具有强化存取暨回复架构的动态随机存取存储器的制作方法

技术特征：
1.一种动态随机存取存储器，其特征在于包含∶一第一维持电压源，用于产生一第一电压，其中所述第一电压高于应用在所述动态随机存取存储器中一高电平信号的电压；及一动态随机存取存储器单元，包含一存取晶体管和一储存电容；其中所述第一电压至少于所述存取晶体管进行关闭的期间，被储存在所述动态随机存取存储器单元。2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于另包含∶一字线，耦接于所述存取晶体管的栅极，其中所述字线于一第一时间区间与一第二时间区间被选择以开启所述存取晶体管，且所述第二时间区间位于所述第一时间区间之后，以及在所述第二时间区间中所述第一电压被储存在所述动态随机存取存储器单元。3.如权利要求2所述的动态随机存取存储器，其特征在于所述动态随机存取存储器单元在所述第一时间区间是可被存取的。4.如权利要求2所述的动态随机存取存储器，其特征在于另包含∶一传感放大器，通过一位线电连接所述动态随机存取存储器单元，其中所述第一维持电压源在所述第二时间区间连接于所述传感放大器，以及所述第一电压通过所述传感放大器和所述位线提供给所述动态随机存取存储器单元。5.如权利要求4所述的动态随机存取存储器，其特征在于另包含∶一电压源，在所述第一时间区间连接于所述传感放大器，以及在所述第二时间区间与所述传感放大器断开，其中所述电压源所提供的供电电压等于所述高电平信号的电压。6.一种动态随机存取存储器，其特征在于包含∶一动态随机存取存储器单元，包含一存取晶体管和一储存电容；一传感放大器，通过一位线电连接所述动态随机存取存储器单元；及一第一维持电压源及/或一第二维持电压源，选择性地耦接于所述传感放大器；其中所述第一维持电压源产生一第一电压以及所述第二维持电压源产生一第二电压，其中所述第一电压高于应用在所述动态随机存取存储器中一高电平信号的电压，以及所述第二电压低于应用在所述动态随机存取存储器中一低电平信号的电压，其中所述第一电压及/或所述第二电压于一数据存取命令执行后加诸于所述动态随机存取存储器单元。7.如权利要求6所述的动态随机存取存储器，其特征在于所述第一电压或所述第二电压于所述存取晶体管关闭之前被储存在所述动态随机存取存储器单元。8.如权利要求6所述的动态随机存取存储器，其特征在于另包含∶一字线，耦接于所述存取晶体管的栅极；其中所述字线于一第一时间区间与一第二时间区间被选择以开启所述存取晶体管，其中所述第二时间区间位于所述第一时间区间之后；其中所述第一电压或所述第二电压在所述第二时间区间内被储存在所述动态随机存取存储器单元，其中所述第一时间区间是所述数据存取命令执行区间，以及所述第二时间区间是回复阶段期间。9.如权利要求8所述的动态随机存取存储器，其特征在于所述第二维持电压源在所述第二时间区间连接于所述传感放大器，以及所述第二电压通过所述传感放大器和所述位线提供给所述动态随机存取存储器单元。10.如权利要求8所述的动态随机存取存储器，其特征在于另包含∶
一电压源，在所述第一时间区间连接于所述传感放大器，以及在所述第二时间区间与所述传感放大器断开，其中所述电压源所提供的供电电压等于所述低电平信号的电压。11.一种动态随机存取存储器，其特征在于包含∶一动态随机存取存储器单元，包含一存取晶体管和一储存电容；及一字线，耦接于所述存取晶体管的栅极，并于一自动预充电阶段、一预充电阶段、或一刷新阶段时，导通所述存取晶体管；其中所述第一电压高于应用在所述动态随机存取存储器中一高电平信号的电压，以及所述第二电压低于应用在所述动态随机存取存储器中一低电平信号的电压，其中所述第一电压或所述第二电压于所述自动预充电阶段、所述预充电阶段、或所述刷新阶段时加诸于所述动态随机存取存储器单元。12.如权利要求11所述的动态随机存取存储器，其特征在于另包含∶一传感放大器，电连接所述动态随机存取存储器单元，其中产生所述第一电压的一第一维持电压源以及产生所述第二电压的一第二维持电压源选择性地耦接于所述传感放大器。13.