层依次层叠的结构；或者第一封盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150以及第二封盖层依次层叠的结构。
[0225]
发光元件10的中间层130中从发光层生成的光可以经过作为半透射型电极或者透射型电极的第一电极110以及第一封盖层而被提取到外部，发光元件10的中间层130中从发光层生成的光可以经过作为半透射型电极或者透射型电极的第二电极150及第二封盖层而被提取到外部。
[0226]
所述第一封盖层以及第二封盖层可以根据相长干涉的原理而起到提高外部发光效率的作用。因此可以提高所述发光元件10的光提取效率，从而提高所述发光元件10的发光效率。
[0227]
所述第一封盖层以及第二封盖层可以分别包括具有1.6以上的折射率(在589nm)的物质。
[0228]
所述第一封盖层和第二封盖层可以彼此独立地为包括有机物的有机封盖层、包括无机物的无机封盖层或者包括有机物和无机物的复合封盖层。
[0229]
所述第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可以彼此独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基团化合物、卟吩衍生物(porphine derivatives)、酞菁衍生物(phthalocyanine derivatives)、萘酞菁衍生物(naphthalocyanine derivatives)、碱金属配合物、碱土金属配合物或者其任意组合。所述碳环化合物、杂环化合物以及含胺基团化
合物可以选择性地被包括o、n、s、se、si、f、cl、br、i或者其任意组合的取代基取代。根据一实现例，所述第一封盖层以及第二封盖层中的至少一个可以彼此独立地包括含胺基团化合物。
[0230]
例如，所述第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可以彼此独立地包括由所述化学式201表示的化合物、由所述化学式202表示的化合物或者其任意组合。
[0231]
根据又一实现例，所述第一覆盖层和所述第二覆盖层中的至少一个可以彼此独立地包括所述化合物ht28至ht33中的一个、下述化合物cp1至cp6中的一个、β-npb或者其任意化合物：
[0232][0233]
[电子装置]
[0234]
所述发光元件可以包括于各种电子装置。例如，包括所述发光元件的电子装置可以是发光装置、认证装置等。
[0235]
所述电子装置(例如，发光装置)除了所述发光元件以外还可以包括i)滤色器、ii)颜色转换层或者iii)滤色器和颜色转换层。所述滤色器和/或颜色转换层可以布置在从发光元件发出的光的至少一个行进方向上。例如，从所述发光元件发出的光可以是蓝色光。针对所述发光元件的说明参照上述内容。根据一实现例，所述颜色转换层可以包括量子点。所述量子点例如可以是如本说明书中记载的量子点。
[0236]
所述电子装置可以包括第一基板。所述第一基板可以包括多个子像素区域，所述
滤色器可以包括与所述多个子像素区域中的每一个对应的多个滤色器区域，所述颜色转换层可以包括与所述多个子像素区域中的每一个对应的多个颜色转换区域。
[0237]
像素限定膜布置在所述多个子像素区域之间而限定每个子像素区域。
[0238]
所述滤色器还可以包括多个滤色器区域以及布置在多个滤色器区域之间的遮光图案，所述颜色转换层还可以包括多个颜色转换区域以及布置在多个颜色转换区域之间的遮光图案。
[0239]
所述多个滤色器区域(或者多个颜色转换区域)包括：第一区域，发出第一色光；第二区域，发出第二色光；和/或第三区域，发出第三色光，其中，所述第一色光、所述第二色光和/或所述第三色光可以具有彼此不同的最大发光波长。例如，所述第一色光可以是红色光，所述第二色光可以是绿色光，所述第三色光可以是蓝色光。例如，所述多个滤色器区域(或者多个颜色转换区域)可以包括量子点。具体地，所述第一区域可以包括红色量子点，所述第二区域可以包括绿色量子点，所述第三区域可以不包括量子点。针对量子点的说明参照本说明书中记载的内容。所述第一区域、所述第二区域和/或所述第三区域分别还可以包括散射体。
[0240]
例如，所述发光元件可以发出第一光，所述第一区域可以吸收所述第一光而发出第1-1色光，所述第二区域可以吸收所述第一光而发出第2-1色光，所述第三区域可以吸收所述第一光而发出第3-1色光。此时，所述第1-1色光、所述第2-1色光以及所述第3-1色光可以具有彼此不同的最大发光波长。具体地，所述第一光可以是蓝色光，所述第1-1色光可以是红色光，所述第2-1色光可以是绿色光，所述第3-1色光可以是蓝色光。