一种动态随机存取存储器，其特征在于包含∶一第一动态随机存取存储器单元组和一第二动态随机存取存储器单元组，其中每一动态随机存取存储器单元包含一存取晶体管和一储存电容；一第一字线，耦接于所述第一动态随机存取存储器单元组内的每一动态随机存取存储器单元的存取晶体管的栅极；一第二字线，耦接于所述第二动态随机存取存储器单元组内的每一动态随机存取存储器单元的存取晶体管的栅极；一第一传感放大器组，电连接所述第一动态随机存取存储器单元组；一第二传感放大器组，电连接所述第二动态随机存取存储器单元组；及用于产生一第一电压的一第一维持电压源及/或用于产生一第二电压的一第二维持电压源，选择性地耦接所述第一传感放大器组；其中所述第一电压高于应用在所述动态随机存取存储器中一高电平信号的电压，以及所述第二电压低于应用在所述动态随机存取存储器中一低电平信号的电压。14.如权利要求13所述的动态随机存取存储器，其特征在于在所述第一字线被选择以开启所述第一动态随机存取存储器单元组内的每一动态随机存取存储器单元的存取晶体管以及所述第一字线不被选择以关闭所述第一动态随机存取存储器单元组内的每一动态随机存取存储器单元的存取晶体管之间，所述第一电压或所述第二电压被储存在所述第一动态随机存取存储器单元组内的每一动态随机存取存储器单元。15.如权利要求13所述的动态随机存取存储器，其特征在于当所述第一字线被选择时，所述第二字线不被选择以及所述第二传感放大器组是耦接于一第一电压源和一第二电压源，其中所述第一电压源所提供的电压等于所述高电平信号的电压，以及所述第二电压源所提供的电压等于所述低电平信号的电压。16.一种动态随机存取存储器，其特征在于包含∶一动态随机存取存储器单元，包含一存取晶体管和一储存电容；一传感放大器，可经由一位线电连接所述动态随机存取存储器单元；
一第一维持电压源及/或一第二维持电压源，选择性地耦接于所述传感放大器；其中所述第一维持电压源产生一第一电压以及所述第二维持电压源产生一第二电压，其中所述第一电压高于应用在所述动态随机存取存储器中一高电平信号的电压，以及所述第二电压低于应用在所述动态随机存取存储器中一低电平信号的电压；其中自所述存取晶体管完全导通至所述存取晶体管完全关闭的期间，所述第一维持电压源及/或所述第二维持电压源电连接至所述传感放大器至少两次。17.如权利要求16所述的动态随机存取存储器，其特征在于于执行一激活命令期间或动态随机存取存储器接收到一行地址信息之后，所述第一维持电压源持续电连接至所述传感放大器一第一踢升期间；且于一回复阶段期间或一预充电阶段期间，所述第一维持电压源进一步持续电连接至所述传感放大器一第二踢升期间。18.如权利要求16所述的动态随机存取存储器，其特征在于于执行一数据存取命令期间或动态随机存取存储器接收到一列地址信息之后，所述第一维持电压源持续电连接至所述传感放大器一第三踢升期间。19.如权利要求17所述的动态随机存取存储器，其特征在于所述第二踢升期间大于所述第一踢升期间。20.如权利要求16所述的动态随机存取存储器，其特征在于于执行一数据存取命令期间或动态随机存取存储器接收到一列地址信息之后，所述第一维持电压源持续电连接至所述传感放大器一第三踢升期间；且于一回复阶段期间或一预充电阶段期间，所述第一维持电压源进一步持续电连接至所述传感放大器一第二踢升期间。21.如权利要求16所述的动态随机存取存储器，其特征在于于执行一激活命令期间或动态随机存取存储器接收到一行地址信息之后，所述第一维持电压源持续电连接至所述传感放大器一第一踢升期间，且于执行一数据存取命令期间或动态随机存取存储器接收到一列地址信息之后，所述第一维持电压源持续电连接至所述传感放大器一第三踢升期间。22.如权利要求21所述的动态随机存取存储器，其特征在于所述第一踢升期间等于所述第三踢升期间。

技术总结
本发明公开了一种动态随机存取存储器。所述动态随机存取存储器包含动态随机存取存储器单元和字线。而所述动态随机存取存储器单元包含存取晶体管和储存电容，所述字线耦接所述存取晶体管的栅极。在所述字线被选择以开启所述存取晶体管以及所述字线不被选择以关闭所述存取晶体管之间，第一电压或第二电压被储存在所述动态随机存取存储器单元。所述第一电压高于应用在所述动态随机存取存储器中的高电平信号的电压，而所述第二电压低于应用在所述动态随机存取存储器中低电平信号的电压。因此，在所述存取晶体管关闭后，即使有所述储存电容的漏电流通过所述存取晶体管，但所述储存电容内的电荷可比现有的动态随机存取存储器的架构维持更长的一段时间。的架构维持更长的一段时间。的架构维持更长的一段时间。


技术研发人员：卢超群 戎博斗 夏浚
受保护的技术使用者：发明创新暨合作实验室有限公司
技术研发日：2020.08.17
技术公布日：2022/2/23