[0241]
所述电子装置除了如上所述的发光元件以外还可以包括薄膜晶体管。所述薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极以及活性层，所述源电极和所述漏电极中的任意一个可以电连接到所述发光元件的第一电极和第二电极中的任意一个。
[0242]
所述薄膜晶体管还可以包括栅电极、栅极绝缘膜等。
[0243]
所述活性层可以包括晶体硅、非晶硅、有机半导体、氧化物半导体等。
[0244]
所述电子装置还可以包括密封发光元件的密封部。所述密封部可以布置在所述滤色器和/或颜色转换层与所述发光元件之间。所述密封部使来自所述发光元件的光能够被提取到外部的同时阻断外部气体及水分渗透到所述发光元件。所述密封部可以是包括透明玻璃基板或者塑料基板的密封基板。所述密封部可以是包括一层以上的有机层和/或无机层的薄膜封装层。在所述密封部为薄膜封装层的情形下，所述电子装置可以是柔性的。
[0245]
在所述密封部上，除了所述滤色器和/或颜色转换层以外，还可以根据所述电子装置的用途而额外布置有多种功能层。所述功能层的示例可以包括触摸屏层、偏光层等。所述触摸屏层可以是压敏式触摸屏层、电容式触摸屏层或者红外线式触摸屏层。所述认证装置例如可以是利用生物体(例如，指尖、瞳孔等)的生物体信息认证个人的生物体认证装置。
[0246]
所述认证装置除了如上所述的发光元件以外还可以包括生物信息收集单元。
[0247]
所述电子装置可以应用为各种显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动型个人计算机)、便携电话、数码相机、电子记事本、电子词典、电子游戏机、医疗设备(例如，电子体温计、血压计、血糖计、脉搏测量装置、脉动波测量装置、心电图显示设备、超声诊断装置、内视镜用显示装置)、鱼群探测器、各种测量设备、仪表类(例如，车辆、飞机、船舶的仪表类)、投影仪等。
[0248]
[针对图2及图3的说明]
[0249]
图2是根据本发明的一实现例的发光装置的剖面图。
[0250]
图2的发光装置包括基板100、薄膜晶体管(tft)、发光元件以及密封发光元件的封装部300。
[0251]
所述基板100可以是柔性基板、玻璃基板或者金属基板。在所述基板100上可以布置有缓冲层210。所述缓冲层210可以防止杂质通过基板100渗透，并且可以起到在基板100的上部提供平坦的表面的作用。
[0252]
在所述缓冲层210上可以布置有薄膜晶体管(tft)。所述薄膜晶体管(tft)可以包括活性层220、栅电极240、源电极260以及漏电极270。
[0253]
所述活性层220可以包括诸如硅或者多晶硅等的无机半导体、有机半导体或者氧化物半导体，并且包括源极区域、漏极区域以及沟道区域。
[0254]
在所述活性层220的上部可以布置有用于使活性层220与栅电极240绝缘的栅极绝缘膜230，在栅极绝缘膜230上部可以布置有栅电极240。
[0255]
在所述栅电极240的上部可以布置有层间绝缘膜250。所述层间绝缘膜250布置在栅电极240与源电极260之间以及栅电极240与漏电极270之间，从而起到使它们绝缘的作用。
[0256]
在所述层间绝缘膜250上可以布置有源电极260和漏电极270。层间绝缘膜250和栅极绝缘膜230可以形成为暴露活性层220的源极区域和漏极区域，并且源电极260和漏电极270可以布置为与这种活性层220的暴露的源极区域和漏极区域接触。
[0257]
这种薄膜晶体管(tft)可以电连接于发光元件而驱动发光元件，并且被钝化层280覆盖而受到保护。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或者其组合。在钝化层280上配备有发光元件。所述发光元件包括第一电极110、中间层130以及第二电极150。
[0258]
所述第一电极110可以布置在钝化层280上。钝化层280可以布置为暴露漏电极270的预定区域而不覆盖整个漏电极270，并且第一电极110可以布置为与暴露的漏电极270连接。
[0259]
在所述第一电极110上可以布置有包括绝缘物的像素限定膜290。像素限定膜290可以暴露第一电极110的预定区域，在暴露的区域可以形成有中间层130。像素限定膜290可以是聚酰亚胺系或者聚丙烯酸系的有机膜。虽然未在图2示出，但中间层130中的一部分以上的层可以延伸到像素限定膜290的上部而布置为公共层的形态。
[0260]
在所述中间层130上可以布置有第二电极150，并且在第二电极150上可以额外形成有封盖层170。封盖层170可以形成为覆盖第二电极150。
[0261]
在所述封盖层170上可以布置有封装部300。封装部300可以布置在发光元件上而起到使发光元件免受水分或者氧气的影响的作用。封装部300可以包括：无机膜，包括硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、铟锡氧化物、铟锌氧化物或者其任意组合；有机膜，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸系树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、环氧系树脂(例如，脂肪烃缩水甘油醚(age：aliphatic glycidyl ether)等)或者其任意组合；或者无机膜和有机膜的组合。
[0262]
图3是根据本发明的另一实现例的发光装置的剖面图。
[0263]
除了在封装部300上部额外布置有遮光图案500以及功能性区域400这一点以外，图3的发光装置是与图2的发光装置相同的发光装置。所述功能性区域400可以是i)滤色器区域、ii)颜色转换区域、或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。根据一实现例，包括于图3的发光装置的发光元件可以是串式发光元件。
[0264]
[制造方法]
[0265]
包括于所述空穴传输区域的各层、发光层以及包括于电子传输区域的各层分别可以利用真空沉积法、旋涂法、铸造法、朗缪尔-布洛节塔(lb：langmuir-blodgett)法、喷墨印刷法、激光印刷法、激光热转印法(liti：laser induced thermal imaging)等多种方法而形成在预定区域。
[0266]
在通过真空沉积法而分别形成包括于所述空穴传输区域的各层、发光层以及包括于电子传输区域的各层的情形下，沉积条件可以在大约100℃至大约500℃的沉积温度，且大约10-8
托至10-3
托的真空度以及大约至大约的沉积速度范围内，考虑待包括于希望形成的层的材料以及希望形成的层的结构而选择。
[0267]
在通过旋涂法而分别形成包括于所述空穴传输区域的各层、发光层以及包括于电子传输区域的各层的情形下，涂覆条件可以在例如大约2000rpm至大约5000rpm的涂覆速度以及大约80℃至200℃的热处理温度范围内，考虑待包括于希望形成的层的材料以及希望形成的层的结构而选择。
[0268]
[取代基的一般性定义]
[0269]
本说明书中，c
3-c
60
碳环基团表示仅利用碳构成的碳原子数为3至60的环基团，c
1-c
60
杂环基团表示除了碳以外，还包括杂原子的碳原子数为1至60的环基团。所述c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团分别可以是由一个环构成的单环基团或者两个以上的环彼此缩合的多环基团。例如，所述c
1-c
60
杂环基团的成环原子数可以是1至60。
[0270]
本说明书中，环基团包括所述c
3-c
60
碳环基团以及c
1-c
60
杂环基团两者。
[0271]
本说明书中，富π电子的c
3-c
60
环基团(πelectron-rich c
3-c
60 cyclic group)表示不包括*-n＝*’的碳原子数为3至60的环基团作为成环部分，贫π电子的含氮c
1-c
60
环基团(πelectron-deficient nitrogen-containing c
1-c
60 cyclic group)表示包括*-n＝*’的碳原子数为1至60的杂环基团作为成环部分。
[0272]
例如，
[0273]
所述c
3-c
60
碳环基团可以是：i)基团t1；或者ii)两个以上的基团t1彼此缩合的缩合环基团(例如，环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、戊烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、基团、苝基团、戊芬基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蒄基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或者茚并蒽基团)，
[0274]c1-c
60
杂环基团可以为：i)基团t2；ii)两个以上的基团t2彼此缩合的缩合环基团；或者iii)一个以上的基团t2和一个以上的基团t1彼此缩合的缩合环基团(例如，吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑
基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二并苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
[0275]
所述富π电子的c
3-c
60
环基团可以为：i)基团t1；ii)两个以上的基团t1彼此缩合的缩合环基团；iii)基团t3；iv)两个以上的基团t3彼此缩合的缩合环基团；或者v)一个以上的基团t3和一个以上的基团t1彼此缩合的缩合环基团(例如，所述c
3-c
60
碳环基团、吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二并苯并噻吩基团等)，
[0276]
所述贫π电子的含氮c
1-c
60
环基团可以为：i)基团t4；ii)两个以上的基团t4彼此缩合的缩合环基团；iii)一个以上的基团t4和一个以上的基团t1彼此缩合的缩合环基团；iv)一个以上的基团t4和一个以上的基团t3彼此缩合的缩合环基团；或者v)一个以上的基团t4、一个以上的基团t1以及一个以上的基团t3彼此缩合的缩合环基团(例如，吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
[0277]
所述基团t1是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷(adamantane)基团，降冰片烷(norbornane)(或者，双环[2.2.1]庚烷(bicyclo[2.2.1]heptane))基团、降冰片烯(norbornene)基团、双环[1.1.1]戊烷(bicyclo[1.1.1]pentane)基团、双环[2.1.1]己烷(bicyclo[2.1.1]hexane)、双环[2.2.2]辛烷基团或者苯基团，
[0278]
所述基团t2是呋喃基团、噻吩基团、1h-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯(borole)基团、2h-吡咯基团、3h-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑(isoxazole)基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂嘧啶
oxatriazolidinyl)、四氢呋喃基(tetrahydrofuranyl)和四氢噻吩基等。本说明书中，c
1-c
10
亚杂环烷基表示与所述c
1-c
10
杂环烷基具有相同结构的二价基团。
[0289]
本说明书中，c
3-c
10
环烯基为碳原子数为3至10的单价环基团，其表示在环内具有至少一个碳-碳双键，但不具有芳香族性(aromaticity)的基团，其具体示例包括环戊烯基、环己烯基以及环庚烯基等。本说明书中c
3-c
10
亚环烯基表示与所述c
3-c
10
环烯基具有相同结构的二价基团。
[0290]
本说明书中，c
1-c
10
杂环烯基表示除了碳原子之外，还包括至少一个杂原子作为成环原子的碳原子数为1至10的单价环基团，在环内具有至少一个双键。所述c
1-c
10
杂环烯基的具体示例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基等。本说明书中，c
1-c
10
亚杂环烯基表示与所述c
1-c
10
杂环烯基具有相同结构的二价基团。
[0291]
本说明书中，c
6-c
60
芳基表示具有碳原子数为6至60的碳环芳香体系的单价(monovalent)基团，c
6-c
60
亚芳基表示具有碳原子数为6至60的碳环芳香体系的二价(divalent)基团。所述c
6-c
60
芳基的具体示例包括苯基、并环戊二烯基、萘基、甘菊环基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基、卵苯基等。在所述c
6-c
60
芳基和c
6-c
60
亚芳基包括两个以上的环的情形下，所述两个以上的环可以彼此缩合。
[0292]
本说明书中，c
1-c
60
杂芳基表示除了碳原子以外，还包括至少一个杂原子作为成环原子且具有碳原子数为1至60的杂环芳香体系的单价基团，c
1-c
60
亚杂芳基表示除了碳原子以外，还包括至少一个杂原子作为成环原子且具有碳原子数为1至60的杂环芳香体系的二价基团。所述c
1-c
60
杂芳基的具体示例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基、萘啶基等。在所述c
1-c
60
杂芳基和c
1-c
60
亚杂芳基包括两个以上的环的情形下，两个以上的环可以彼此缩合。
[0293]
本说明书中，单价非芳香缩合多环基团(non-aromatic condensed polycyclic group)表示两个以上的环彼此缩合，且作为成环原子仅包括碳原子，且整个分子具有非芳香性(non-aromaticity)的单价基团(例如，具有8至60的碳原子数)。所述单价非芳香缩合多环基团的具体示例包括茚基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、茚并菲基、茚并蒽基等。本说明书中，二价非芳香缩合多环基团表示具有与所述单价非芳香缩合多环基团具有相同结构的二价基团。
[0294]
本说明书中，单价非芳香缩合杂多环基团(non-aromatic condensed heteropolycyclic group)表示两个以上的环彼此缩合，并且除了碳原子以外还包括至少一个杂原子作为成环原子，且整个分子具有非芳香性的单价基团(例如，具有1至60的碳原子数)。所述单价非芳香缩合杂多环基团的具体示例包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑
基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二并苯并噻吩基等。本说明书中，二价非芳香缩合杂多环基团表示与所述单价非芳香缩合杂多环基团具有相同结构的二价基团。
[0295]
本说明书中，c
6-c
60
芳氧基表示-oa
102
(其中，a
102
为所述c
6-c
60
芳基)，所述c
6-c
60
芳硫基(arylthio)表示-sa
103
(其中，a
103
为所述c
6-c
60
芳基)。
[0296]
本说明书中，“r
10a”可以为：
[0297]
重氢(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或者硝基；
[0298]
被重氢、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或者上述基团的任意组合取代或未被取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或者c
1-c
60
烷氧基；
[0299]
被重氢、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或者上述基团的任意组合取代或未被取代的c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基或者c
6-c
60
芳硫基；或者
[0300]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)、或者-p(＝o)(q
31
)(q
32
)。
[0301]
本说明书中，q
11
至q
13
、q
21
至q
23
以及q
31
至q
33
可以彼此独立地为氢；重氢；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；或者被重氢、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基，联苯基或者其任意组合取代或未被取代的c
3-c
60
碳环基团或者c
1-c
60
杂环基团。
[0302]
本说明书中的杂原子表示除了碳原子以外的任意原子。所述杂原子的示例包括o、s、n、p、si、b、ge、se或者其任意组合。
[0303]
本说明书中，“ph”表示苯基，“me”表示甲基，“et”表示乙基、“tert-bu”或者“bu
t”表示叔丁基，“ome”表示甲氧基。
[0304]
本说明书中，“联苯基”表示“被苯基取代的苯基”。所述“联苯基”属于取代基为“c
6-c
60
芳基”的“被取代的苯基”。
[0305]
本说明书中，“三联苯基”表示“被联苯基取代的苯基”。所述“三联苯基”属于取代基为“被c
6-c
60
芳基取代的c
6-c
60
芳基”的“被取代的苯基”。
[0306]
本说明书中，除非另外定义，否则*和*’表示在对应的化学式中与相邻原子的结合位。
[0307]
以下，例举实施例而更加具体地说明根据本发明的一实现例的化合物和发光元件。
[0308]
[实施例]
[0309]
发光元件的制造
[0310]
比较例1
[0311]
将ito(阳极)按50mm
×
50mm
×
0.7mm的尺寸切割，并在
利用异丙醇和纯水分别超声波清洗5分钟后，照射30分钟紫外线，暴露于臭氧进行清洗，并将经过了如上所述的处理的基板设置于真空沉积装置。
[0312]
在所述基板上部，以厚度真空沉积了hat-cn而作为空穴注入层。接下来，以厚度真空沉积作为空穴传输性化合物的npb而形成了空穴传输层。
[0313]
在所述空穴传输层上部将主体-1作为主体，将一般荧光化合物100(即，下述的化合物100)作为掺杂剂而以97：3的重量比同时沉积，从而形成了厚度的单一发光层。
[0314]
在发光层上，将tpm-taz和liq以5：5的重量比和的厚度沉积而形成了电子传输层。
[0315]
在所述电子传输层上部将yb真空沉积为接着将agmg真空沉积为而形成阴极，并通过沉积cpl形成厚度的封盖层，由此制造了有机发光元件。
[0316]
实施例1
[0317]
除了在形成发光层时使用主体-1，并用热活性延迟荧光化合物200(即，下述的化合物200)(波长：450nm，半宽度：22nm)替代一般荧光化合物100用作掺杂剂而形成了厚度(第一发光层)，且在所述第一发光层上使用作为主体的主体-2和热活性延迟荧光化合物300(即，下述的化合物300)(波长：470nm，半宽度：32nm)而形成厚度的第二发光层以外，以与比较例1相同的方式制造了发光元件。
[0318]
实施例2
[0319]
将ito(阳极)按50mm
×
50mm
×
0.7mm的尺寸切割，并在利用异丙醇和纯水分别超声波清洗5分钟后，照射30分钟紫外线，暴露于臭氧进行清洗，并将经过了如上所述的处理的基板设置于真空沉积装置。
[0320]
在所述基板上部以厚度真空沉积了hat-cn而作为空穴注入层。接下来，以厚度真空沉积作为空穴传输性化合物的npb而形成了空穴传输层。
[0321]
在所述空穴传输层上部将主体-1作为主体，将热活性延迟荧光化合物200(波长：450nm，半宽度：22nm)作为掺杂剂而以97：3的重量比同时沉积，从而形成了厚度的第一发光层。接下来，将主体-2作为主体，将热活性延迟荧光化合物300(波长：470nm，半宽度：32nm)作为掺杂剂而以97：3的重量比同时沉积，从而形成了厚度的第二发光层。
[0322]
在第二发光层上将tpm-taz和liq以5：5的重量比和的厚度沉积而形成了电子传输层。
[0323]
在电子传输层上部将bcp和li以98.5：1.5的体积比进行共沉积而形成厚度为的n型电荷生成层，并且通过在所述n型电荷生成层上以的厚度沉积hat-cn而形成p型电荷生成层，
[0324]
在所述p型电荷生成层上以厚度真空沉积作为空穴传输性化合物的npb而形成了空穴传输层。
[0325]
在所述空穴传输层上部将主体-1作为主体，将热活性延迟荧光化合物200(波长：450nm，半宽度：22nm)作为掺杂剂而以97：3的重量比同时沉积，从而形成了厚度的第三发光层。接下来，将主体-2作为主体，将热活性延迟荧光化合物300(波长：470nm，半宽度：32nm)作为掺杂剂而以97：3的重量比同时沉积，从而形成了厚度的第四发光层。
[0326]
在第四发光层上将tpm-taz和liq以5：5的重量比和的厚度沉积而形成了电子传输层。
[0327]
在所述电子传输层上部将yb真空沉积为接着将agmg真空沉积为而形成阴极，并通过沉积cpl形成厚度的封盖层，由此制造了发光层堆叠体为两个的串联型有机发光元件。
[0328]
[0329][0330]
为了评价在比较例1、实施例1、实施例2制造的发光元件的特性，测量了在电流密度为10ma/cm2时的驱动电压、效率、寿命等。
[0331]
使用源表(吉时利仪器公司，2400系列)测量了发光元件的驱动电压和电流密度，并使用滨松光子株式会社的测量装置c9920-2-12测量了效率。
[0332]
【表1】
[0333]
[0334][0335]
从上述表1可以确认，与比较例1的发光元件相比，实施例1和实施例2的发光元件表现出效率和寿命均优异的结果。